SIC
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트랜지스터 (3861)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
STP10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z 3.4600
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 25 v - 115W (TC)
2STW4466 STMicroelectronics 2stw4466 -
RFQ
 ECAD 1504 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 2stw 60 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 80 v 6 a 100NA (ICBO) NPN 1.5V @ 600MA, 6A 50 @ 2a, 4v 20MHz
STN878 STMicroelectronics STN878 0.7500
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA STN878 1.6 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 30 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 1.2v @ 500ma, 10a 100 @ 500ma, 1V -
STW13009 STMicroelectronics STW13009 -
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW130 125 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400 v 12 a - NPN 2.5V @ 3A, 12A 15 @ 5a, 5V -
STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 3.1000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 stmicroelectronics HB2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 stgwa20 기준 147 w TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STGWA20H65DFB2 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 215 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A 265µJ (on), 214µJ (OFF) 56 NC 16ns/78.8ns
STP11NM80 STMicroelectronics STP11NM80 6.3500
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP11 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4369-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 43.6 NC @ 10 v ± 30V 1630 pf @ 25 v - 150W (TC)
STH260N6F6-2 STMicroelectronics STH260N6F6-2 4.7200
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH260 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 180A (TC) 10V 2.4mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 183 NC @ 10 v ± 20V 11800 pf @ 25 v - 300W (TC)
SCT20N120AG STMicroelectronics SCT20N120AG 20.2800
RFQ
 ECAD 478 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT20 sicfet ((카바이드) HIP247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 20A (TC) 20V 239mohm @ 10a, 20V 3.5V @ 1mA 45 NC @ 20 v +25V, -10V 650 pf @ 400 v - 153W (TC)
STR2N2VH5 STMicroelectronics str2n2vh5 1.1300
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 str2n2 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.3A (TJ) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 4.6 NC @ 4.5 v ± 8V 367 pf @ 16 v - 350MW (TC)
STB11NM60T4 STMicroelectronics STB11NM60T4 4.4200
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB11 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 160W (TC)
TIP33C STMicroelectronics TIP33C -
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 팁 33 80 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 100 v 10 a 700µA NPN 4V @ 2.5A, 10A 20 @ 3a, 4v 3MHz
BD537 STMicroelectronics BD537 -
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD537 50 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 8 a 100µA NPN 800mv @ 600ma, 6a 15 @ 2a, 2v -
LET9180 STMicroelectronics Let9180 -
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 쓸모없는 80 v M246 Let9180 860MHz LDMOS M246 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 24A 500 MA 175W 20dB - 32 v
HD1530JL STMicroelectronics HD1530JL -
RFQ
 ECAD 5275 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA HD1530 200 w TO-264 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 700 v 26 a 200µA NPN 2.5V @ 3.25a, 13a 5 @ 13a, 5V -
STD8N80K5 STMicroelectronics STD8N80K5 2.6200
RFQ
 ECAD 1928 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD8N80 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 950mohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa 16.5 nc @ 10 v ± 30V 450 pf @ 100 v - 110W (TC)
STU95N4F3 STMicroelectronics STU95N4F3 -
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STU95 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
STD55NH2LLT4 STMicroelectronics STD55NH2LLT4 -
RFQ
 ECAD 1488 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD55N MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 24 v 40A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 16V 990 pf @ 25 v - 60W (TC)
STL260N4F7 STMicroelectronics STL260N4F7 2.8500
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL260 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STL260N4F7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.1mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 188W (TC)
SD1728 STMicroelectronics SD1728 -
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 stmicroelectronics - 상자 쓸모없는 200 ° C (TJ) 표면 표면 M177 SD1728 330W M177 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 15dB ~ 17dB 55V 40a NPN 23 @ 10a, 6V - -
BCY59IX STMicroelectronics bcy59ix -
RFQ
 ECAD 6038 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 bcy59 390 MW TO-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 200 MA 10NA NPN 700mv @ 2.5ma, 100ma 180 @ 2MA, 5V 200MHz
STU7NF25 STMicroelectronics stu7nf25 1.6000
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu7nf25 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 8A (TC) 10V 420mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 72W (TC)
STF18NM60ND STMicroelectronics STF18NM60nd -
RFQ
 ECAD 4677 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF18 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 25V 1030 pf @ 50 v - 30W (TC)
STB60NF06T4 STMicroelectronics STB60NF06T4 2.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB60 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 60A (TC) 10V 16mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1810 pf @ 25 v - 110W (TC)
STB10N60M2 STMicroelectronics STB10N60M2 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB10 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7.5A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 25V 400 pf @ 100 v - 85W (TC)
STLD128DNT4 STMicroelectronics STLD128DNT4 0.9400
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STLD128 20 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-8786-2 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 4 a 250µA NPN 1V @ 400MA, 2A 8 @ 2a, 5V -
STGB50H65FB2 STMicroelectronics STGB50H65FB2 1.3018
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB50 기준 272 W. d²pak (To-263) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STGB50H65FB2 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 50A, 4.7OHM, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 86 a 150 a 2V @ 15V, 50A 910µJ (on), 580µJ (OFF) 151 NC 28ns/115ns
STP28NM50N STMicroelectronics STP28NM50N 6.5300
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP28 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-10712-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 21A (TC) 10V 158mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 25V 1735 pf @ 25 v - 150W (TC)
STF16NF25 STMicroelectronics STF16NF25 2.3200
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF16 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 235mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 25W (TC)
STF13NM50N STMicroelectronics STF13NM50N -
RFQ
 ECAD 1077 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF13 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 25V 960 pf @ 50 v - 25W (TC)
PD57006TR-E STMicroelectronics PD57006TR-E -
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) PD57006 945MHz LDMOS PowerSO-10RF (형성) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 1A 70 MA 6W 15db - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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