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트랜지스터(3861)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 파워	입력	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	테스트 조건	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce
STW55NM50N	-	보상요청	9099	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	STW55N			MOSFET(금속)			TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-8462-5	EAR99	8541.29.0095	30		N채널						500V	54A(티씨)	10V	54m옴 @ 27A, 10V	4V @ 250μA	180nC @ 10V	±25V	5800pF @ 50V	-	350W(Tc)
STL18N60M6	1.3797	보상요청	3285	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M6	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	STL18			MOSFET(금속)			PowerFlat™(5x6) HV	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널						600V	9A(TC)	10V	308m옴 @ 6.5A, 10V	250μA에서 4.75V	16.8nC @ 10V	±25V	100V에서 650pF	-	57W(Tc)
STGP6NC60H	-	보상요청	3178	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STGP6	기준			56W		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50				390V, 3A, 10옴, 15V															21ns	-	600V	15A	21A	2.5V @ 15V, 3A	20μJ(켜짐), 68μJ(꺼짐)	13.6nC	12ns/76ns
STW25NM50N	-	보상요청	9852	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	STW25N			MOSFET(금속)			TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-4675-5	EAR99	8541.29.0095	30		N채널						500V	22A(TC)	10V	140m옴 @ 11A, 10V	4V @ 250μA	84nC @ 10V	±25V	2565pF @ 25V	-	160W(Tc)
STS2DPF80	-	보상요청	1894년	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	STS2D			MOSFET(금속)	2.5W		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 P채널(듀얼)							80V	2A		250m옴 @ 1A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V		739pF @ 25V	게임 레벨 레벨
STS4DNF30L	-	보상요청	6127	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	STS4D			MOSFET(금속)	2W		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(듀얼)							30V	4A		50m옴 @ 2A, 10V	1V @ 250μA	9nC @ 10V		330pF @ 25V	게임 레벨 레벨
STL6P3LLH6	1.1800	보상요청	3101	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ H6	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	STL6			MOSFET(금속)			파워플랫™(3.3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널						30V	6A(TC)	4.5V, 10V	30m옴 @ 3A, 10V	1V @ 250μA(최소)	12nC @ 4.5V	±20V	25V에서 1450pF	-	2.9W(Tc)
STH400N4F6-2	7.7700	보상요청	943	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STH400			MOSFET(금속)			H2Pak-2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						40V	180A(Tc)	10V	1.15m옴 @ 60A, 10V	250μA에서 4.5V	404nC @ 10V	±20V	20500pF @ 25V	-	300W(Tc)
STGD20N45LZAG	2.2500	보상요청	6460	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	STGD20	논리			125W		D-PAK (TO-252)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-17644-2	EAR99	8541.29.0095	2,500				300V, 10A, 1k옴, 5V																-	450V	25A	50A	1.25V @ 4V, 6A	-	26nC	1.1μs/4.6μs
A2P75S12M3	84.1400	보상요청	6221	ST마이크로일렉트로닉스	-	쟁반	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준	A2P75				454.5W	기준	에이스팩™ 2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-17744	EAR99	8541.29.0095	18	삼상인버터																			트렌치 필드스톱	1200V	75A		2.3V @ 15V, 75A					100μA	예	25V에서 4.7nF
RF5L052K0CB4	195.0000	보상요청	2756	ST마이크로일렉트로닉스	-	대부분	활동적인	110V		방역	D4E	RF5L052K0		500MHz	LDMOS			D4E	-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-RF5L052K0CB4			100	-		1μA		200mA	2000W	19.5dB											-										50V
STGP7H60DF	-	보상요청	5700	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STGP7	기준			88W		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50				400V, 7A, 47옴, 15V															136ns	트렌치 필드스톱	600V	14A	28A	1.95V @ 15V, 7A	99μJ(켜짐), 100μJ(꺼짐)	46nC	30ns/160ns
STB6NM60N	-	보상요청	1871년	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB6N			MOSFET(금속)			D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						600V	4.6A(Tc)	10V	920m옴 @ 2.3A, 10V	4V @ 250μA	13nC @ 10V	±25V	50V에서 420pF	-	45W(Tc)
STB6NK60Z-1	0.5533	보상요청	1309	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	튜브	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	STB6NK60			MOSFET(금속)			I2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-5955-5	EAR99	8541.29.0095	50		N채널						600V	6A(TC)	10V	1.2옴 @ 3A, 10V	100μA에서 4.5V	46nC @ 10V	±30V	25V에서 905pF	-	110W(Tc)
STDLED656	1.6500	보상요청	969	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	STDLE			MOSFET(금속)			DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						650V	6A(TC)	10V	1.3옴 @ 2.7A, 10V	50μA에서 4.5V	34nC @ 10V	±30V	100V에서 895pF	-	70W(Tc)
STGB19NC60HDT4	2.8400	보상요청	1	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STGB19	기준			130W		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-6026-2	EAR99	8541.29.0095	1,000				390V, 12A, 10옴, 15V															31ns	-	600V	40A	60A	2.5V @ 15V, 12A	85μJ(켜짐), 189μJ(꺼짐)	53nC	25ns/97ns
STD18N65M5	3.0700	보상요청	1	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ V	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	성병18			MOSFET(금속)			DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						650V	15A(Tc)	10V	220m옴 @ 7.5A, 10V	5V @ 250μA	31nC @ 10V	±25V	100V에서 1240pF	-	110W(Tc)
STP10N65K3	-	보상요청	4026	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STP10			MOSFET(금속)			TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						650V	10A(TC)	10V	1옴 @ 3.6A, 10V	100μA에서 4.5V	42nC @ 10V	±30V	25V에서 1180pF	-	150W(Tc)
STW20N95K5	7.8300	보상요청	4700	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬5™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	STW20			MOSFET(금속)			TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-12872-5	EAR99	8541.29.0095	30		N채널						950V	17.5A(Tc)	10V	330m옴 @ 9A, 10V	100μA에서 5V	40nC @ 10V	±30V	100V에서 1500pF	-	250W(Tc)
STFI7N80K5	2.8400	보상요청	1	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬5™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 풀팩, I²Pak	STFI7			MOSFET(금속)			I2PAKFP (TO-281)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						800V	6A(TC)	10V	1.2옴 @ 3A, 10V	100μA에서 5V	13.4nC @ 10V	±30V	100V에서 360pF	-	25W(Tc)
STGF20M65DF2	2.1200	보상요청	1	ST마이크로일렉트로닉스	중	튜브	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STGF20	기준			32.6W		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50				400V, 20A, 12옴, 15V															166ns	트렌치 필드스톱	650V	40A	80A	2V @ 15V, 20A	140μJ(켜짐), 560μJ(꺼짐)	63nC	26ns/108ns
STP33N65M2	4.1200	보상요청	23	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M2	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STP33			MOSFET(금속)			TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-15560-5	EAR99	8541.29.0095	50		N채널						650V	24A(TC)	10V	140m옴 @ 12A, 10V	4V @ 250μA	41.5nC @ 10V	±25V	100V에서 1790pF	-	190W(Tc)
STD2N105K5	2.1600	보상요청	16	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ K5	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	성병2N105			MOSFET(금속)			DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						1050V	1.5A(Tc)	10V	8옴 @ 750mA, 10V	100μA에서 5V	10nC @ 10V	±30V	100V에서 115pF	-	60W(Tc)
SCTH35N65G2V-7AG	18.5800	보상요청	8300	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA	SCTH35			SiCFET(탄화규소)			H2PAK-7	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						650V	45A(Tc)	18V, 20V	67m옴 @ 20A, 20V	3.2V @ 1mA	73nC @ 20V	+22V, -10V	400V에서 1370pF	-	208W(Tc)
STD38NH02L-1	-	보상요청	9552	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ III	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA	성병38			MOSFET(금속)			아이팩	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75		N채널						24V	38A(Tc)	5V, 10V	13.5m옴 @ 19A, 10V	2.5V @ 250μA	24nC @ 10V	±20V	25V에서 1070pF	-	40W(Tc)
PD57045S-E	-	보상요청	8636	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	65V			PowerSO-10옆형 하단 패드	PD57045		945MHz	LDMOS			PowerSO-10RF(직선 리드)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			5A		250mA	45W	14.5dB											-										28V
STGE200NB60S	34.6700	보상요청	1138	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	방역	SOT-227-4, 미니블록	STGE200				600W	기준	동위원소	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	10	하나의																			-	600V	200A		1.6V @ 15V, 100A					500μA	아니요	25V에서 1.56nF
STB7NK80ZT4	2.9600	보상요청	8351	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB7NK80			MOSFET(금속)			D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						800V	5.2A(Tc)	10V	1.8옴 @ 2.6A, 10V	100μA에서 4.5V	56nC @ 10V	±30V	25V에서 1138pF	-	125W(Tc)
STH240N10F7-2	4.4200	보상요청	7368	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STH240			MOSFET(금속)			H2Pak-2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						100V	180A(Tc)	10V	2.5m옴 @ 60A, 10V	250μA에서 4.5V	160nC @ 10V	±20V	11550pF @ 25V	-	300W(Tc)
STF18N65M2	2.7200	보상요청	759	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M2	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STF18			MOSFET(금속)			TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						650V	12A(TC)	10V	330m옴 @ 6A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±25V	770pF @ 100V	-	25W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²