SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FGB3040CS-SB82142 onsemi FGB3040CS-SB82142 -
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 FGB3040 - 488-FGB3040CS-SB82142 쓸모없는 1
NVMFS2D3P04M8LT1G onsemi NVMFS2D3P04M8LT1G 3.4000
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 40 v 31A (TA), 222A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.4v @ 2.7ma 157 NC @ 10 v ± 20V 5985 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 205W (TC)
FJY3009R onsemi FJY3009R -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-89, SOT-490 fjy300 200 MW SC-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
FDP053N08B-F102 onsemi FDP053N08B-F102 2.2100
RFQ
 ECAD 355 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP053 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 75A (TC) 10V 5.3mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 5960 pf @ 40 v - 146W (TC)
MCH6660-TL-W onsemi MCH6660-TL-W -
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6660 MOSFET (금속 (() 800MW 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2A, 1.5A 136mohm @ 1a, 4.5v 1.3v @ 1ma 1.8NC @ 4.5V 128pf @ 10V 로직 로직 게이트 게이트, 1.8V 드라이브
2SC4211-7-TL-E onsemi 2SC4211-7-TL-E 0.1135
RFQ
 ECAD 6548 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4211 MCP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 - - - - -
BC327-025 onsemi BC327-025 -
RFQ
 ECAD 8300 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC327 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 260MHz
RFD14N05 onsemi RFD14N05 -
RFQ
 ECAD 7316 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA RFD14 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RFD14N05-NDR 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 20 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 48W (TC)
FMB2907A onsemi FMB2907A 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FMB2907 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 600ma 20NA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 250MHz
CPH3101-TL-E onsemi CPH3101-TL-E -
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 날개 CPH3101 900 MW 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 75ma, 1.5a 200 @ 100ma, 2v 150MHz
KSB795OSTU onsemi KSB795OSTU -
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSB79 1 W. TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,920 80 v 1.5 a 10µA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 4000 @ 1a, 2v -
NTD4809NHT4G onsemi NTD4809NHT4G -
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD48 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9.6A (TA), 58A (TC) 4.5V, 11.5V 9MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 2155 pf @ 12 v - 1.3W (TA), 52W (TC)
NSS12200WT1G onsemi NSS12200WT1G 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSS12200 450 MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 2 a 100NA PNP 290mv @ 20ma, 1a 100 @ 800ma, 1.5 v 100MHz
2N3055HG onsemi 2N3055HG -
RFQ
 ECAD 3017 0.00000000 온세미 - 쟁반 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N3055 115 w To-204 (To-3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 60 v 15 a 700µA NPN 3v @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4v 2.5MHz
FJN3304RTA onsemi fjn3304rta -
RFQ
 ECAD 1727 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 fjn330 300MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
NSVBC858CLT1G onsemi NSVBC858CLT1G 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVBC858 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
KST5551MTF onsemi KST5551MTF -
RFQ
 ECAD 8788 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST55 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
KSA812GAMTF onsemi KSA812GAMTF -
RFQ
 ECAD 6325 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSA812 150 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 1ma, 6v 180MHz
CPH3205-M-TL-E onsemi CPH3205-M-TL-E -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH3205 900 MW 3-cph - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 210MV @ 100MA, 2A 200 @ 100ma, 2v 380MHz
J310RLRPG onsemi J310RLRPG -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) J310 100MHz JFET TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60ma 10 MA - 16db - 10 v
FJX3004RTF onsemi FJX3004RTF -
RFQ
 ECAD 5352 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 FJX300 200 MW SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
BD436T onsemi BD436T -
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD436 36 w TO-126 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 32 v 4 a 100µA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 3MHz
BC307BTFR onsemi BC307BTFR -
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC307 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA PNP 500mv @ 5ma, 100ma 180 @ 2MA, 5V 130MHz
SMUN5216DW1T1G onsemi smun5216dw1t1g 0.3700
RFQ
 ECAD 6206 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 smun5216 187MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250mv @ 1ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V - 4.7kohms -
FDS7066N3 onsemi FDS7066N3 -
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS70 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 23A (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 23a, 10V 3V @ 250µA 69 NC @ 5 v ± 16V 4973 pf @ 15 v - 3W (TA)
SS9011HBU onsemi SS9011HBU -
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9011 400MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 30 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 97 @ 1ma, 5V 2MHz
2N6427_D75Z onsemi 2N6427_D75Z -
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N6427 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 1.2 a 1µA npn-달링턴 1.5V @ 500µA, 500mA 14000 @ 500ma, 5V -
50C02CH-TL-E onsemi 50C02CH-TL-E 0.4500
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 50C02 700 MW 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 10ma, 100ma 300 @ 10ma, 2v 500MHz
FGH40N6S2D onsemi fgh40n6s2d -
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH40 기준 290 W. TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 150 390V, 20A, 3OHM, 15V 48 ns - 600 v 75 a 180 a 2.7V @ 15V, 20A 115µJ (on), 195µJ (OFF) 35 NC 8ns/35ns
TIP41C onsemi TIP41C -
RFQ
 ECAD 6309 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 41 65 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 100 v 6 a 700µA NPN 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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