SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STD127DT4 STMicroelectronics STD127DT4 -
RFQ
ECAD 6058 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD12 35 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 4 a 250µA NPN 1.3v @ 1a, 4a 10 @ 1a, 5V -
STFI20NK50Z STMicroelectronics stfi20nk50z 3.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak stfi20n MOSFET (금속 (() I2PAKFP (TO-281) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 270mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 100µa 119 NC @ 10 v ± 30V 2600 pf @ 25 v - 40W (TC)
STF4N90K5 STMicroelectronics STF4N90K5 2.1200
RFQ
ECAD 922 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STF4N90 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17071 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 4A (TC) 10V 2.1ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 5.3 NC @ 10 v ± 30V 173 pf @ 100 v - 20W (TC)
SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 35.0600
RFQ
ECAD 87 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCTH90 sicfet ((카바이드) H2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 90A (TC) 18V 26mohm @ 50a, 18V 5V @ 1MA 157 NC @ 18 v +22V, -10V 3300 pf @ 400 v - 330W (TC)
STD9NM50N-1 STMicroelectronics STD9NM50N-1 -
RFQ
ECAD 1448 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA std9 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 560mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 25V 570 pf @ 50 v - 70W (TC)
IRF830 STMicroelectronics IRF830 -
RFQ
ECAD 9790 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF8 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 100W (TC)
STGWT60H60DLFB STMicroelectronics STGWT60H60DLFB -
RFQ
ECAD 6845 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 STGWT60 기준 375 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 5ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 240 a 2V @ 15V, 60A 626µJ (OFF) 306 NC -/160ns
SD2903 STMicroelectronics SD2903 -
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 stmicroelectronics - 상자 쓸모없는 65 v M229 SD2903 400MHz MOSFET M229 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 5a 100 MA 30W 15db - 28 v
STAC3932B STMicroelectronics STAC3932B 117.9750
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 활동적인 250 v STAC244B STAC3932 123MHz MOSFET STAC244B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 20A 250 MA 580W - - 100 v
STGP10NC60HD STMicroelectronics stgp10nc60hd 1.7400
RFQ
ECAD 6488 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP10 기준 65 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5118-5 귀 99 8541.29.0095 50 390V, 5A, 10ohm, 15V 22 ns - 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V, 5A 31.8µJ (on), 95µJ (OFF) 19.2 NC 14.2ns/72ns
STD85N10F7AG STMicroelectronics std85n10f7ag 2.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD85 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 70A (TC) 10V 10MOHM @ 40A, 10V 4.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 50 v - 85W (TC)
BUL416T STMicroelectronics bul416t -
RFQ
ECAD 1943 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 bul416 110 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-10558-5 귀 99 8541.29.0095 50 800 v 6 a 250µA NPN 1.5V @ 1.33a, 4a 18 @ 700ma, 5V -
STP80NF55-08 STMicroelectronics STP80NF55-08 3.0200
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 3850 pf @ 25 v - 300W (TC)
STL100N6LF6 STMicroelectronics STL100N6LF6 3.4300
RFQ
ECAD 825 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL100 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 8900 pf @ 25 v - 4.8W (TC)
STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 1.8000
RFQ
ECAD 888 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB10 기준 65 w D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 390V, 5A, 10ohm, 15V 22 ns - 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V, 5A 31.8µJ (on), 95µJ (OFF) 19.2 NC 14.2ns/72ns
STD2N62K3 STMicroelectronics STD2N62K3 1.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD2N62 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 620 v 2.2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 50µA 15 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 50 v - 45W (TC)
STH275N8F7-6AG STMicroelectronics STH275N8F7-6AG 6.8300
RFQ
ECAD 8406 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) STH275 MOSFET (금속 (() H2PAK-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15474-2 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 180A (TC) 10V 2.1MOHM @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 193 NC @ 10 v ± 20V 13600 pf @ 50 v - 315W (TC)
STE26NA90 STMicroelectronics Ste26NA90 -
RFQ
ECAD 3660 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 Ste26 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-3168-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 26A (TC) 10V 300mohm @ 13a, 10V 3.75v @ 1ma 660 nc @ 10 v ± 30V 1770 pf @ 25 v - 450W (TC)
RF5L15030CB2 STMicroelectronics RF5L15030CB2 54.4500
RFQ
ECAD 5253 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 110 v 섀시 섀시 GXB RF5L15030 1.5GHz LDMOS GXB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-RF5L15030CB2 180 - 1µA 200 MA 30W 23.5dB - 50 v
2STA1962 STMicroelectronics 2sta1962 -
RFQ
ECAD 7318 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2sta 150 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 30 230 v 15 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
STB30N80K5 STMicroelectronics STB30N80K5 7.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 24A (TC) 10V 180mohm @ 12a, 10V 5V @ 100µa 43 NC @ 10 v ± 30V 1530 pf @ 100 v - 250W (TC)
BD678 STMicroelectronics BD678 1.0600
RFQ
ECAD 1032 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD678 40 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 4 a 500µA pnp- 달링턴 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5a, 3v -
STS3DNE60L STMicroelectronics STS3DNE60L -
RFQ
ECAD 3030 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS3D MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 3A 80mohm @ 1.5a, 10V 1V @ 250µA 13.5NC @ 4.5V 815pf @ 25v 논리 논리 게이트
RF5L051K5CB4 STMicroelectronics RF5L051K5CB4 187.5000
RFQ
ECAD 8349 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 110 v 섀시 섀시 D4E RF5L051K5 500MHz LDMOS D4E - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-RF5L051K5CB4 100 - 1µA 200 MA 1500W 22db - 50 v
STF6N65M2 STMicroelectronics STF6N65M2 1.6900
RFQ
ECAD 300 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF6 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 25V 226 pf @ 100 v - 20W (TC)
STF2N95K5 STMicroelectronics STF2N95K5 1.6800
RFQ
ECAD 727 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF2N95 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 2A (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 10 nc @ 10 v 30V 105 pf @ 100 v - 20W (TC)
STB70NFS03LT4 STMicroelectronics STB70NFS03LT4 -
RFQ
ECAD 6147 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB70N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1026-STB70NFS03LT4 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 70A (TC) 5V, 10V 9.5mohm @ 35a, 10V 1V @ 250µA 30 nc @ 5 v ± 18V 1440 pf @ 25 v - 100W (TC)
STL19N65M5 STMicroelectronics STL19N65M5 2.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL19 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 2.3A (TA), 12.5A (TC) 10V 240mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 25V 1240 pf @ 100 v - 2.8W (TA), 90W (TC)
STB24N60M6 STMicroelectronics STB24N60M6 3.0700
RFQ
ECAD 7172 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB24 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10V 4.75V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 25V 960 pf @ 100 v - 130W (TC)
STL4P3LLH6 STMicroelectronics stl4p3llh6 0.6200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ H6 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerwdfn STL4P3 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15510-2 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 56mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 20V 639 pf @ 25 v - 2.4W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고