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트랜지스터 (3861)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD901T | 1.8900 |  | 409 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD901 | 35 W. | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 350 v | 4 a | 100µA | npn-달링턴 | 2V @ 20MA, 2A | 1800 @ 2A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||
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 | stfi9n60m2 | - | | 7103 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | STFI9 | MOSFET (금속 (() | I2PAKFP (TO-281) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 5.5A (TC) | 10V | 780mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 25V | 320 pf @ 100 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||
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 | 전구 128-1 | 0.7000 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 전구 128 | 70 W. | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 v | 4 a | 250µA | NPN | 500mv @ 1a, 4a | 14 @ 2a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
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 | TIP42A | 1.1800 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 42 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 6 a | 700µA | PNP | 1.5V @ 600MA, 6A | 15 @ 3a, 4v | - | |||||||||||||||||||||||
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 | stl8dn6lf6ag | 1.6400 | | 18 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL8 | - | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 32A (TC) | 27mohm @ 9.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | - | |||||||||||||||||||||||||
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| STP24NM65N | - | | 5982 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP24N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 19A (TC) | 10V | 190mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 25V | 2500 pf @ 50 v | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||
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 | STL20NM20N | - | | 5510 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL20 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 20A (TC) | 10V | 10A @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 800 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||
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| STFI130N10F3 | 4.6400 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-262-3 2 팩 팩, i²pak | STFI130N | MOSFET (금속 (() | I2PAKFP (TO-281) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 46A (TC) | 10V | 9.6mohm @ 23a, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 3305 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||
| std96n3llh6 | 1.3200 | | 2983 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD96 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 5.5V, 10V | 40a, 40a, 10V 4.2mohm | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||
 | RF3L05150CB4 | 166.2300 | | 123 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 90 v | 섀시 섀시 | LBB | 1GHz | LDMOS | LBB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 1µA | 500 MA | 150W | 23db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||
| STP85NF55 | - | | 5609 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP85 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
| MMBT2907A | - | | 7364 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
| STD110N8F6 | 1.7400 | | 3151 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD110 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 80A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 40a, 10V | 4.5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 9130 pf @ 40 v | - | 167W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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