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트랜지스터 (3861)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW7N95K3 | 6.7000 |  | 600 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | stw7n95 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 950 v | 7.2A (TC) | 10V | 1.35ohm @ 3.6a, 10V | 5V @ 100µa | 34 NC @ 10 v | ± 30V | 1031 pf @ 100 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
| stw10nk80z | 5.2100 | | 9053 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW10 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 9A (TC) | 10V | 900mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 2180 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STS11NF30L | - | | 9778 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS11 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11A (TC) | 5V, 10V | 10.5mohm @ 5.5a, 10V | 1V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 18V | 1440 pf @ 25 v | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||||||
 | MJE3055T | 1.1400 | | 2152 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MJE3055 | 75 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 10 a | 700µA | NPN | 8V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4a, 4v | 2MHz | ||||||||||||||||||||||
 | l6221ad013tr | - | | 3712 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | L6221 | 1W | 20- 의자 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 50V | 1.8a | - | 4 npn 달링턴 (쿼드) | 1.6V @ 1.8a | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | SCTH35N65G2V-7 | 16.0100 | | 9574 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | SCTH35 | sicfet ((카바이드) | H2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-SCTH35N65G2V-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 45A (TC) | 18V, 20V | 67mohm @ 20a, 20V | 3.2v @ 1ma | 73 NC @ 20 v | +22V, -10V | 1370 pf @ 400 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||
 | stsj50nh3ll | - | | 9546 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | STSJ50 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 6a, 10V | 1V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 16V | 965 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STH290N4F6-6 | - | | 9144 | 0.00000000 | stmicroelectronics | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | STH290 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STI45N10F7 | 2.3900 | | 630 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI45N | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 45A (TC) | 10V | 18mohm @ 22.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1640 pf @ 50 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STT4P3LLH6 | 0.6100 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ H6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | STT4P3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 56mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 639 pf @ 25 v | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||
 | 2SD1047 | 4.7600 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SD1047 | 100 W. | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-11320-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 140 v | 12 a | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 700ma, 7a | 60 @ 1a, 5V | 20MHz | |||||||||||||||||||||
 | STP410N4F7AG | - | | 9072 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP410 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | - | - | - | - | 365W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | STP60NF06FP | 1.8100 | | 9624 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP60 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 16mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 1810 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||
| STP80N600K6 | 2.5400 | | 2046 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STP80N600K6 | 50 | n 채널 | 800 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 4V @ 100µa | 10.7 NC @ 10 v | ± 30V | 540 pf @ 400 v | - | 86W (TC) | |||||||||||||||||||
 | 2N4923 | - | | 2044 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | 2N49 | 30 w | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-3109-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 80 v | 1 a | 500µA | NPN | 600mv @ 100ma, 1a | 30 @ 500ma, 1V | 3MHz | |||||||||||||||||||||
| bul510 | 2.2300 | | 76 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | bul510 | 100 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 v | 10 a | 250µA | NPN | 1.5V @ 1.25a, 5a | 15 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| STW20N65M5 | - | | 5167 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | stw20n | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 18A (TC) | 10V | 190mohm @ 9a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 25V | 1345 pf @ 100 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STD724T4 | - | | 1043 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD724 | 15 w | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 30 v | 3 a | 100µA | NPN | 1.1v @ 150ma, 3a | 80 @ 1a, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
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| STP10NK70Z | 2.2500 | | 138 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 700 v | 8.6A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 2000 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
 | ST2310FX | - | | 2989 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOWATT218FX | ST2310 | 65 w | Isowatt-218fx | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 300 | 600 v | 12 a | 1MA | NPN | 3V @ 1.75A, 7A | 6.5 @ 7a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| STF21N90K5 | 8.0000 | | 200 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF21 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 18.5A (TC) | 10V | 299mohm @ 9a, 10V | 5V @ 100µa | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1645 pf @ 100 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||
| 팁 122 | 0.8200 | | 6018 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 122 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 5 a | 500µA | npn-달링턴 | 4V @ 20MA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||
 | STF26NM60N | 7.4000 | | 9430 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF26 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 165mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 50 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||
| std6n60m2 | 1.4800 | | 1687 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std6n60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.25a, 10V | 4V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 25V | 232 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STN851 | 0.9000 | | 1723 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | STN851 | 1.6 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 5 a | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 200ma, 5a | 150 @ 2a, 1V | 130MHz | ||||||||||||||||||||||
| 2N6036 | - | | 1879 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | 2N60 | 40 W. | SOT-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 100µA | pnp- 달링턴 | 3V @ 40MA, 4A | 750 @ 2a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||
 | STL21N65M5 | 6.7700 | | 5 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL21 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 17A (TC) | 10V | 179mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 25V | 1950 pf @ 100 v | - | 3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||
| STB35N60DM2 | 6.1700 | | 6936 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB35 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 28A (TC) | 10V | 110mohm @ 14a, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 25V | 2400 pf @ 100 v | - | 210W (TC) | ||||||||||||||||||
| STW30N80K5 | 8.4700 | | 6366 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW30 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 800 v | 24A (TC) | 10V | 180mohm @ 12a, 10V | 5V @ 100µa | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1530 pf @ 100 v | - | 250W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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