SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STE26NA90 STMicroelectronics Ste26NA90 -
RFQ
ECAD 3660 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 Ste26 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-3168-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 26A (TC) 10V 300mohm @ 13a, 10V 3.75v @ 1ma 660 nc @ 10 v ± 30V 1770 pf @ 25 v - 450W (TC)
RF5L15030CB2 STMicroelectronics RF5L15030CB2 54.4500
RFQ
ECAD 5253 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 110 v 섀시 섀시 GXB RF5L15030 1.5GHz LDMOS GXB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-RF5L15030CB2 180 - 1µA 200 MA 30W 23.5dB - 50 v
2STA1962 STMicroelectronics 2sta1962 -
RFQ
ECAD 7318 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2sta 150 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 30 230 v 15 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
STB30N80K5 STMicroelectronics STB30N80K5 7.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 24A (TC) 10V 180mohm @ 12a, 10V 5V @ 100µa 43 NC @ 10 v ± 30V 1530 pf @ 100 v - 250W (TC)
STF57N65M5 STMicroelectronics STF57N65M5 11.1200
RFQ
ECAD 5157 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF57 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 42A (TC) 10V 63mohm @ 21a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 25V 4200 pf @ 100 v - 40W (TC)
BD678 STMicroelectronics BD678 1.0600
RFQ
ECAD 1032 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD678 40 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 4 a 500µA pnp- 달링턴 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5a, 3v -
STS3DNE60L STMicroelectronics STS3DNE60L -
RFQ
ECAD 3030 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS3D MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 3A 80mohm @ 1.5a, 10V 1V @ 250µA 13.5NC @ 4.5V 815pf @ 25v 논리 논리 게이트
STH52N10LF3-2AG STMicroelectronics STH52N10LF3-2AG -
RFQ
ECAD 9734 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH52 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 52A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 26a, 10V 2.5V @ 250µA 18.5 nc @ 5 v ± 20V 1900 pf @ 400 v - 110W (TC)
RF5L051K5CB4 STMicroelectronics RF5L051K5CB4 187.5000
RFQ
ECAD 8349 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 110 v 섀시 섀시 D4E RF5L051K5 500MHz LDMOS D4E - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-RF5L051K5CB4 100 - 1µA 200 MA 1500W 22db - 50 v
STF6N65M2 STMicroelectronics STF6N65M2 1.6900
RFQ
ECAD 300 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF6 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 25V 226 pf @ 100 v - 20W (TC)
STF2N95K5 STMicroelectronics STF2N95K5 1.6800
RFQ
ECAD 727 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF2N95 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 2A (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 10 nc @ 10 v 30V 105 pf @ 100 v - 20W (TC)
STB70NFS03LT4 STMicroelectronics STB70NFS03LT4 -
RFQ
ECAD 6147 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB70N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1026-STB70NFS03LT4 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 70A (TC) 5V, 10V 9.5mohm @ 35a, 10V 1V @ 250µA 30 nc @ 5 v ± 18V 1440 pf @ 25 v - 100W (TC)
STL19N65M5 STMicroelectronics STL19N65M5 2.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL19 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 2.3A (TA), 12.5A (TC) 10V 240mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 25V 1240 pf @ 100 v - 2.8W (TA), 90W (TC)
STB24N60M6 STMicroelectronics STB24N60M6 3.0700
RFQ
ECAD 7172 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB24 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10V 4.75V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 25V 960 pf @ 100 v - 130W (TC)
STL4P3LLH6 STMicroelectronics stl4p3llh6 0.6200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ H6 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerwdfn STL4P3 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15510-2 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 56mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 20V 639 pf @ 25 v - 2.4W (TA)
STGWA75M65DF2 STMicroelectronics STGWA75M65DF2 7.2800
RFQ
ECAD 82 0.00000000 stmicroelectronics 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA75 기준 468 w TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16975 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 3.3OHM, 15V 165 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 120 a 225 a 2.1V @ 15V, 75A 690µJ (on), 2.54mj (OFF) 225 NC 47ns/125ns
STE250NS10 STMicroelectronics STE250NS10 -
RFQ
ECAD 8645 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 Ste250 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 100 v 220A (TC) 10V 5.5mohm @ 125a, 10V 4V @ 250µA 900 NC @ 10 v ± 20V 31000 pf @ 25 v - 500W (TC)
STD7NM60N STMicroelectronics std7nm60n 2.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD7NM60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 25V 363 pf @ 50 v - 45W (TC)
BULT3P3 STMicroelectronics bult3p3 -
RFQ
ECAD 1996 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 bult3 32 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 200 v 3 a 100µA PNP 500mv @ 200ma, 1a 10 @ 10ma, 5V -
STN1NF10 STMicroelectronics STN1NF10 0.7600
RFQ
ECAD 156 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA stn1n MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-14747-6 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 1A (TC) 10V 800mohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 105 pf @ 25 v - 2.5W (TC)
STL160N4F7 STMicroelectronics STL160N4F7 1.5700
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL160 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.5mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 25 v - 111W (TC)
STB18NM60N STMicroelectronics STB18NM60N -
RFQ
ECAD 3908 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB18N MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 285mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 25V 1000 pf @ 50 v - 110W (TC)
STP12N120K5 STMicroelectronics STP12N120K5 11.3400
RFQ
ECAD 7545 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP12 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1200 v 12A (TC) 10V 6A, 6A, 10V 5V @ 100µa 44.2 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 100 v - 250W (TC)
STW19NM65N STMicroelectronics STW19NM65N -
RFQ
ECAD 4369 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW19N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 15.5A (TC) 10V 270mohm @ 7.75a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 25V 1900 pf @ 50 v - 150W (TC)
STP21N90K5 STMicroelectronics STP21N90K5 6.6600
RFQ
ECAD 8586 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP21 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-12864-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 18.5A (TC) 10V 299mohm @ 9a, 10V 5V @ 100µa 43 NC @ 10 v ± 30V 1645 pf @ 100 v - 250W (TC)
STP120NF04 STMicroelectronics STP120NF04 -
RFQ
ECAD 4391 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP120 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 5mohm @ 50a, 10V 4.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 300W (TC)
STD11N60M2-EP STMicroelectronics STD11N60M2-EP -
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD11 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7.5A (TC) 10V 595mohm @ 3.75a, 10V 4.75V @ 250µA 12.4 NC @ 10 v ± 25V 390 pf @ 100 v - 85W (TC)
STP85NF55 STMicroelectronics STP85NF55 -
RFQ
ECAD 5609 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP85 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 300W (TC)
STGF8NC60KD STMicroelectronics stgf8nc60kd 1.4800
RFQ
ECAD 49 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STGF8 기준 24 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 390V, 3A, 10ohm, 15V 23.5 ns - 600 v 7 a 30 a 2.75V @ 15V, 3A 55µJ (on), 85µJ (OFF) 19 NC 17ns/72ns
STD2N95K5 STMicroelectronics STD2N95K5 1.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD2N95 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 950 v 2A (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 10 nc @ 10 v 30V 105 pf @ 100 v - 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고