전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD9N65M2 | 1.6300 | ![]() | 685 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std9 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 5A (TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 25V | 315 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
let16045C | - | ![]() | 6304 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 상자 | 쓸모없는 | 80 v | M243 | let16045 | 1.6GHz | LDMOS | M243 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 25 | 9a | 400 MA | 45W | 16db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
STP45N60DM6 | 7.9600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP45 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 30A (TC) | 10V | 99mohm @ 15a, 10V | 4.75V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 25V | 1920 pf @ 100 v | - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD55003S | - | ![]() | 5634 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 40 v | Powerso-10 0 바닥 패드 | PD55003 | 500MHz | LDMOS | 10-Powerso | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 2.5A | 50 MA | 3W | 17dB | - | 12.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGD6NC60HT4 | - | ![]() | 9549 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STGD6 | 기준 | 56 W. | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 390V, 3A, 10ohm, 15V | - | 600 v | 15 a | 21 a | 2.5V @ 15V, 3A | 20µJ (on), 68µJ (OFF) | 13.6 NC | 12ns/76ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | std9nm50n | 1.5200 | ![]() | 250 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std9 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 790mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 25V | 570 pf @ 50 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
STP100N8F6 | 1.6100 | ![]() | 41 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP100 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15553-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 10V | 9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 5955 pf @ 25 v | - | 176W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
STP20NE06L | - | ![]() | 7865 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | stp20n | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-2764-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 5V, 10V | 70mohm @ 10a, 10V | 1V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | stu5n60m2 | 1.4100 | ![]() | 831 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | stu5n60 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 3.7A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.85a, 10V | 4V @ 250µA | 4.5 nc @ 10 v | ± 25V | 165 pf @ 100 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB40N60M2 | 6.5000 | ![]() | 6217 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB40 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 88mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 25V | 2500 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB20NM50-1 | - | ![]() | 3848 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | stb20n | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 550 v | 20A (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 30V | 1480 pf @ 25 v | - | 192W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD70NS04ZL | 0.7894 | ![]() | 5255 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Safefet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD70 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 33 v | 70A (TC) | 5V, 10V | 10.5mohm @ 30a, 10V | 3V @ 1mA | 32 NC @ 5 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
STP80NF03L-04 | 3.7400 | ![]() | 140 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 40a, 40a, 10V 4.5mohm | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
STP210N75F6 | 4.4100 | ![]() | 46 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP210 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250µA | 171 NC @ 10 v | ± 20V | 11800 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
STH80N10F7-2 | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH80N | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 40a, 10V | 4.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 50 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
STP80NF70 | 2.3400 | ![]() | 991 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 68 v | 98A (TC) | 10V | 9.8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 2550 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD2931-15W | 70.7850 | ![]() | 6725 | 0.00000000 | stmicroelectronics | * | 대부분 | 활동적인 | SD2931 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF11NM65N | - | ![]() | 6429 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF11 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 455mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 25V | 800 pf @ 50 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | std25nf10la | 2.0800 | ![]() | 1870 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD25 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 12.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 52 NC @ 5 v | ± 16V | 1710 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL120N4LF6AG | - | ![]() | 6907 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL120 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 5V, 10V | 3.6mohm @ 13a, 10V | 3V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 4260 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
STP3NK80Z | 1.8700 | ![]() | 995 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP3NK80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4379-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 2.5A (TC) | 10V | 4.5ohm @ 1.25a, 10V | 4.5V @ 50µA | 19 NC @ 10 v | ± 30V | 485 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT011H75G3AG | - | ![]() | 4052 | 0.00000000 | stmicroelectronics | * | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | SCT011H | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stb11nm60fdt4 | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | stmicroelectronics | FDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB11 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 900 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
STP120NH03L | - | ![]() | 2346 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP120 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 5V, 10V | 5.5mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 4100 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
STP80NF10 | 3.7400 | ![]() | 9221 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 10V | 15mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 182 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB9NK60ZDT4 | - | ![]() | 7151 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Superfredmesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB9N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 950mohm @ 3.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 53 NC @ 10 v | ± 30V | 1110 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF40NF03L | - | ![]() | 3822 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF40N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 23A (TC) | 4.5V, 10V | 22MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 16V | 770 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL260N3LLH6 | - | ![]() | 1422 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ H6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL260 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 260A (TC) | 4.5V, 10V | 1.3mohm @ 22.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 61.5 nc @ 4.5 v | ± 20V | 6375 pf @ 25 v | - | 166W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF33N60M6 | 4.9500 | ![]() | 1243 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF33 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-18247 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 12.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 33.4 NC @ 10 v | ± 25V | 1515 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
BD438 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD438 | 36 w | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 45 v | 4 a | 100µA | PNP | 600mv @ 200ma, 2a | 30 @ 10ma, 5V | 3MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고