| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGF10M65DF2 | 1.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 중 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STGF10 | 기준 | 30W | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 10A, 22옴, 15V | 96ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 20A | 40A | 2V @ 15V, 10A | 120μJ(켜짐), 270μJ(꺼짐) | 28nC | 19ns/91ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BULD742CT4 | 1.1100 | ![]() | 8624 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 빌드742 | 45W | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V | 4A | 250μA | NPN | 1.5V @ 1A, 3.5A | 25 @ 800mA, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS4DNFS30L | - | ![]() | 1290 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS4D | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 4A(TC) | 5V, 10V | 55m옴 @ 2A, 10V | 1V @ 250μA | 9nC @ 5V | ±16V | 330pF @ 25V | 쇼트키 다이오드(절연) | 2W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD85015S-E | - | ![]() | 9156 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 40V | PowerSO-10옆형 하단 패드 | PD85015 | 870MHz | LDMOS | PowerSO-10RF(직선 리드) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 5A | 150mA | 15W | 16dB | - | 13.6V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1P25S12M3-F | 50.2800 | ![]() | 9839 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | A1P25 | 197W | 기준 | 에이스팩™ 1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-17739 | EAR99 | 8541.29.0095 | 36 | 삼상인버터 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 25A | 2.45V @ 15V, 25A | 100μA | 예 | 25V에서 1.55nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STO52N60DM6 | 4.5000 | ![]() | 4980 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerSFN | STO52 | MOSFET(금속) | 처리료(HV) | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STO52N60DM6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 600V | 45A(Tc) | 10V | 78m옴 @ 22.5A, 10V | 250μA에서 4.75V | 52nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2468pF | - | 305W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA60V60DWFAG | 13.3900 | ![]() | 3282 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGWA60 | 기준 | 375W | TO-247 긴 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STGWA60V60DWFAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 60A, 4.7옴, 15V | 200ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 80A | 240A | 2.3V @ 15V, 60A | 1.02mJ(켜짐), 370μJ(꺼짐) | 314nC | 35ns/190ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS5N15F3 | 2.6600 | ![]() | 470 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ III | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS5N | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 150V | 5A(Tc) | 10V | 57m옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1300pF | - | 2.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP5NK60ZFP | - | ![]() | 9331 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STP5NK60 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 5A(Tc) | 10V | 1.6옴 @ 2.5A, 10V | 50μA에서 4.5V | 34nC @ 10V | ±30V | 25V에서 690pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STL57N65M5 | 11.4800 | ![]() | 2950 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL57 | MOSFET(금속) | PowerFlat™(8x8) HV | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 650V | 4.3A(Ta), 22.5A(Tc) | 10V | 69m옴 @ 20A, 10V | 5V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±25V | 100V에서 4200pF | - | 2.8W(Ta), 189W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFW38N65M5 | 4.8165 | ![]() | 1015 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | STFW38 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-15006-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 30A(Tc) | 10V | 95m옴 @ 15A, 10V | 5V @ 250μA | 71nC @ 10V | ±25V | 100V에서 3000pF | - | 57W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF32NM50N | 4.9800 | ![]() | 177 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF32N | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 22A(TC) | 10V | 130m옴 @ 11A, 10V | 4V @ 250μA | 62.5nC @ 10V | ±25V | 1973pF @ 50V | - | 35W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STH170N8F7-2 | 3.6100 | ![]() | 574 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ F7 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STH170 | MOSFET(금속) | H2Pak-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 80V | 120A(Tc) | 10V | 3.7m옴 @ 60A, 10V | 250μA에서 4.5V | 120nC @ 10V | ±20V | 40V에서 8710pF | - | 250W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB16NM50N | - | ![]() | 4738 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB16N | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 500V | 15A(Tc) | 10V | 260m옴 @ 7.5A, 10V | 4V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±25V | 50V에서 1200pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB45N60DM2AG | 6.5000 | ![]() | 3610 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB45 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 34A(티씨) | 10V | 90m옴 @ 17A, 10V | 5V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2500pF | - | 250W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF16N65M2 | 2.5300 | ![]() | 5089 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF16 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 11A(티씨) | 10V | 360m옴 @ 5.5A, 10V | 4V @ 250μA | 19.5nC @ 10V | ±25V | 100V에서 718pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI90N4F3 | - | ![]() | 3513 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ III | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | STI9 | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 80A(Tc) | 10V | 6.5m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 54nC @ 10V | ±20V | 2200pF @ 25V | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB85NF3LLT4 | - | ![]() | 2835 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB85N | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 30V | 85A(Tc) | 4.5V, 10V | 8m옴 @ 40A, 10V | 1V @ 250μA | 40nC @ 4.5V | ±16V | 2210pF @ 25V | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA45HF60WDI | 5.8400 | ![]() | 551 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGWA45 | 기준 | 310W | TO-247-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30A, 4.7옴, 15V | 90ns | - | 600V | 80A | 150A | 2.5V @ 15V, 30A | 330μJ(꺼짐) | 160nC | -/145ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL60N10F7 | 1.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VII | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL60 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 46A(Tc) | 10V | 18m옴 @ 6A, 10V | 250μA에서 4.5V | 25nC @ 10V | 20V | 50V에서 1640pF | - | 5W(Ta), 72W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW27N60M2-EP | 3.7900 | ![]() | 3184 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2-EP | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW27 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-16490-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 20A(TC) | 10V | 163m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 4.75V | 33nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1320pF | - | 170W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW36NM60N | - | ![]() | 8285 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW36N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-12369 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 29A(TC) | 10V | 105m옴 @ 14.5A, 10V | 4V @ 250μA | 83.6nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2722pF | - | 210W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU6N65K3 | - | ![]() | 5002 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | STU6N65 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 650V | 5.4A(Tc) | 10V | 1.3옴 @ 2.7A, 10V | 50μA에서 4.5V | 33nC @ 10V | ±30V | 50V에서 880pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCTWA90N65G2V | 37.5200 | ![]() | 9611 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | SiCFET(탄화규소) | TO-247 긴 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-SCTWA90N65G2V | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 119A(Tc) | 18V | 24m옴 @ 50A, 18V | 5V @ 1mA | 157nC @ 18V | +22V, -10V | 400V에서 3380pF | - | 565W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SD2931-10 | - | ![]() | 8802 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 상자 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 125V | M174 | SD2931 | 175MHz | MOSFET | M174 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 20A | 250mA | 150W | 15dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD6N62K3 | 1.9900 | ![]() | 331 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병6 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 620V | 5.5A(Tc) | 10V | 1.28옴 @ 2.8A, 10V | 50μA에서 4.5V | 25.7nC @ 10V | ±30V | 50V에서 706pF | - | 90W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFH40N60M2 | 4.2920 | ![]() | 6550 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STFH40 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 920 | N채널 | 600V | 34A(티씨) | 10V | 88m옴 @ 17A, 10V | 4V @ 250μA | 57nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2500pF | - | 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFW40N60M2 | 6.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | STFW40 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-15538-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 34A(티씨) | 10V | 88m옴 @ 17A, 10V | 4V @ 250μA | 57nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2500pF | - | 63W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD4NK50Z-1 | - | ![]() | 3651 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | STD4N | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 500V | 3A(TC) | 10V | 2.7옴 @ 1.5A, 10V | 50μA에서 4.5V | 12nC @ 10V | ±30V | 310pF @ 25V | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD57070S-E | - | ![]() | 6872 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 65V | PowerSO-10옆형 하단 패드 | PD57070 | 945MHz | LDMOS | PowerSO-10RF(직선 리드) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 7A | 250mA | 70W | 14.7dB | - | 28V |

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