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트랜지스터 (3861)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STL287N4F7AG STMicroelectronics STL287N4F7AG -
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 stmicroelectronics * 테이프 & tr (TR) 활동적인 STL287 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 3,000
STF10NM50N STMicroelectronics stf10nm50n 2.3000
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF10N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 7A (TC) 10V 630mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 50 v - 25W (TC)
STP24N60M2 STMicroelectronics STP24N60M2 2.8700
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP24 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13556-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1060 pf @ 100 v - 150W (TC)
STGW20H65FB STMicroelectronics STGW20H65FB 2.0653
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW20 기준 168 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 80 a 2V @ 15V, 20A 77µJ (on), 170µJ (OFF) 120 NC 30ns/139ns
STP200NF04 STMicroelectronics STP200NF04 -
RFQ
 ECAD 1513 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP200 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 310W (TC)
BC141-10 STMicroelectronics BC141-10 -
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 BC141 650 MW To-39 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 500 60 v 1 a 100NA NPN 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 1v 50MHz
STD7N65M2 STMicroelectronics STD7N65M2 1.7100
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD7N65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 25V 270 pf @ 100 v - 60W (TC)
STGF14N60D STMicroelectronics STGF14N60D -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STGF14 기준 33 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-8897-5 귀 99 8541.29.0095 50 390V, 7A, 10ohm, 15V 37 ns - 600 v 11 a 50 a 2.1V @ 15V, 7A - -
BD681 STMicroelectronics BD681 1.0200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD681 40 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 4 a 500µA npn-달링턴 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5a, 3v -
STB28NM60ND STMicroelectronics STB28NM60nd 8.4600
RFQ
 ECAD 427 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB28 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-14238-2 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 150mohm @ 11.5a, 10V 5V @ 250µA 62.5 nc @ 10 v ± 25V 2090 pf @ 100 v - 190W (TC)
STGD20N40LZ STMicroelectronics STGD20N40LZ 1.2089
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STGD20 논리 125 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 10A, 1KOHM, 5V - 390 v 25 a 40 a 1.6V @ 4V, 6A - 24 NC 700ns/4.3µs
ST13003 STMicroelectronics ST13003 -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 ST13003 40 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400 v 1.5 a 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 1.5a 5 @ 1a, 2v -
STF16N60M2 STMicroelectronics STF16N60M2 2.0400
RFQ
 ECAD 216 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF16 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16013-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 25V 700 pf @ 100 v - 25W (TC)
STW200NF03 STMicroelectronics STW200NF03 -
RFQ
 ECAD 8608 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW200 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 30 v 120A (TC) 10V 2.8mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 25 v - 350W (TC)
STL38N65M5 STMicroelectronics STL38N65M5 6.5400
RFQ
 ECAD 7977 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL38 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 3.5A (TA), 22.5A (TC) 10V 105mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 25V 3000 pf @ 100 v - 2.8W (TA), 150W (TC)
STGWA30M65DF2 STMicroelectronics STGWA30M65DF2 3.7400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA30 기준 258 w TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 140 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 60 a 120 a 2V @ 15V, 30A 300µJ (on), 960µJ (OFF) 80 NC 31.6ns/115ns
STP21NM50N STMicroelectronics STP21NM50N -
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP21N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4820-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1950 pf @ 25 v - 140W (TC)
2STF1360 STMicroelectronics 2stf1360 0.6200
RFQ
 ECAD 9970 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2stf1360 1.4 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 150ma, 3a 160 @ 1a, 2v 130MHz
STF32NM50N STMicroelectronics STF32NM50N 4.9800
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF32N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 130mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 62.5 nc @ 10 v ± 25V 1973 PF @ 50 v - 35W (TC)
STW6N90K5 STMicroelectronics STW6N90K5 2.8900
RFQ
 ECAD 8303 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 stw6n90 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17077 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 6A (TC) 10V 1.1ohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa ± 30V - 110W (TC)
STW36N60M6 STMicroelectronics STW36N60M6 7.3300
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW36 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17553 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 99mohm @ 15a, 10V 4.75V @ 250µA 44.3 NC @ 10 v ± 25V 1960 pf @ 100 v - 208W (TC)
STP5NK40Z STMicroelectronics STP5NK40Z -
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP5N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 3A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50µA 17 nc @ 10 v ± 30V 305 pf @ 25 v - 45W (TC)
STD12N50DM2 STMicroelectronics STD12N50DM2 1.9400
RFQ
 ECAD 1669 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD12 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 350mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 25V 628 pf @ 100 v - 110W (TC)
STD170N4F7AG STMicroelectronics STD170N4F7AG -
RFQ
 ECAD 7319 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD17 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 4350 pf @ 25 v - 172W (TC)
PD84008-E STMicroelectronics PD84008-E -
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 25 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) PD84008 870MHz LDMOS PowerSO-10RF (형성) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 7a 250 MA 2W 16.2db - 7.5 v
STW80NE06-10 STMicroelectronics STW80NE06-10 -
RFQ
 ECAD 2744 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW80N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-2790-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 10MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 189 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 250W (TC)
STL22N60M6 STMicroelectronics STL22N60M6 1.5489
RFQ
 ECAD 4258 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL22 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) HV 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 250mohm @ 5a, 10V 4.75V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 25V 800 pf @ 100 v - 57W (TC)
STP42N65M5 STMicroelectronics STP42N65M5 10.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP42 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 33A (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 25V 4650 pf @ 100 v - 190W (TC)
E-ULQ2003D1 STMicroelectronics E-ULQ2003D1 -
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ULQ2003 - 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 50V 500ma - 7 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
STD120N4F6 STMicroelectronics STD120N4F6 1.9000
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 stmicroelectronics AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD120 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 3850 pf @ 25 v - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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