| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP65NF06 | - | ![]() | 9642 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP65N | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 60A(Tc) | 10V | 14m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 75nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1700pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
| STL36N55M5 | 6.7800 | ![]() | 9724 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL36 | MOSFET(금속) | PowerFlat™(8x8) HV | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 550V | 22.5A(Tc) | 10V | 90m옴 @ 16.5A, 10V | 5V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2670pF | - | 2.8W(Ta), 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD1NK80Z-1 | - | ![]() | 5882 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | STD1NK80 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 800V | 1A(Tc) | 10V | 16옴 @ 500mA, 10V | 50μA에서 4.5V | 7.7nC @ 10V | ±30V | 25V에서 160pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STH160N4LF6-2 | 1.5700 | ![]() | 642 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VI | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STH160 | MOSFET(금속) | H2Pak-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 40V | 120A(Tc) | 5V, 10V | 2.2m옴 @ 60A, 10V | 1V @ 250μA(최소) | 181nC @ 10V | ±20V | 20V에서 8130pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ULQ2801A | 3.0300 | ![]() | 7965 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 105°C | 스루홀 | 18-DIP(0.300", 7.62mm) | ULQ2801 | 2.25W | 18- 딥 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 50V | 500mA | - | 8 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | 1000 @ 350mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU6N65M2-S | 0.5391 | ![]() | 7386 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | STU6N65 | MOSFET(금속) | 아이팩 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 650V | 4A(TC) | 10V | 1.35옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 9.8nC @ 10V | ±25V | 100V에서 226pF | - | 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN1NK80Z | 1.2600 | ![]() | 6011 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | STN1NK80 | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 800V | 250mA(Tc) | 10V | 16옴 @ 500mA, 10V | 50μA에서 4.5V | 7.7nC @ 10V | ±30V | 25V에서 160pF | - | 2.5W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI6N90K5 | 2.4900 | ![]() | 135 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 풀팩, I²Pak | STI6 | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-17075 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 900V | 6A(TC) | 10V | 1.1옴 @ 3A, 10V | 100μA에서 5V | ±30V | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP450 | - | ![]() | 8508 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | PowerMESH™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IRFP | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-2735-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 500V | 14A(TC) | 10V | 380m옴 @ 7A, 10V | 4V @ 250μA | 90nC @ 10V | ±30V | 2000pF @ 25V | - | 190W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL100NH3LL | - | ![]() | 3180 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ III | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL100 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 12.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 40nC @ 4.5V | ±16V | 4450pF @ 25V | - | 80W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD45NF75T4 | 1.9500 | ![]() | 34 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병45 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 75V | 40A(Tc) | 10V | 24m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 80nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1760pF | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF3LN80K5 | 1.6000 | ![]() | 2459 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF3LN80 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 2A(TC) | 10V | 3.25옴 @ 1A, 10V | 100μA에서 5V | 2.63nC @ 10V | ±30V | 102pF @ 100V | - | 20W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB13NM50N-1 | - | ![]() | 8113 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | STB13N | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 12A(TC) | 10V | 320m옴 @ 6A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±25V | 50V에서 960pF | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL66DN3LLH5 | 2.2400 | ![]() | 9628 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL66 | MOSFET(금속) | 72W | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 78.5A | 6.5m옴 @ 10A, 10V | 3V @ 250μA | 12nC @ 4.5V | 1500pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STV160NF03LAT4 | - | ![]() | 3612 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerSO-10옆형 하단 패드 | STV160 | MOSFET(금속) | 10-파워SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N채널 | 30V | 160A(Tc) | 5V, 10V | 3m옴 @ 80A, 10V | 1V @ 250μA | 160nC @ 10V | ±15V | 5350pF @ 25V | - | 210W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP55NF06FP | 1.6200 | ![]() | 3474 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STP55 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 10V | 18m옴 @ 27.5A, 10V | 4V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1300pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB33N60M6 | 2.7429 | ![]() | 1977년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB33 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STB33N60M6TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 25A(TC) | 10V | 125m옴 @ 12.5A, 10V | 250μA에서 4.75V | 33.4nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1515pF | - | 190W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STP55NF06 | 1.6200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP55 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 10V | 18m옴 @ 27.5A, 10V | 4V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1300pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW60NE10 | - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW60N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-2643-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 100V | 60A(Tc) | 10V | 22m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 185nC @ 10V | ±20V | 25V에서 5300pF | - | 180W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
| STP12NM50 | 4.5000 | ![]() | 9916 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 튜브 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP12 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 12A(TC) | 10V | 350m옴 @ 6A, 10V | 5V @ 50μA | 39nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1000pF | - | 160W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
| STGP6M65DF2 | 1.6000 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 중 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STGP6 | 기준 | 88W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-16967 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 6A, 22옴, 15V | 140ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 12A | 24A | 2V @ 15V, 6A | 40μJ(켜짐), 136μJ(꺼짐) | 21.2nC | 12ns/86ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL220N3LLH7 | - | ![]() | 4598 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VII | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL220 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 220A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.1m옴 @ 25A, 10V | 2.2V @ 250μA | 46nC @ 4.5V | ±20V | 8650pF @ 25V | - | 113W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB50NE10T4 | - | ![]() | 8373 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB50N | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 50A(Tc) | 10V | 27m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 250μA | 166nC @ 10V | ±20V | 6000pF @ 25V | - | 180W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB25N36LZAG | 1.1531 | ![]() | 7252 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB25 | 논리 | 150W | D²PAK(TO-263) | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STGB25N36LZAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | 350V | 25A | 50A | 1.25V @ 4V, 6A | - | 25.7nC | 1.1μs/7.4μs | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD815CP40 | - | ![]() | 1459 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | 성병815 | 2.6W | 8- 딥 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 1.5A | 1mA | NPN, PNP | 1V @ 50mA, 350mA | 16 @ 350mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL3N10F7 | 0.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VII | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-파워WDFN | STL3 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 4A(TC) | 10V | 70m옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 7.8nC @ 10V | ±20V | 25V에서 408pF | - | 2.4W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW29NK50ZD | - | ![]() | 8661 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW29N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 500V | 29A(TC) | 10V | 130m옴 @ 14.5A, 10V | 4.5V @ 150μA | 200nC @ 10V | ±30V | 25V에서 6450pF | - | 350W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL40N75LF3 | 1.8100 | ![]() | 1812년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ III | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL40 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 75V | 40A(Tc) | 5V, 10V | 19m옴 @ 20A, 10V | 1V @ 250μA | 12nC @ 5V | +20V, -16V | 25V에서 1300pF | - | 75W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STP140NF55 | 2.7900 | ![]() | 6818 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP140 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 80A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 142nC @ 10V | ±20V | 25V에서 5300pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD57070S | - | ![]() | 3545 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | PowerSO-10옆형 하단 패드 | PD57070 | 945MHz | LDMOS | 10-파워SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 7A | 250mA | 70W | 14.7dB | - | 28V |

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