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트랜지스터 (3861)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STN790A | 0.6900 |  | 380 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | STN790 | 1.6 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 v | 3 a | 10µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 100ma, 3a | 100 @ 500ma, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STD15N60M2-EP | 1.7200 | | 8535 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2-EP | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD15 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 378mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 25V | 590 pf @ 100 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | STS3P6F6 | - | | 6119 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS3P | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 3A (TJ) | 10V | 160mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 6.4 NC @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 48 v | - | 2.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | ULQ2004A | 0.9900 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ULQ2004 | - | 16-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 50V | 500ma | - | 7 npn 달링턴 | 1.7V @ 500µA, 350MA | 1000 @ 350MA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STW8N90K5 | 4.2600 | | 5209 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | stw8n90 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17085 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 8A (TC) | 10V | 5V @ 100µa | ± 30V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | STD840DN40 | - | | 9401 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | STD840 | 3W | 8-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 4a | 250µA | 2 NPN (() | 1V @ 400MA, 2A | 8 @ 2a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| std47n10f7ag | 1.7000 | | 3271 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD47 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 45A (TC) | 10V | 18mohm @ 22.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 10V | 1640 pf @ 50 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | stw50n65dm2ag | 8.3000 | | 1239 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | stw50 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16138-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 28A (TC) | 10V | 87mohm @ 19a, 10V | 5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 25V | 3200 pf @ 100 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BUV298AV | - | | 6440 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | Buv298 | 250 W. | 동위 동위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 450 v | 50 a | - | NPN | 1.2v @ 6.4a, 32a | 12 @ 32a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STW26N60M2 | 3.7700 | | 600 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW26 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 165mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 25V | 1360 pf @ 100 v | - | 169W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | SD56120 | - | | 3613 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 상자 | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | M246 | SD56120 | 860MHz | LDMOS | M246 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 14a | 400 MA | 100W | 16db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STW34N65M5 | 6.5300 | | 16 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW34 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 28A (TC) | 10V | 110mohm @ 14a, 10V | 5V @ 250µA | 62.5 nc @ 10 v | ± 25V | 2700 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | STWA75N60DM6 | 13.9900 | | 396 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM6 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STWA75 | MOSFET (금속 (() | TO-247 긴 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-18318 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 600 v | 72A (TC) | - | - | - | ± 25V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STGWA30H65DFB2 | 3.1300 | | 1188 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGWA30 | 기준 | 167 w | TO-247 긴 7 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STGWA30H65DFB2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 30A, 6.8OHM, 15V | 115 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 50 a | 90 a | 2.1V @ 15V, 30A | 270µJ (on), 310µJ (OFF) | 90 NC | 18.4ns/71ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | STB18NM80 | 4.7100 | | 2680 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB18 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-10117-1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 295mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 25V | 2070 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2stl1525 | - | | 4404 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2stl | 1.5 w | TO-92L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-10888 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500MV @ 40MA, 3.5A | 150 @ 500ma, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| stwa68n65dm6 | 8.1332 | | 7206 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STWA68 | MOSFET (금속 (() | TO-247 긴 7 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-STWA68N65DM6 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 650 v | 55A (TC) | 10V | 59mohm @ 24a, 10V | 4.75V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 25V | 3528 pf @ 100 v | - | 431W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | SCTWA10N120 | 10.9300 | | 500 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCTWA10 | sicfet ((카바이드) | HIP247 ™ 긴 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -1138-SCTWA10N120 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 12A (TC) | 20V | 6A, 6A, 20V | 3.5V @ 250µA (유형) | 21 NC @ 20 v | +25V, -10V | 300 pf @ 1000 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| STE40NK90ZD | - | | 1072 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Superfredmesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | STE40 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 900 v | 40A (TC) | 10V | 180mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 150µA | 826 NC @ 10 v | ± 30V | 25000 pf @ 25 v | - | 600W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | STF140N8F7 | - | | 4510 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF14 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-14227-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 64A (TC) | 10V | 4.3mohm @ 32a, 10V | 4.5V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 6340 pf @ 40 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | STP110N55F6 | 2.6700 | | 416 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP110 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | -497-13552-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 110A (TC) | 10V | 5.2MOHM @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 8350 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | STGB12NB60KDT4 | - | | 8321 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB12 | 기준 | 125 w | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V, 12a, 10ohm, 15V | 80 ns | - | 600 v | 30 a | 60 a | 2.8V @ 15V, 12a | 258µJ (OFF) | 54 NC | 25ns/96ns | |||||||||||||||||||||||||||
| bul810 | - | | 3532 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | bul810 | 125 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 450 v | 15 a | 250µA | NPN | 5V @ 2.4a, 12a | 10 @ 5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STD12N65M5 | - | | 6257 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD12 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 8.5A (TC) | 10V | 430mohm @ 4.3a, 10V | 5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 25V | 900 pf @ 100 v | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | ST13003DN | - | | 8535 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | ST13003 | 20 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 400 v | 1 a | 1MA | NPN | 1.2v @ 330ma, 1a | 6 @ 500ma, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB16NK65Z-S | - | | 6440 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STB16N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 13A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 89 NC @ 10 v | ± 30V | 2750 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| STT13005D | - | | 2847 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | STT13 | 45 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 2 a | 250µA | NPN | 1.5V @ 400MA, 1.6A | 10 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Bult118 | - | | 7948 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | Bult118 | 45 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 2 a | 250µA | NPN | 1.5V @ 400MA, 2A | 10 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| std45p4llf6ag | 1.7400 | | 8082 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD45 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15965-2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 65.5 nc @ 10 v | ± 18V | 3525 pf @ 25 v | - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | STD12NF06L-1 | 0.9000 | | 2933 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | STD12 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 5V, 10V | 100mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 10 nc @ 5 v | ± 16V | 350 pf @ 25 v | - | 42.8W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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