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트랜지스터(3861)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	테스트 조건	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
STP9NK50Z	2.7500	보상요청	540	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STP9NK50			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						500V	7.2A(Tc)	10V	850m옴 @ 3.6A, 10V	100μA에서 4.5V	32nC @ 10V	±30V	25V에서 910pF	-	110W(Tc)
STS4DPFS30L	-	보상요청	4201	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	STS4D			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널						30V	5A(Tc)	4.5V, 10V	55m옴 @ 2.5A, 10V	2.5V @ 250μA	16nC @ 5V	±16V	1350pF @ 25V	쇼트키 다이오드(절연)	2.5W(Tc)
STB6NK90ZT4	3.2000	보상요청	2416	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB6			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						900V	5.8A(Tc)	10V	2옴 @ 2.9A, 10V	100μA에서 4.5V	60.5nC @ 10V	±30V	1350pF @ 25V	-	140W(Tc)
STV270N4F3	5.7400	보상요청	7905	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ III	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerSO-10옆형 하단 패드	STV270			MOSFET(금속)		10-파워SO	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	600		N채널						40V	270A(Tc)	10V	1.5m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	150nC @ 10V	±20V	25V에서 7500pF	-	300W(Tc)
STK800	2.6300	보상요청	17	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	PolarPak®	STK8			MOSFET(금속)		PolarPak®	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널						30V	20A(TC)	4.5V, 10V	7.8m옴 @ 10A, 10V	2.5V @ 250μA	13.4nC @ 4.5V	±16V	25V에서 1380pF	-	5.2W(Tc)
STB100N10F7	2.8500	보상요청	3845	ST마이크로일렉트로닉스	DeepGATE™, STripFET™ VII	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB100			MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						100V	80A(Tc)	10V	8m옴 @ 40A, 10V	250μA에서 4.5V	61nC @ 10V	±20V	50V에서 4369pF	-	150W(Tc)
394년	-	보상요청	7799	ST마이크로일렉트로닉스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		175°C (TJ)	스루홀	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	394년				400mW	TO-18	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	1,000																					180V	100mA							50nA(ICBO)	NPN	400mV @ 5mA, 50mA	30 @ 10mA, 10V	-
STF42N65M5	5.8557	보상요청	1456	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ V	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STF42			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-8895-5	EAR99	8541.29.0095	50		N채널						650V	33A(티씨)	10V	79m옴 @ 16.5A, 10V	5V @ 250μA	100nC @ 10V	±25V	100V에서 4650pF	-	40W(Tc)
STB55NF06LT4	2.1200	보상요청	2141	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ II	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB55			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						60V	55A(Tc)	10V, 5V	18m옴 @ 27.5A, 10V	250μA에서 4.7V	37nC @ 4.5V	±16V	25V에서 1700pF	-	95W(Tc)
STGB19NC60KT4	2.7800	보상요청	2	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STGB19	기준			125W	D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000				480V, 12A, 10옴, 15V																-	600V	35A	75A	2.75V @ 15V, 12A	165μJ(켜짐), 255μJ(꺼짐)	55nC	30ns/105ns
STU16N65M5	4.1500	보상요청	5	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ V	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA	STU16N			MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75		N채널						650V	12A(TC)	10V	299m옴 @ 6A, 10V	5V @ 250μA	45nC @ 10V	±25V	100V에서 1250pF	-	90W(Tc)
STP35N60M2-EP	3.0791	보상요청	6975	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M2-EP	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STP35			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						600V	26A(TC)	-	-	-		±25V		-	-
STAC2942BW	117.9800	보상요청	59	ST마이크로일렉트로닉스	-	쟁반	활동적인	130V			STAC244F	STAC2942		175MHz	MOSFET		STAC244F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	80	N채널		40A		250mA	450W	-											-										50V
STD15N50M2AG	1.9300	보상요청	3088	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101, MDmesh™ M2	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	성병15			MOSFET(금속)		D-PAK (TO-252)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						500V	10A(TC)	10V	380m옴 @ 5A, 10V	4V @ 250μA	13nC @ 10V	±30V	100V에서 530pF	-	85W(Tc)
STL140N6F7	2.7900	보상요청	7730	ST마이크로일렉트로닉스	DeepGATE™, STripFET™ VII	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		175°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	STL140			MOSFET(금속)		파워플랫™(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널						60V	145A(Tc)	10V	2.5m옴 @ 16A, 10V	4V @ 1mA	40nC @ 10V	±20V	2700pF @ 25V	-	4.8W(Ta), 125W(Tc)
STGP6NC60HD	1.4200	보상요청	2143	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STGP6	기준			56W	TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-5122-5	EAR99	8541.29.0095	50				390V, 3A, 10옴, 15V															21ns	-	600V	15A	21A	2.5V @ 15V, 3A	20μJ(켜짐), 68μJ(꺼짐)	13.6nC	12ns/76ns
STL3N80K5	0.7650	보상요청	4586	ST마이크로일렉트로닉스	*	테이프 및 릴리(TR)	활동적인					STL3						-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000
STD13NM50N	-	보상요청	7081	ST마이크로일렉트로닉스	*	테이프 및 릴리(TR)	활동적인					성병13						-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.			0000.00.0000	2,500
PD85035STR-E	30.8300	보상요청	9481	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	40V			PowerSO-10RF옆형 하단 패드(직선 리드 2개)	PD85035		870MHz	LDMOS		PowerSO-10RF(직선 리드)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	-1138-PD85035STR-ETR	EAR99	8541.29.0095	600			8A		350mA	15W	17dB											-										13.6V
STF36N60M6	6.3400	보상요청	6727	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M6	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STF36			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						600V	30A(Tc)	10V	99m옴 @ 15A, 10V	250μA에서 4.75V	44.3nC @ 10V	±25V	100V에서 1960pF	-	40W(Tc)
SCT10N120	11.7900	보상요청	65	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		-55°C ~ 200°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	SCT10			SiCFET(탄화규소)		HiP247™	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-16597-5	EAR99	8541.29.0095	100		N채널						1200V	12A(TC)	20V	690m옴 @ 6A, 20V	250μA에서 3.5V	22nC @ 20V	+25V, -10V	400V에서 290pF	-	150W(Tc)
PD57006S	-	보상요청	7254	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	65V			PowerSO-10옆형 하단 패드	PD57006		945MHz	LDMOS		10-파워SO	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			1A		70mA	6W	15dB											-										28V
STF12N65M5	3.0900	보상요청	133	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ V	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-5 풀팩	STF12			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						650V	8.5A(Tc)	10V	430m옴 @ 4.3A, 10V	5V @ 250μA	22nC @ 10V	±25V	100V에서 900pF	-	25W(Tc)
STF3HNK90Z	-	보상요청	4884	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STF3HN			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-4341-5	EAR99	8541.29.0095	50		N채널						800V	3A(TC)	10V	4.2옴 @ 1.5A, 10V	50μA에서 4.5V	35nC @ 10V	±30V	25V에서 690pF	-	25W(Tc)
STB11NM60N-1	-	보상요청	4330	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	STB11N			MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						600V	10A(TC)	10V	450m옴 @ 5A, 10V	4V @ 250μA	31nC @ 10V	±25V	50V에서 850pF	-	90W(Tc)
STW13NM60N	-	보상요청	3852	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	STW13N			MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30		N채널						600V	11A(티씨)	10V	360m옴 @ 5.5A, 10V	4V @ 250μA	30nC @ 10V	±25V	50V에서 790pF	-	90W(Tc)
PD54008S-E	-	보상요청	9915	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	25V			PowerSO-10옆형 하단 패드	PD54008		500MHz	LDMOS		PowerSO-10RF(직선 리드)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			5A		150mA	8W	11.5dB											-										7.5V
STB300NH02L	-	보상요청	7661	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB300N			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						24V	120A(Tc)	10V	1.8m옴 @ 80A, 10V	2V @ 250μA	109.4nC @ 10V	±20V	7055pF @ 15V	-	300W(Tc)
STP3NK90ZFP	1.4300	보상요청	931	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STP3NK90			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-5979-5	EAR99	8541.29.0095	50		N채널						900V	3A(TC)	10V	4.8옴 @ 1.5A, 10V	50μA에서 4.5V	22.7nC @ 10V	±30V	25V에서 590pF	-	25W(Tc)
STW58N65DM2AG	11.6700	보상요청	8672	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101, MDmesh™ DM2	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	STW58			MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30		N채널						650V	48A(TC)	10V	65m옴 @ 24A, 10V	5V @ 250μA	88nC @ 10V	±25V	100V에서 4100pF	-	360W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²