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트랜지스터 (3861)
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| STGW30N90D | - | | 1667 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGW30 | 기준 | 220 w | TO-247-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 900V, 20A, 10ohm, 15V | 152 ns | - | 900 v | 60 a | 135 a | 2.75V @ 15V, 20A | 1.66mj (on), 4.44mj (OFF) | 110 NC | 29ns/275ns | |||||||||||||||||||||||
| STGW15H120DF2 | 3.7400 | | 1294 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGW15 | 기준 | 259 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15a, 10ohm, 15V | 231 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 30 a | 60 a | 2.6V @ 15V, 15a | 380µJ (ON), 370µJ (OFF) | 67 NC | 23ns/111ns | |||||||||||||||||||||||
| STGP7H60DF | - | | 5700 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STGP7 | 기준 | 88 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 7A, 47ohm, 15V | 136 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 14 a | 28 a | 1.95V @ 15V, 7A | 99µJ (on), 100µJ (OFF) | 46 NC | 30ns/160ns | |||||||||||||||||||||||
| STGF30H60DF | 2.9200 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STGF30 | 기준 | 37 W. | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 30A, 10ohm, 15V | 110 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 60 a | 120 a | 2.4V @ 15V, 30A | 350µJ (on), 400µJ (OFF) | 105 NC | 50ns/160ns | |||||||||||||||||||||||
| STL22N65M5 | 3.2700 | | 7215 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL22 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 210mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 25V | 1345 pf @ 100 v | - | 2.8W (TA), 110W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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