SIC
close

트랜지스터 (3861)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STFU13N80K5 STMicroelectronics STFU13N80K5 4.3000
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFU13 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17144 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 450mohm @ 6a, 10V 5V @ 100µa 29 NC @ 10 v ± 30V 870 pf @ 100 v - 35W (TC)
STS8DN6LF6AG STMicroelectronics sts8dn6lf6ag 1.7200
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS8DN6 MOSFET (금속 (() 3.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 8A (TA) 24mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 27NC @ 10V 1340pf @ 25V 논리 논리 게이트
STP03D200 STMicroelectronics STP03D200 9.5000
RFQ
 ECAD 5218 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP03 40 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-7022-5 귀 99 8541.29.0095 50 1200 v 100 MA 100µA npn-달링턴 2V @ 500µA, 50MA 200 @ 30ma, 10V -
STB20NM50T4 STMicroelectronics STB20NM50T4 5.6600
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB20 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 550 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 1480 pf @ 25 v - 192W (TC)
MJD31C STMicroelectronics MJD31C -
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD31 15 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v -
STD790AT4 STMicroelectronics STD790AT4 -
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD790 15 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 30 v 3 a 10µA (ICBO) PNP 700mv @ 100ma, 3a 100 @ 500ma, 2v 100MHz
BD711 STMicroelectronics BD711 -
RFQ
 ECAD 1577 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD711 75 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-6963-5 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 12 a 100ma NPN 1V @ 400MA, 4A 15 @ 4a, 4v 3MHz
STP2NK100Z STMicroelectronics STP2NK100Z 3.2500
RFQ
 ECAD 439 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP2NK100 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 1.85A (TC) 10V 8.5ohm @ 900ma, 10V 4.5V @ 50µA 16 nc @ 10 v ± 30V 499 pf @ 25 v - 70W (TC)
STB8N90K5 STMicroelectronics STB8N90K5 3.5600
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB8N90 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 8A (TC) 10V 800mohm @ 1.17a, 10V 5V @ 100µa ± 30V - 130W (TC)
3STL2540 STMicroelectronics 3stl2540 -
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn 3stl25 1.2 w Powerflat ™ (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 10,000 40 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 10ma, 1a 210 @ 2A, 2V 130MHz
STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2 3.2800
RFQ
 ECAD 9906 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1055 pf @ 100 v - 150W (TC)
STD46N6F7 STMicroelectronics STD46N6F7 -
RFQ
 ECAD 1954 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD46 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 14mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1065 pf @ 30 v - 60W (TC)
PD54003-E STMicroelectronics PD54003-E 8.0223
RFQ
 ECAD 3284 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 25 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD54003 500MHz LDMOS 10-Powerso 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 4a 50 MA 3W 12db - 7.5 v
STD10NM50N STMicroelectronics std10nm50n -
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD10 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 7A (TC) 10V 630mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 50 v - 70W (TC)
ST13007DFP STMicroelectronics ST13007DFP 1.4100
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 ST13007 36 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 8 a 100µA NPN 2V @ 2A, 8A 8 @ 5a, 5V -
STP50NF25 STMicroelectronics STP50NF25 2.8900
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP50 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 45A (TC) 10V 69mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 68.2 NC @ 10 v ± 20V 2670 pf @ 25 v - 160W (TC)
STB60NH02LT4 STMicroelectronics STB60NH02LT4 -
RFQ
 ECAD 2019 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB60N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 24 v 60A (TC) 5V, 10V 10.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 15 v - 70W (TC)
STD16N60M2 STMicroelectronics STD16N60M2 2.0000
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD16 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 25V 700 pf @ 100 v - 110W (TC)
STSA851-AP STMicroelectronics STSA851-AP -
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STSA851 1.1 w TO-92AP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 5 a 50NA (ICBO) NPN 450mv @ 200ma, 5a 150 @ 2a, 1V 130MHz
STF11NM65N STMicroelectronics STF11NM65N -
RFQ
 ECAD 6429 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF11 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 455mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 800 pf @ 50 v - 25W (TC)
STB11NM60N-1 STMicroelectronics STB11NM60N-1 -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB11N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 450mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 25V 850 pf @ 50 v - 90W (TC)
STL140N6F7 STMicroelectronics STL140N6F7 2.7900
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL140 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 145A (TC) 10V 2.5mohm @ 16a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 4.8W (TA), 125W (TC)
STW30NF20 STMicroelectronics STW30NF20 -
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 stw30n MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5989-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 30A (TC) 10V 75mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1597 pf @ 25 v - 125W (TC)
MJB44H11T4-A STMicroelectronics MJB44H11T4-A 1.3200
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MJB44 50 W. d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 10 a 10µA NPN 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v -
STD5NM60-1 STMicroelectronics STD5NM60-1 2.7500
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD5NM60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 400 pf @ 25 v - 96W (TC)
STF33N60M2 STMicroelectronics STF33N60M2 4.6400
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF33 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 125mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 45.5 nc @ 10 v ± 25V 1781 pf @ 100 v - 35W (TC)
STF40NF03L STMicroelectronics STF40NF03L -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF40N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 23A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 16V 770 pf @ 25 v - 25W (TC)
ST13003-K STMicroelectronics ST13003-K 0.8600
RFQ
 ECAD 882 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 ST13003 40 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 400 v 1.5 a 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 1.5a 5 @ 1a, 2v -
STX817A STMicroelectronics STX817A -
RFQ
 ECAD 4837 0.00000000 stmicroelectronics - 가방 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX817 900 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 80 v 1.5 a 1MA PNP 500mv @ 100ma, 1a 25 @ 1a, 2v 50MHz
STL72 STMicroelectronics STL72 -
RFQ
 ECAD 3375 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STL72 1 W. To-92 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 1 a 1MA NPN 500mv @ 80ma, 400ma 10 @ 400ma, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다