SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터
STL4N10F7 STMicroelectronics stl4n10f7 0.8600
RFQ
ECAD 5585 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL4 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.5A (TA), 18A (TC) 10V 70mohm @ 2.25a, 10V 4.5V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 408 pf @ 50 v - 2.9W (TA), 50W (TC)
STD11N50M2 STMicroelectronics STD11N50M2 1.4900
RFQ
ECAD 5653 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD11 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 530mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 25V 395 pf @ 100 v - 85W (TC)
STB33N65M2 STMicroelectronics STB33N65M2 4.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB33 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 140mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 41.5 nc @ 10 v ± 25V 1790 pf @ 100 v - 190W (TC)
STH265N6F6-2AG STMicroelectronics STH265N6F6-2AG -
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH265 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 180A (TC) 10V 2.1MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 183 NC @ 10 v ± 20V 11800 pf @ 25 v - 300W (TC)
STR1P2UH7 STMicroelectronics str1p2uh7 -
RFQ
ECAD 4704 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ H7 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 str1 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 700ma, 4.5v 1V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 8V 510 pf @ 10 v - 350MW (TC)
STT4P3LLH6 STMicroelectronics STT4P3LLH6 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ H6 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 STT4P3 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 56mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 20V 639 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
STF12N65M2 STMicroelectronics STF12N65M2 1.9400
RFQ
ECAD 886 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF12 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15531-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 535 pf @ 100 v - 25W (TC)
STGB10M65DF2 STMicroelectronics STGB10M65DF2 2.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB10 기준 115 w d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 10A, 22ohm, 15V 96 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 20 a 40 a 2V @ 15V, 10A 120µJ (on), 270µJ (OFF) 28 NC 19ns/91ns
STGF30V60DF STMicroelectronics STGF30V60DF -
RFQ
ECAD 2704 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 STGF30 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50
STW48NM60N STMicroelectronics stw48nm60n 15.6100
RFQ
ECAD 2641 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW48 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-11367-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 44A (TC) 10V 70mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 25V 4285 pf @ 50 v - 330W (TC)
STW60N65M5 STMicroelectronics STW60N65M5 11.3600
RFQ
ECAD 577 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 stw60n MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 46A (TC) 10V 59mohm @ 23a, 10V 5V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 25V 6810 pf @ 100 v - 255W (TC)
STW24NM60N STMicroelectronics STW24NM60N 6.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW24N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 190mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 50 v - 125W (TC)
STD96N3LLH6 STMicroelectronics std96n3llh6 1.3200
RFQ
ECAD 2983 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD96 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 80A (TC) 5.5V, 10V 40a, 40a, 10V 4.2mohm 2.5V @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 70W (TC)
STB7NK80Z-1 STMicroelectronics STB7NK80Z-1 1.7752
RFQ
ECAD 7097 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB7NK80 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 5.2A (TC) 10V 1.8ohm @ 2.6a, 10V 4.5V @ 100µa 56 NC @ 10 v ± 30V 1138 pf @ 25 v - 125W (TC)
STD6NM60N STMicroelectronics std6nm60n -
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std6n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4.6A (TC) 10V 920mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 25V 420 pf @ 50 v - 45W (TC)
STC20DE90HP STMicroelectronics STC20DE90HP -
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 900V 범용 구멍을 구멍을 TO-247-4 STC20D TO-247-4L HP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-8772-5 귀 99 8541.29.0095 30 20A npn-이미-스위치 바이폴라 바이폴라
STGB30NC60WT4 STMicroelectronics STGB30NC60WT4 3.5300
RFQ
ECAD 660 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB30 기준 200 w D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 390V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 60 a 150 a 2.5V @ 15V, 20A 305µJ (on), 181µJ (OFF) 102 NC 29.5ns/118ns
STGE50NC60WD STMicroelectronics stge50nc60wd -
RFQ
ECAD 7071 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 STGE50 260 W. 기준 동위 동위 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 497-8781-5 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 100 a 2.6V @ 15V, 40A 500 µA 아니요 4.7 NF @ 25 v
STGP100N30 STMicroelectronics STGP100N30 6.1000
RFQ
ECAD 849 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP100 기준 250 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 180V, 25A, 10ohm, 15V - 330 v 90 a 2.5V @ 15V, 50A - -/134ns
STFI26NM60N STMicroelectronics stfi26nm60n -
RFQ
ECAD 2529 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak stfi26n MOSFET (금속 (() I2PAKFP (TO-281) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 50 v - 35W (TC)
STB15N65M5 STMicroelectronics STB15N65M5 -
RFQ
ECAD 3740 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB15N MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 25V 810 pf @ 100 v - 85W (TC)
STB36NM60N STMicroelectronics STB36NM60N 6.8900
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB36 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 105mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 250µA 83.6 NC @ 10 v ± 25V 2722 pf @ 100 v - 210W (TC)
STP130N10F3 STMicroelectronics STP130N10F3 3.5300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP130 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 -497-12984-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 9.6MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3305 pf @ 25 v - 250W (TC)
STP110N8F6 STMicroelectronics STP110N8F6 -
RFQ
ECAD 9949 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP110 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 110A (TC) 10V 6.5mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 9130 pf @ 40 v - 200W (TC)
STL140N6F7 STMicroelectronics STL140N6F7 2.7900
RFQ
ECAD 7730 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL140 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 145A (TC) 10V 2.5mohm @ 16a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 4.8W (TA), 125W (TC)
STP25N60M2-EP STMicroelectronics STP25N60M2-EP 2.8900
RFQ
ECAD 23 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP25 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15892-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 188mohm @ 9a, 10V 4.75V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1090 pf @ 100 v - 150W (TC)
STH410N4F7-6AG STMicroelectronics STH410N4F7-6AG 6.9500
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) STH410 MOSFET (금속 (() H2PAK-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 200a (TC) 10V 1.1MOHM @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 141 NC @ 10 v ± 20V 11500 pf @ 25 v - 365W (TC)
STFU28N65M2 STMicroelectronics STFU28N65M2 3.5600
RFQ
ECAD 215 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFU28 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16307-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 25V 1440 pf @ 100 v - 30W (TC)
STD46N6F7 STMicroelectronics STD46N6F7 -
RFQ
ECAD 1954 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD46 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 14mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1065 pf @ 30 v - 60W (TC)
STL8DN6LF6AG STMicroelectronics stl8dn6lf6ag 1.6400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL8 - Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 32A (TC) 27mohm @ 9.6a, 10V 2.5V @ 250µA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고