| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STF5N60M2 | 1.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF5N60 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 3.7A(Tc) | 10V | 1.4옴 @ 1.85A, 10V | 4V @ 250μA | 4.5nC @ 10V | ±25V | 100V에서 165pF | - | 20W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD10NF10T4 | 1.3600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병10 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 13A(티씨) | 10V | 130m옴 @ 5A, 10V | 4V @ 250μA | 21nC @ 10V | ±20V | 25V에서 460pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STP4N52K3 | 1.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP4N52 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 525V | 2.5A(Tc) | 10V | 2.6옴 @ 1.25A, 10V | 50μA에서 4.5V | 11nC @ 10V | ±30V | 100V에서 334pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF2L36075CF2 | 127.0500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 60V | 표면 실장 | 지하 2층 | 3.6GHz | LDMOS | 지하 2층 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-RF2L36075CF2TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 120 | 1μA | 600mA | 75W | 12.5dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP24N60DM2 | 3.5300 | ![]() | 125 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | FDmesh™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP24 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 18A(TC) | 10V | 200m옴 @ 9A, 10V | 5V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1055pF | - | 150W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB7ANM60N | 1.6100 | ![]() | 146 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB7 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 5A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250mA | 14nC @ 10V | ±25V | 50V에서 363pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STQ3N45K3-AP | - | ![]() | 1464 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 컷테이프(CT) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | STQ3 | MOSFET(금속) | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 450V | 600mA(Tc) | 10V | 3.8옴 @ 500mA, 10V | 50μA에서 4.5V | 6nC @ 10V | ±30V | 25V에서 150pF | - | 3W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD5NK40Z-1 | 1.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | STD5NK40 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 400V | 3A(TC) | 10V | 1.8옴 @ 1.5A, 10V | 50μA에서 4.5V | 17nC @ 10V | ±30V | 305pF @ 25V | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL15N65M5 | 2.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL15 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 650V | 10A(TC) | 10V | 375m옴 @ 5A, 10V | 5V @ 250μA | 22nC @ 10V | ±25V | 100V에서 816pF | - | 52W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD5N65M6 | 0.6486 | ![]() | 7192 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병5N65 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 650V | 4A(TC) | 0V, 10V | 1.3옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 3.75V | 5.1nC @ 10V | ±25V | 100V에서 170pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW55NM60ND | - | ![]() | 2159 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | FD메시™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW55N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-7036-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 51A(티씨) | 10V | 60m옴 @ 25.5A, 10V | 5V @ 250μA | 190nC @ 10V | ±25V | 5800pF @ 50V | - | 350W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| STP30N65M5 | 6.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP30 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 22A(TC) | 10V | 139m옴 @ 11A, 10V | 5V @ 250μA | 64nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2880pF | - | 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD55003 | - | ![]() | 6324 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 40V | PowerSO-10옆형 하단 패드 | PD55003 | 500MHz | LDMOS | 10-파워SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2.5A | 50mA | 3W | 17dB | - | 12.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP15N65M5 | 2.7800 | ![]() | 991 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP15 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-12936-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 11A(티씨) | 10V | 340m옴 @ 5.5A, 10V | 5V @ 250μA | 22nC @ 10V | ±25V | 100V에서 810pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN1NK60Z | 0.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | STN1NK60 | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 600V | 300mA(Tc) | 10V | 15옴 @ 400mA, 10V | 50μA에서 4.5V | 6.9nC @ 10V | ±30V | 25V에서 94pF | - | 3.3W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STY60NK30Z | 12.7300 | ![]() | 380 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STY60 | MOSFET(금속) | MAX247™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 300V | 60A(Tc) | 10V | 45m옴 @ 30A, 10V | 100μA에서 4.5V | 220nC @ 10V | ±30V | 25V에서 7200pF | - | 450W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD70NS04ZL | 0.7894 | ![]() | 5255 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | SAFeFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병70 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 33V | 70A(Tc) | 5V, 10V | 10.5m옴 @ 30A, 10V | 3V @ 1mA | 32nC @ 5V | ±20V | 25V에서 1800pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW52N60DM6 | 5.0695 | ![]() | 6613 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW52 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STW52N60DM6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N채널 | 600V | 45A(Tc) | 10V | 74m옴 @ 22.5A, 10V | 250μA에서 4.75V | 52nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2468pF | - | 357W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD30NF06T4 | 1.3800 | ![]() | 9436 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병30 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 28A(TC) | 10V | 28m옴 @ 15A, 10V | 4V @ 250μA | 58nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1750pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF18N60DM2 | 1.3850 | ![]() | 5257 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF18 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 13A(티씨) | 10V | 295m옴 @ 6A, 10V | 5V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±25V | 100V에서 800pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SD56120M | - | ![]() | 1415 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | M252 | SD56120 | 860MHz | LDMOS | M252 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 14A | 400mA | 120W | 16dB | - | 32V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA40N120KD | - | ![]() | 9704 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGWA40 | 기준 | 240W | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V, 30A, 10옴, 15V | 84ns | - | 1200V | 80A | 120A | 3.85V @ 15V, 30A | 3.7mJ(켜짐), 5.7mJ(꺼짐) | 126nC | 48ns/338ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI100N10F7 | - | ![]() | 8135 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | STI100 | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | - | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 80A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 40A, 10V | 250μA에서 4.5V | 61nC @ 10V | ±20V | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB60NF10T4 | - | ![]() | 7224 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB60N | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 80A(Tc) | 10V | 23m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 104nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4270pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW62N65M5 | 14.4700 | ![]() | 4549 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ V | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW62 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 46A(Tc) | 10V | 49m옴 @ 23A, 10V | 5V @ 250μA | 142nC @ 10V | ±25V | 100V에서 6420pF | - | 330W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP8NC60K | - | ![]() | 8364 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STGP8 | 기준 | 65W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 3A, 10옴, 15V | - | 600V | 15A | 30A | 2.75V @ 15V, 3A | 55μJ(켜짐), 85μJ(꺼짐) | 19nC | 17ns/72ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD6N65M2 | 1.4100 | ![]() | 3793 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병6N65 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 650V | 4A(TC) | 10V | 1.35옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 9.8nC @ 10V | ±25V | 100V에서 226pF | - | 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGE50NC60VD | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | SOT-227-4, 미니블록 | STGE50 | 260W | 기준 | 동위원소 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 600V | 90A | 2.5V @ 15V, 40A | 150μA | 아니요 | 25V에서 4.55nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB60NF06T4 | 2.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB60 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 60V | 60A(Tc) | 10V | 16m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 66nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1810pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STX817A | - | ![]() | 4837 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | STX817 | 900mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 80V | 1.5A | 1mA | PNP | 500mV @ 100mA, 1A | 25 @ 1A, 2V | 50MHz |

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