| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SD57045-01 | 67.1550 | ![]() | 5906 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 상자 | 활동적인 | 65V | M250 | SD57045 | 945MHz | LDMOS | M250 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 5A | 250mA | 45W | 15dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP60N043DM9 | 6.8111 | ![]() | 1060 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP60N | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STP60N043DM9 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 56A(티씨) | 10V | 43m옴 @ 28A, 10V | 250μA에서 4.5V | 78.6nC @ 10V | ±30V | 400V에서 4675pF | - | 245W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS11NF30L | - | ![]() | 9778 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS11 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 11A(티씨) | 5V, 10V | 10.5m옴 @ 5.5A, 10V | 1V @ 250μA | 30nC @ 5V | ±18V | 25V에서 1440pF | - | 2.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW10N95K5 | 4.4900 | ![]() | 2095 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬5™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW10 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 950V | 8A(TC) | 10V | 800m옴 @ 4A, 10V | 100μA에서 5V | 22nC @ 10V | ±30V | 100V에서 630pF | - | 130W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB20M65DF2 | 2.3800 | ![]() | 530 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 중 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB20 | 기준 | 166W | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 20A, 12옴, 15V | 166ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 40A | 80A | 2V @ 15V, 20A | 140μJ(켜짐), 560μJ(꺼짐) | 63nC | 26ns/108ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB36NM60N | 6.8900 | ![]() | 7203 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB36 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 29A(TC) | 10V | 105m옴 @ 14.5A, 10V | 4V @ 250μA | 83.6nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2722pF | - | 210W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| D44H11 | 1.1600 | ![]() | 6179 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | D44H11 | 50W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80V | 10A | 10μA | NPN | 1V @ 400mA, 8A | 40 @ 4A, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGD5NB120SZT4 | 2.1900 | ![]() | 2965 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STGD5 | 기준 | 75W | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 960V, 5A, 1k옴, 15V | - | 1200V | 10A | 10A | 2V @ 15V, 5A | 2.59mJ(켜짐), 9mJ(꺼짐) | 690ns/12.1μs | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW100H65FB2-4 | 8.8500 | ![]() | 68 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | HB2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-4 | STGW100 | 기준 | 441W | TO-247-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STGW100H65FB2-4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 100A, 3.3옴, 15V | 트렌치 필드스톱 | 650V | 145A | 300A | 1.8V @ 15V, 100A | 1.06mJ(켜짐), 1.14mJ(꺼짐) | 288nC | 23ns/141ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS8DN6LF6AG | 1.7200 | ![]() | 3261 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ F6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS8DN6 | MOSFET(금속) | 3.2W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 8A(타) | 24m옴 @ 4A, 10V | 2.5V @ 250μA | 27nC @ 10V | 1340pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP265N6F6AG | - | ![]() | 3027 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ F6 | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP265 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-15558-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 180A(Tc) | 10V | 2.85m옴 @ 60A, 10V | 4V @ 250μA | 183nC @ 10V | ±20V | 11800pF @ 25V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB30N65DM6AG | 6.5700 | ![]() | 9614 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STB30N65DM6AGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 650V | 28A(TC) | 10V | 115m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 4.75V | 46nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2000pF | - | 223W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2ST5949 | - | ![]() | 8456 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 방역 | TO-204AA, TO-3 | 2ST59 | 250W | TO-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-6953 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 250V | 17A | 5μA(ICBO) | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 80 @ 1A, 5V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP105N3LL | 1.5200 | ![]() | 830 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VI | 튜브 | 활동적인 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP105 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 40A, 10V | 2.5V @ 250μA | 42nC @ 4.5V | ±20V | 3100pF @ 25V | - | 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW37N60DM2AG | 6.8000 | ![]() | 8690 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW37 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 28A(TC) | 10V | 110m옴 @ 14A, 10V | 5V @ 250μA | 54nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2400pF | - | 210W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF23NM60N | - | ![]() | 5863 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF23 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 19A(TC) | 10V | 180m옴 @ 9.5A, 10V | 4V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±25V | 2050pF @ 50V | - | 35W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWT80H65DFB | 5.1703 | ![]() | 9575 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | STGWT80 | 기준 | 469W | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 80A, 10옴, 15V | 85ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 120A | 240A | 2V @ 15V, 80A | 2.1mJ(켜짐), 1.5mJ(꺼짐) | 414nC | 84ns/280ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGD6M65DF2 | 1.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 중 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | STGD6 | 기준 | 88W | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 6A, 22옴, 15V | 140ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 12A | 24A | 2V @ 15V, 6A | 36μJ(켜짐), 200μJ(꺼짐) | 21.2nC | 15ns/90ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF830 | - | ![]() | 9790 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF8 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 4.5A(Tc) | 10V | 1.5옴 @ 2.7A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±20V | 25V에서 610pF | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF18NM60N | 2.9100 | ![]() | 977 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF18 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 13A(티씨) | 10V | 285m옴 @ 6.5A, 10V | 4V @ 250μA | 35nC @ 10V | ±25V | 50V에서 1000pF | - | 30W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STL25N60M2-EP | 4.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2-EP | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL25 | MOSFET(금속) | PowerFlat™(8x8) HV | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 16A(티씨) | 10V | 205m옴 @ 8A, 10V | 250μA에서 4.75V | 29nC @ 10V | ±25V | 1090pF @ 100V | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL33N60M2 | 4.7300 | ![]() | 502 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II 플러스 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL33 | MOSFET(금속) | PowerFlat™(8x8) HV | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 22A(TC) | 10V | 135m옴 @ 10.75A, 10V | 4V @ 250μA | 47nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1700pF | - | 190W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB18N55M5 | - | ![]() | 8003 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB18N | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 550V | 16A(티씨) | 10V | 192m옴 @ 8A, 10V | 5V @ 250μA | 31nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1260pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1P35S12M3-F | 53.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | A1P35 | 250W | 기준 | 에이스팩™ 1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 36 | 삼상인버터 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 35A | 2.45V @ 15V, 35A | 100μA | 예 | 2.154nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUL310FP | - | ![]() | 8934 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | BUL310 | 36W | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-12149 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 500V | 5A | 250μA | NPN | 1.1V @ 600mA, 3A | 6 @ 3A, 2.5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB23NM60ND | - | ![]() | 5502 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | FD메시™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB23N | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-8472-2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 19.5A(Tc) | 10V | 180m옴 @ 10A, 10V | 5V @ 250μA | 70nC @ 10V | ±25V | 2050pF @ 50V | - | 150W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BD677 | 0.5400 | ![]() | 2750 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | BD677 | 40W | SOT-32-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-5714 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60V | 4A | 500μA | NPN-달링턴 | 2.5V @ 30mA, 1.5A | 750 @ 1.5A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD9NM60N | 2.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병9 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 6.5A(Tc) | 10V | 745m옴 @ 3.25A, 10V | 4V @ 250μA | 17.4nC @ 10V | ±25V | 50V에서 452pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB15H60DF | 2.5900 | ![]() | 390 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB15 | 기준 | 115W | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 15A, 10옴, 15V | 103ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 30A | 60A | 2V @ 15V, 15A | 136μJ(켜짐), 207μJ(꺼짐) | 81nC | 24.5ns/118ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW50N65DM6 | 9.2200 | ![]() | 8855 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ DM6 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW50 | MOSFET(금속) | TO-247 긴 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STW50N65DM6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 33A(티씨) | 10V | 91m옴 @ 16.5A, 10V | 250μA에서 4.75V | 52.5nC @ 10V | ±25V | 100V에서 52500pF | - | 250W(Tc) |

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