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트랜지스터 (3861)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STT3PF30L | - |  | 4344 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | STT3P | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.4A (TC) | 4.5V, 10V | 165mohm @ 1.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 v | ± 16V | 420 pf @ 25 v | - | 1.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | STP19NM50N | 4.1400 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP19 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 14A (TC) | 10V | 250mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 25V | 1000 pf @ 50 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | STW40N60M2-4 | - | | 4728 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW40 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 88mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 25V | 2500 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | STFU15N80K5 | 4.7900 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STFU15 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 14A (TC) | 10V | 375mohm @ 7a, 10V | 5V @ 100µa | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STP190N55LF3 | - | | 6767 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP190 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 120A (TC) | 5V, 10V | 3.7mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 80 nc @ 5 v | ± 18V | 6200 pf @ 25 v | - | 312W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STGP40V60F | 3.4900 | | 6023 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STGP40 | 기준 | 283 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13872-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 40A, 10ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 80 a | 160 a | 2.3V @ 15V, 40A | 456µJ (ON), 411µJ (OFF) | 226 NC | 52ns/208ns | |||||||||||||||||||||||
 | PD84001 | - | | 4684 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 18 v | TO-243AA | PD84001 | 870MHz | LDMOS | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 1.5A | 50 MA | 30dbm | 15db | - | 7.5 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STB30N65M2AG | 4.2400 | | 4563 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STB30N65M2AGTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 30.8 nc @ 10 v | ± 25V | 1440 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| STGP35HF60W | 3.5700 | | 8658 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STGP35 | 기준 | 200 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13584-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20A, 10ohm, 15V | - | 600 v | 60 a | 150 a | 2.5V @ 15V, 20A | 290µJ (ON), 185µJ (OFF) | 140 NC | 30ns/175ns | |||||||||||||||||||||||
 | STD5N52U | 1.2200 | | 6059 | 0.00000000 | stmicroelectronics | UltrafastMesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD5N52 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 525 v | 4.4A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 50µA | 16.9 NC @ 10 v | ± 30V | 529 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | STH160N4LF6-2 | 1.5700 | | 642 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH160 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 5V, 10V | 2.2MOHM @ 60A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 181 NC @ 10 v | ± 20V | 8130 pf @ 20 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | STI14NM50N | 3.0500 | | 757 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI14N | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 320mohm @ 6a, 10V | 4V @ 100µa | 27 NC @ 10 v | ± 25V | 816 pf @ 50 v | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STP25NM60N | - | | 2554 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP25N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5020-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 160mohm @ 10.5a, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 v | ± 25V | 2400 pf @ 50 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STB30NM60N | - | | 6261 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB30N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 130mohm @ 12.5a, 10V | 4V @ 250µA | 91 NC @ 10 v | ± 30V | 2700 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STW54NK30Z | - | | 6852 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW54N | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 300 v | 54A (TC) | 10V | 60mohm @ 27a, 10V | 4.5V @ 150µA | 221 NC @ 10 v | ± 30V | 4960 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | SD4931 | 74.0316 | | 6897 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 쟁반 | 활동적인 | 200 v | M174 | SD4931 | 175MHz | MOSFET | M174 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-10701 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 20A | 250 MA | 150W | 14.8dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | STGB20N40LZ | 2.9400 | | 6308 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, PowerMesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB20 | 논리 | 150 W. | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 10A, 1KOHM, 5V | - | 390 v | 25 a | 40 a | 1.6V @ 4V, 6A | - | 24 NC | 700ns/4.3µs | ||||||||||||||||||||||||
| STGW20H65FB | 2.0653 | | 4843 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGW20 | 기준 | 168 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 10ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 40 a | 80 a | 2V @ 15V, 20A | 77µJ (on), 170µJ (OFF) | 120 NC | 30ns/139ns | ||||||||||||||||||||||||
| STGF14N60D | - | | 5777 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STGF14 | 기준 | 33 w | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-8897-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 7A, 10ohm, 15V | 37 ns | - | 600 v | 11 a | 50 a | 2.1V @ 15V, 7A | - | - | |||||||||||||||||||||||
 | STL38N65M5 | 6.5400 | | 7977 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL38 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 3.5A (TA), 22.5A (TC) | 10V | 105mohm @ 12.5a, 10V | 5V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 25V | 3000 pf @ 100 v | - | 2.8W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STF32NM50N | 4.9800 | | 177 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF32N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 22A (TC) | 10V | 130mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 62.5 nc @ 10 v | ± 25V | 1973 PF @ 50 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STP400N4F6 | - | | 6480 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP400 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.7mohm @ 60a, 10V | 4.5V @ 250µA | 377 NC @ 10 v | ± 20V | 20000 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STGB3NB60FDT4 | - | | 8691 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB3 | 기준 | 68 w | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V, 3A, 10ohm, 15V | 45 ns | - | 600 v | 6 a | 24 a | 2.4V @ 15V, 3A | 125µJ (OFF) | 16 NC | 12.5ns/105ns | |||||||||||||||||||||||
 | STGWA80H65DFB | - | | 4317 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGWA80 | 기준 | 469 w | TO-247 긴 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 80A, 10ohm, 15V | 85 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 120 a | 240 a | 2V @ 15V, 80A | 2.1mj (on), 1.5mj (OFF) | 414 NC | 84ns/280ns | |||||||||||||||||||||||
| STW29NK50ZD | - | | 8661 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW29N | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 29A (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10V | 4.5V @ 150µA | 200 nc @ 10 v | ± 30V | 6450 pf @ 25 v | - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STB100N6F7 | 1.9200 | | 1386 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB100 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 10V | 5.6mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1980 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STI33N60M2 | 2.0029 | | 7979 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI33 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 26A (TC) | 10V | 125mohm @ 13a, 10V | 4V @ 250µA | 45.5 nc @ 10 v | ± 25V | 1781 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| STL34N65M5 | - | | 3899 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL34 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 22.5A (TC) | 10V | 120mohm @ 12a, 10V | 5V @ 250µA | 62.5 nc @ 10 v | ± 25V | 2700 pf @ 100 v | - | 2.8W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | PD57006S-E | - | | 5460 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 65 v | Powerso-10 0 바닥 패드 | PD57006 | 945MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 1A | 70 MA | 6W | 15db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||
| std11nm60n | - | | 8849 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD11 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 450mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 25V | 850 pf @ 50 v | - | 90W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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