전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ste26NA90 | - | ![]() | 3660 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | Ste26 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-3168-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 26A (TC) | 10V | 300mohm @ 13a, 10V | 3.75v @ 1ma | 660 nc @ 10 v | ± 30V | 1770 pf @ 25 v | - | 450W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF5L15030CB2 | 54.4500 | ![]() | 5253 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | GXB | RF5L15030 | 1.5GHz | LDMOS | GXB | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L15030CB2 | 180 | - | 1µA | 200 MA | 30W | 23.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sta1962 | - | ![]() | 7318 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 2sta | 150 W. | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 30 | 230 v | 15 a | 5µA (ICBO) | PNP | 3V @ 800ma, 8a | 80 @ 1a, 5V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB30N80K5 | 7.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 24A (TC) | 10V | 180mohm @ 12a, 10V | 5V @ 100µa | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1530 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF57N65M5 | 11.1200 | ![]() | 5157 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF57 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 42A (TC) | 10V | 63mohm @ 21a, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 25V | 4200 pf @ 100 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
BD678 | 1.0600 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD678 | 40 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 4 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 30MA, 1.5A | 750 @ 1.5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS3DNE60L | - | ![]() | 3030 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS3D | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 3A | 80mohm @ 1.5a, 10V | 1V @ 250µA | 13.5NC @ 4.5V | 815pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||
STH52N10LF3-2AG | - | ![]() | 9734 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH52 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 52A (TC) | 5V, 10V | 20mohm @ 26a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18.5 nc @ 5 v | ± 20V | 1900 pf @ 400 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF5L051K5CB4 | 187.5000 | ![]() | 8349 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | D4E | RF5L051K5 | 500MHz | LDMOS | D4E | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L051K5CB4 | 100 | - | 1µA | 200 MA | 1500W | 22db | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF6N65M2 | 1.6900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF6 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 4A (TC) | 10V | 1.35ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 9.8 nc @ 10 v | ± 25V | 226 pf @ 100 v | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF2N95K5 | 1.6800 | ![]() | 727 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF2N95 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 950 v | 2A (TC) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 5V @ 100µa | 10 nc @ 10 v | 30V | 105 pf @ 100 v | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB70NFS03LT4 | - | ![]() | 6147 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB70N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1026-STB70NFS03LT4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 5V, 10V | 9.5mohm @ 35a, 10V | 1V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 18V | 1440 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
STL19N65M5 | 2.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL19 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 2.3A (TA), 12.5A (TC) | 10V | 240mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 25V | 1240 pf @ 100 v | - | 2.8W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB24N60M6 | 3.0700 | ![]() | 7172 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB24 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 190mohm @ 8.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 25V | 960 pf @ 100 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stl4p3llh6 | 0.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ H6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerwdfn | STL4P3 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15510-2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 56mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 639 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA75M65DF2 | 7.2800 | ![]() | 82 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 중 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGWA75 | 기준 | 468 w | TO-247 긴 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16975 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 3.3OHM, 15V | 165 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 120 a | 225 a | 2.1V @ 15V, 75A | 690µJ (on), 2.54mj (OFF) | 225 NC | 47ns/125ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STE250NS10 | - | ![]() | 8645 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | Ste250 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 100 v | 220A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 125a, 10V | 4V @ 250µA | 900 NC @ 10 v | ± 20V | 31000 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | std7nm60n | 2.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD7NM60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 5A (TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 25V | 363 pf @ 50 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
bult3p3 | - | ![]() | 1996 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | bult3 | 32 W. | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 200 v | 3 a | 100µA | PNP | 500mv @ 200ma, 1a | 10 @ 10ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN1NF10 | 0.7600 | ![]() | 156 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | stn1n | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-14747-6 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 1A (TC) | 10V | 800mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 105 pf @ 25 v | - | 2.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL160N4F7 | 1.5700 | ![]() | 7628 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL160 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 2300 pf @ 25 v | - | 111W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB18NM60N | - | ![]() | 3908 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB18N | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 285mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 25V | 1000 pf @ 50 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
STP12N120K5 | 11.3400 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP12 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1200 v | 12A (TC) | 10V | 6A, 6A, 10V | 5V @ 100µa | 44.2 NC @ 10 v | ± 30V | 1370 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW19NM65N | - | ![]() | 4369 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW19N | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 15.5A (TC) | 10V | 270mohm @ 7.75a, 10V | 4V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 25V | 1900 pf @ 50 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
STP21N90K5 | 6.6600 | ![]() | 8586 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP21 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-12864-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 18.5A (TC) | 10V | 299mohm @ 9a, 10V | 5V @ 100µa | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1645 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
STP120NF04 | - | ![]() | 4391 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP120 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 5mohm @ 50a, 10V | 4.5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 5100 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD11N60M2-EP | - | ![]() | 8305 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2-EP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD11 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 7.5A (TC) | 10V | 595mohm @ 3.75a, 10V | 4.75V @ 250µA | 12.4 NC @ 10 v | ± 25V | 390 pf @ 100 v | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
STP85NF55 | - | ![]() | 5609 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP85 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stgf8nc60kd | 1.4800 | ![]() | 49 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STGF8 | 기준 | 24 w | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 3A, 10ohm, 15V | 23.5 ns | - | 600 v | 7 a | 30 a | 2.75V @ 15V, 3A | 55µJ (on), 85µJ (OFF) | 19 NC | 17ns/72ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD2N95K5 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD2N95 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 950 v | 2A (TC) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 5V @ 100µa | 10 nc @ 10 v | 30V | 105 pf @ 100 v | - | 45W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고