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트랜지스터 (3861)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB11NK50ZT4 | 3.2200 |  | 111 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB11 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 10A (TC) | 10V | 520mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 68 NC @ 10 v | ± 30V | 1390 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||
 | bul704 | 0.8400 | | 998 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | bul704 | 70 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 v | 4 a | 250µA | NPN | 800mv @ 500ma, 2.5a | 14 @ 2a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| STP14NF10 | - | | 8385 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP14 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 15A (TC) | 10V | 130mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 460 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STF5N105K5 | 2.8800 | | 918 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF5N105 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1050 v | 3A (TC) | 10V | 3.5ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 100µa | 12.5 nc @ 10 v | ± 30V | 210 pf @ 100 v | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STX13005G | - | | 2886 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | STX13005 | 2.8 w | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 3 a | 1MA | NPN | 5V @ 750MA, 3A | 8 @ 2a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| STBV32G | - | | 6534 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 상자 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | STBV32 | 1.5 w | To-92-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 1.5 a | 1MA | NPN | 1.5v @ 500ma, 1.5a | 5 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
 | STFI7N80K5 | 2.8400 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-262-3 2 팩 팩, i²pak | STFI7 | MOSFET (금속 (() | I2PAKFP (TO-281) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 6A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3a, 10V | 5V @ 100µa | 13.4 NC @ 10 v | ± 30V | 360 pf @ 100 v | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STX616-AP | 0.6800 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STX616 | 2.8 w | TO-92AP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 500 v | 1.5 a | 50µA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 12 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| STB140NF55T4 | 3.7000 | | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB140 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 142 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
| STP10NK80Z | 4.4000 | | 6411 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 9A (TC) | 10V | 900mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 2180 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||
| STP45NE06 | - | | 7018 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP45N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-2762-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 45A (TC) | 10V | 28mohm @ 22.5a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STF28N65M2 | 3.5600 | | 1196 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF28 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15534-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 25V | 1440 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STS17NH3LL | - | | 5441 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS17 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 17A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 8.5a, 10V | 1V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 16V | 1810 pf @ 25 v | - | 2.7W (TC) | |||||||||||||||||||
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 | STW4N150 | 8.3200 | | 4612 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW4N150 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5092-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1500 v | 4A (TC) | 10V | 7ohm @ 2a, 10V | 5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 1300 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||
| STW8NB100 | - | | 6473 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | stw8n | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-2646-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 7.3A (TC) | 10V | 1.45ohm @ 3.6a, 10V | 5V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 30V | 2900 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||
| STGW15M120DF3 | 4.2406 | | 7393 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGW15 | 기준 | 259 w | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15a, 22ohm, 15V | 270 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 30 a | 60 a | 2.3V @ 15V, 15a | 550µJ (on), 850µJ (OFF) | 226 NC | 26ns/122ns | |||||||||||||||||||
 | 2STR1215 | 0.3900 | | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2STR1215 | 500MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 15 v | 1.5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 850mv @ 200ma, 2a | 200 @ 500ma, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
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 | BU941 | - | | 6193 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | TO-204AA, TO-3 | BU941 | 180 w | TO-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 400 v | 15 a | 100µA | npn-달링턴 | 2V @ 300ma, 12a | 300 @ 5a, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | BD237 | 1.0700 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD237 | 25 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 2 a | 100µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 100ma, 1a | 25 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
| but90 | - | | 2147 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | TO-204AA, TO-3 | but90 | 250 W. | TO-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 125 v | 50 a | - | NPN | 900mv @ 7a, 70a | - | - | |||||||||||||||||||||||
 | STGF30H65DFB2 | 1.2646 | | 1854 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STGF30 | 기준 | 50 W. | TO-220FP | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-STGF30H65DFB2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 30A, 6.8OHM, 15V | 115 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 50 a | 90 a | 2.1V @ 15V, 30A | 270µJ (on), 310µJ (OFF) | 90 NC | 18.4ns/71ns | |||||||||||||||||||
| STW17N62K3 | - | | 1725 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW17N | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 620 v | 15.5A (TC) | 10V | 380mohm @ 7.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 94 NC @ 10 v | ± 30V | 2500 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STL25N15F3 | 2.1600 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL25 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 25A (TC) | 10V | 57mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||
 | stu9n60m2 | 1.4700 | | 4743 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | stu9n60 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 5.5A (TC) | 10V | 780mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 25V | 320 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||
 | MD2001FX | 2.8100 | | 3923 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOWATT218FX | MD2001 | 58 W. | Isowatt-218fx | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 v | 12 a | 200µA | NPN | 1.8V @ 1.5A, 6A | 4.5 @ 6a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
 | STP110N7F6 | - | | 8780 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP110 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 68 v | 110A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 55a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 5850 pf @ 25 v | - | 176W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STD3N65M6 | 0.5123 | | 4844 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD3N65 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 3.5A (TC) | 0V, 10V | 1.5ohm @ 1.75a, 10V | 3.75V @ 250µA | 6 nc @ 10 v | ± 25V | 150 pf @ 100 v | - | 45W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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