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트랜지스터 (3861)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STF10N105K5 | 3.7100 |  | 87 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF10 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1050 v | 6A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 3a, 10V | 5V @ 100µa | 21.5 nc @ 10 v | 30V | 545 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STD7N52DK3 | - | | 4976 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SuperFredmesh3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD7 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 525 v | 6A (TC) | 10V | 1.15ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 50µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 870 pf @ 50 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SD2933-03W | 130.6800 | | 3490 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 쟁반 | 활동적인 | M177 | SD2933 | - | - | M177 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STD78N75F4 | - | | 9318 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std78n | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 75 v | 78A (TC) | 10V | 11mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 5015 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STD70N6F3 | 1.3733 | | 8723 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD70 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 70A (TC) | 10V | 10.5mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | sts7n3llh6 | - | | 1757 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | - | STS7N3 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP18N60DM2 | 2.7100 | | 8937 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP18 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 295mohm @ 6a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 25V | 800 pf @ 100 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STB26NM60nd | - | | 8151 | 0.00000000 | stmicroelectronics | FDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB26N | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 175mohm @ 10.5a, 10V | 5V @ 250µA | 54.6 NC @ 10 v | ± 25V | 1817 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STD13N50DM2AG | 1.0103 | | 4858 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | - | STD13 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | 11A (TC) | - | - | - | ± 25V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB28NM50N | 6.7700 | | 6761 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB28 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 21A (TC) | 10V | 158mohm @ 10.5a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 25V | 1735 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STW55NM50N | - | | 9099 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW55N | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-8462-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 54A (TC) | 10V | 54mohm @ 27a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 25V | 5800 pf @ 50 v | - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | 37.5705 | | 2609 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | SCTWA70 | MOSFET (금속 (() | TO-247-4 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-SCTWA70N120G2V-4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 1200 v | 91A (TC) | 18V | 30mohm @ 50a, 18V | 4.9V @ 1mA | 150 nc @ 18 v | +22V, -10V | 3540 pf @ 800 v | - | 547W | ||||||||||||||||||||||||||||
| STB75NF75T4 | 3.7900 | | 4945 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB75 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 11mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STW70N65DM6 | 9.3640 | | 7154 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW70 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STW70N65DM6 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 68A (TC) | 10V | 40mohm @ 34a, 10V | 4.75V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 25V | 4900 pf @ 100 v | - | 450W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| STF5N80K5 | 1.9100 | | 995 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF5N80 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16962 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 4A (TA) | 10V | 1.75ohm @ 2a, 10V | 5V @ 100µa | 5 nc @ 10 v | ± 30V | 177 pf @ 100 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | STX112-AP | - | | 3900 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STX112 | 1.2 w | TO-92AP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 100 v | 2 a | 2MA | npn-달링턴 | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STD4LN80K5 | 1.7300 | | 7748 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD4LN80 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 3A (TC) | 10V | 2.6ohm @ 1a, 10V | 5V @ 100µa | 3.7 NC @ 10 v | ± 30V | 122 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STB21N65M5 | 5.3100 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB21 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 17A (TC) | 10V | 190mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 25V | 1950 pf @ 100 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STD10PF06T4 | - | | 2130 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD10 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 10A (TC) | 10V | 200mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 850 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STL45N60DM6 | 6.3400 | | 8376 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL45 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 497-19464-2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 110mohm @ 12.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 25V | 1920 pf @ 100 v | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| STB70NF03LT4 | - | | 8260 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB70 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 5V, 10V | 9.5mohm @ 35a, 10V | 1V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 18V | 1440 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STX13003G-AP | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STX13003 | 1.5 w | TO-92AP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 1 a | 1MA | NPN | 1.5v @ 500ma, 1.5a | 8 @ 500ma, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP95N2LH5 | - | | 2184 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ v | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP95 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-9093-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 25 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 40a, 40a, 10v 4.9mohm | 1V @ 250µA | 13.4 NC @ 5 v | ± 22V | 1817 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | stgwa30h60dfb | - | | 7393 | 0.00000000 | stmicroelectronics | HB | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGWA30 | 기준 | 260 W. | TO-247 긴 7 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 30A, 10ohm, 15V | 53 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 60 a | 120 a | 2V @ 15V, 30A | 383µJ (on), 293µJ (OFF) | 149 NC | 37ns/146ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| STB9NK50ZT4 | 1.5800 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB9 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 7.2A (TC) | 10V | 850mohm @ 3.6a, 10V | 4.5V @ 100µa | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 910 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STS5NF60L | 1.4500 | | 5424 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS5NF60 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 5A (TC) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 20V | 1250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STU7N80K5 | 2.4100 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | stu7n80 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13656-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 800 v | 6A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3a, 10V | 5V @ 100µa | 13.4 NC @ 10 v | ± 30V | 360 pf @ 100 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PD85035ST1-E | - | | 7735 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 40 v | - | PD85035 | 870MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | 8a | 350 MA | 15W | 17dB | - | 13.6 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB12NM60N-1 | - | | 8202 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STB12N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 410mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 30.5 nc @ 10 v | ± 25V | 960 pf @ 50 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STD10N60DM2 | 1.5800 | | 5450 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD10 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16924-2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 8A (TC) | 10V | 530mohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 25V | 529 pf @ 100 v | - | 109W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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