SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대 등급 자격
BC238A_J35Z onsemi BC238A_J35Z -
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC238 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 250MHz
FJA3835TU onsemi FJA3835TU -
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FJA3835 80 W. to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 30 120 v 8 a 100µA (ICBO) NPN 500mv @ 300ma, 3a 120 @ 3A, 4V 30MHz
NVMFS021N10MCLT1G onsemi NVMFS021N10MCLT1G 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 8.4A (TA), 31A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10V 3V @ 42µA 13 nc @ 10 v ± 20V 850 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 49W (TC)
NDB7060 onsemi NDB7060 -
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB706 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 13mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 150W (TC)
ECH8901-TL-H onsemi ECH8901-TL-H 0.1400
RFQ
 ECAD 753 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 3,000
MCH6610-TL-E onsemi MCH6610-TL-E -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
DTC115TET1G onsemi DTC115TET1G 0.0297
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC115 200 MW SC-75, SOT-416 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-DTC115TET1GTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250mv @ 5ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V 100 KOHMS
FMBS5401 onsemi FMBS5401 -
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FMBS5 700 MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
CPH3462-TL-W onsemi CPH3462-TL-W -
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH3462 MOSFET (금속 (() 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1A (TA) 4V, 10V 785mohm @ 1a, 10V 2.6v @ 1ma 3.4 NC @ 10 v ± 20V 155 pf @ 20 v - 1W (TA)
MPS2907ARL onsemi MPS2907ARL -
RFQ
 ECAD 1391 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPS290 625 MW TO-92 (TO-226) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
CPH6442-TL-E onsemi CPH6442-TL-E -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CPH644 MOSFET (금속 (() 6-CPH 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TA) 4V, 10V 43mohm @ 3a, 10V 2.6v @ 1ma 20 nc @ 10 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 1.6W (TA)
BSS138-G onsemi BSS138-G 0.5100
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 220MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 1mA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 27 pf @ 25 v - 360MW (TA)
HUF75332S3ST onsemi HUF75332S3st -
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 60A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 145W (TC)
FQP4N80 onsemi FQP4N80 1.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP4 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3.9A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.95a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 880 pf @ 25 v - 130W (TC)
MUN5334DW1T1G onsemi mun5334dw1t1g 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 mun53 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250mv @ 1ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V - 22kohms 47kohms
FQP10N20CTSTU onsemi FQP10N20CTSTU -
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9.5A (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 72W (TC)
FDMS86540 onsemi FDMS86540 1.7200
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 20A (TA), 50A (TC) 8V, 10V 3.4mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6435 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 96W (TC)
FQPF2P40 onsemi FQPF2P40 -
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF2 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 400 v 1.34A (TC) 10V 6.5ohm @ 670ma, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 28W (TC)
ISL9V3036D3STV onsemi ISL9V3036D3STV -
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 온세미 Ecospark® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ISL9V3036 논리 150 W. TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-ISL9V3036D3STVTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 1KOHM, 5V - 360 v 21 a 1.6V @ 4V, 6A - 17 NC 700µs/4.8µs
NVMFS5C450NLT3G onsemi NVMFS5C450NLT3G -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 110A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 68W (TC)
FQB24N08TM onsemi FQB24N08TM -
RFQ
 ECAD 4275 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 24A (TC) 10V 60mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 750 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 75W (TC)
2SK715W-AC onsemi 2SK715W-AC -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 2SK715 300MW 3- 스파 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 15 v 10pf @ 5V 14.5 ma @ 5 v 600 mV @ 100 µa 50 MA
ISL9V3036S3ST-F085C onsemi ISL9V3036S3ST-F085C -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 온세미 - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 논리 150 W. D²PAK-3 (TO-263-3) - 488-ISL9V3036S3ST-F085C 귀 99 8541.29.0095 1 - 2.1 µs - 360 v 21 a 1.6V @ 4V, 6A - 17 NC 700ns/4.8µs 자동차 AEC-Q101
NTMYS6D2N06CLTWG onsemi ntmys6d2n06cltwg 2.2749
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK ntmys6 MOSFET (금속 (() LFPAK4 (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-ntmys6d2n06cltwgtr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 17A (TA), 71A (TC) - - - - - -
ECH8673-TL-H onsemi ECH8673-TL-H -
RFQ
 ECAD 6907 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8673 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 3.5a, 2.5a 85mohm @ 2a, 10V - 5.3NC @ 10V 230pf @ 20V 논리 논리 게이트
NTF3055L108T3LFG onsemi NTF3055L108T3LFG -
RFQ
 ECAD 3126 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NTF305 MOSFET (금속 (() SOT-223 (TO-261) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTF3055L108T3LFGOS 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 3A (TA) 5V 120mohm @ 1.5a, 5V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 15V 440 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
DTC143TM3T5H onsemi DTC143TM3T5H -
RFQ
 ECAD 3728 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 DTC143 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 8,000
FJX945YTF onsemi fjx945ytf -
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 FJX945 200 MW SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 6V 300MHz
FQD6N60CTM-WS onsemi fqd6n60ctm-ws -
RFQ
 ECAD 7740 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD6N60 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 810 pf @ 25 v - 80W (TC)
NSVMUN5215DW1T1G onsemi NSVMUN5215DW1T1G 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5215 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250mv @ 1ma, 10ma 160 @ 5MA, 10V - 10kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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