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트랜지스터 (3861)
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 | BUV298V | - | | 8530 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | Buv298 | 250 W. | 동위 동위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 450 v | 50 a | - | NPN | 1.2v @ 6.4a, 32a | 12 @ 32a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | stwa58n65dm2ag | - | | 4727 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STWA58 | MOSFET (금속 (() | TO-247 긴 7 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STWA58N65DM2AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 48A (TC) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| STI23NM60N | - | | 5880 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI23N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 25V | 2050 pf @ 50 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| STGE200NB60S | 34.6700 | | 1138 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | stge200 | 600 w | 기준 | 동위 동위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 600 v | 200a | 1.6V @ 15V, 100A | 500 µA | 아니요 | 1.56 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STL210N4F7 | 0.9653 | | 7838 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 스트립 스트립 f7 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL210 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-STL210N4F7 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 25 v | - | 150W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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