SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
NDS8947 onsemi NDS8947 -
RFQ
ECAD 5974 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS894 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 4a 65mohm @ 4a, 10V 2.8V @ 250µA 30NC @ 10V 690pf @ 15V 논리 논리 게이트
HUFA76407DK8TF085P onsemi hufa76407dk8tf085p -
RFQ
ECAD 8218 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HUFA76407 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA) 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-hufa76407dk8tf085ptr 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 3.8A (TA) 90mohm @ 3.8a, 10V 3V @ 250µA - 330pf @ 25V 논리 논리 게이트
MTD5N25E onsemi MTD5N25E 0.6100
RFQ
ECAD 4392 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 76
NDS355N onsemi NDS355N -
RFQ
ECAD 7638 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NDS355 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 1.9a, 10V 2V @ 250µA 5 nc @ 5 v ± 20V 245 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2N7000TA onsemi 2N7000TA 0.3700
RFQ
ECAD 5015 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N7000 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 200MA (TC) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 400MW (TA)
FDS9400A onsemi FDS9400A -
RFQ
ECAD 5290 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS94 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 3.4A (TA) 4.5V, 10V 1a, 1a, 10v 130mohm 3V @ 250µA 3.5 nc @ 5 v ± 25V 205 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
KST24MTF onsemi KST24MTF -
RFQ
ECAD 4617 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST24 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN - 30 @ 8ma, 10V 620MHz
MMBFJ177LT1 onsemi MMBFJ177LT1 -
RFQ
ECAD 9383 0.00000000 온세미 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 MMBFJ1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
NTD4813NH-35G onsemi NTD4813NH-35G -
RFQ
ECAD 5510 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK NTD48 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 7.6A (TA), 40A (TC) 4.5V, 11.5V 13mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 940 pf @ 12 v - 1.27W (TA), 35.3W (TC)
HUF75639S3S onsemi HUF75639S3S -
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
FDD3706 onsemi FDD3706 -
RFQ
ECAD 3322 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD370 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 14.7A (TA), 50A (TC) 2.5V, 10V 9mohm @ 16.2a, 10V 1.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 12V 1882 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 44W (TC)
FCD620N60ZF onsemi FCD620N60ZF 1.9600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 온세미 Hiperfet ™, Polar ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FCD620 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 620mohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1135 pf @ 25 v - 89W (TC)
CPH6341-M-TL-W onsemi CPH6341-M-TL-W 0.6000
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-6 CPH6341 MOSFET (금속 (() 6-CPH - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4V, 10V 59mohm @ 3a, 10V 2.6v @ 1ma 10 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
FDZ5047N onsemi FDZ5047N -
RFQ
ECAD 8222 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 36-VFBGA FDZ50 MOSFET (금속 (() 36-BGA (5x5.5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 22a, 10V 3V @ 250µA 73 NC @ 5 v ± 20V 4993 pf @ 15 v - 2.8W (TA)
NVMFD030N06CT1G onsemi NVMFD030N06CT1G 0.9440
RFQ
ECAD 7892 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD030 MOSFET (금속 (() 3.2W (TA), 23W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVMFD030N06CT1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 7A (TA), 19A (TC) 29.7mohm @ 3a, 10V 4V @ 13µA 4.7nc @ 10V 255pf @ 30V -
MJL21193G onsemi MJL21193G 5.5600
RFQ
ECAD 8930 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA MJL21193 200 w TO-264 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 250 v 16 a 100µA PNP 4V @ 3.2A, 16A 25 @ 8a, 5V 4MHz
2N3055G onsemi 2N3055G 4.7300
RFQ
ECAD 70 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N3055 115 w To-204 (To-3) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 60 v 15 a 700µA NPN 3v @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4v 2.5MHz
FDMS86202ET120 onsemi FDMS86202ET120 6.3700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86202 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 120 v 13.5A (TA), 102A (TC) 6V, 10V 7.2MOHM @ 13.5A, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 4585 pf @ 60 v - 3.3W (TA), 187W (TC)
FDMA3028N onsemi FDMA3028N -
RFQ
ECAD 7577 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDMA3028 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.8a 68mohm @ 3.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.2NC @ 5V 375pf @ 15V 논리 논리 게이트
BD244B onsemi BD244B -
RFQ
ECAD 1126 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD244 65 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
FDMS8570S onsemi FDMS8570S -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS85 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 24A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10V 2.2v @ 1ma 425 NC @ 10 v ± 12V 2825 pf @ 13 v - 2.5W (TA), 48W (TC)
BD13910STU onsemi BD13910STU 0.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD13910 1.25 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 80 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V -
2N5086TFR onsemi 2N5086Tfr -
RFQ
ECAD 4795 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5086 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 MA 50NA PNP 300mv @ 1ma, 10ma 150 @ 100µa, 5V 40MHz
TIP127 onsemi 팁 127 -
RFQ
ECAD 1937 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 127 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 500µA pnp- 달링턴 4V @ 20MA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
BC548C onsemi BC548C -
RFQ
ECAD 1004 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC548 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 100 MA 15NA NPN 250mv @ 500µa, 10ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
SBCW30LT1G onsemi sbcw30lt1g 0.0727
RFQ
ECAD 9985 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBCW30 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 32 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300MV @ 500µA, 10MA 215 @ 2MA, 5V -
2N5551_J61Z onsemi 2N5551_J61Z -
RFQ
ECAD 8480 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5551 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,500 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 100MHz
FDP22N50N onsemi FDP22N50N 3.8600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP22 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 220mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 30V 3200 pf @ 25 v - 312.5W (TC)
BC309ATA onsemi BC309ata -
RFQ
ECAD 4851 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC309 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 100 MA 15NA PNP 500mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 130MHz
MJE171G onsemi MJE171G 0.8600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE171 1.5 w TO-126 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 60 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 1.7V @ 600MA, 3A 50 @ 100MA, 1V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고