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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
STBV32-AP STMicroelectronics STBV32-AP -
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ECAD 4014 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 STBV32 1.5W TO-92AP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 400V 1.5A 1mA NPN 1.5V @ 500mA, 1.5A 5 @ 1A, 2V -
STS9P2UH7 STMicroelectronics STS9P2UH7 -
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ECAD 4400 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) STS9P MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 20V 9A(TC) 1.5V, 4.5V 22.5m옴 @ 4.5A, 4.5V 1V @ 250μA 22nC @ 4.5V ±8V 16V에서 2390pF - 2.7W(Tc)
STP90NF03L STMicroelectronics STP90NF03L 1.8600
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ECAD 6895 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP90 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 30V 90A(Tc) 5V, 10V 6.5m옴 @ 45A, 10V 2.5V @ 250μA 47nC @ 5V ±20V 2700pF @ 25V - 150W(Tc)
IRF630FP STMicroelectronics IRF630FP -
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ECAD 4916 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 형식™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 IRF6 MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 200V 9A(TC) 10V 400m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 700pF - 30W(Tc)
STB25NM50N-1 STMicroelectronics STB25NM50N-1 -
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ECAD 6820 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA STB25N MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500V 22A(TC) 10V 140m옴 @ 11A, 10V 4V @ 250μA 84nC @ 10V ±25V 2565pF @ 25V - 160W(Tc)
STF6NK70Z STMicroelectronics STF6NK70Z -
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ECAD 9953 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STF6N MOSFET(금속) TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 700V 5A(Tc) 10V 1.8옴 @ 2.5A, 10V 100μA에서 4.5V 47nC @ 10V ±30V 25V에서 930pF - 30W(Tc)
SD2932W STMicroelectronics SD2932W 172.4200
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ECAD 55 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 125V M244 SD2932 175MHz MOSFET M244 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15 N채널 40A 500mA 300W 16dB - 50V
PD84010S-E STMicroelectronics PD84010S-E -
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ECAD 9976 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 40V PowerSO-10옆형 하단 패드 PD84010 870MHz LDMOS PowerSO-10RF(직선 리드) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 8A 300mA 2W 16.3dB - 7.5V
STC6NF30V STMicroelectronics STC6NF30V -
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ECAD 4333 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ II 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) STC6NF MOSFET(금속) 1.5W 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 30V 6A 25m옴 @ 3A, 4.5V 250μA에서 600mV 9nC @ 2.5V 800pF @ 25V 게임 레벨 레벨
STD50NH02L-1 STMicroelectronics STD50NH02L-1 -
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ECAD 4583 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ III 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA STD50N MOSFET(금속) TO-251(IPAK) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 24V 50A(Tc) 5V, 10V 10.5m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 1.8V 24nC @ 10V ±20V 25V에서 1400pF - 60W(Tc)
STY30NK90Z STMicroelectronics STY30NK90Z -
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ECAD 1562 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STY30N MOSFET(금속) MAX247™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-4431-5 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 900V 26A(TC) 10V 260m옴 @ 14A, 10V 4.5V @ 150μA 490nC @ 10V ±30V 25V에서 12000pF - 450W(Tc)
STS4DPF20L STMicroelectronics STS4DPF20L 1.7600
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ECAD 125 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) STS4D MOSFET(금속) 1.6W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 20V 4A 80m옴 @ 2A, 10V 2.5V @ 250μA 16nC @ 5V 1350pF @ 25V 게임 레벨 레벨
STN83003 STMicroelectronics STN83003 0.6500
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ECAD 4880 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA STN83003 1.6W SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V 1.5A 1mA NPN 500mV @ 100mA, 500mA 16 @ 350mA, 5V -
STB30NM60N STMicroelectronics STB30NM60N -
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ECAD 6261 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB30N MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 25A(TC) 10V 130m옴 @ 12.5A, 10V 4V @ 250μA 91nC @ 10V ±30V 50V에서 2700pF - 190W(Tc)
STD12N50DM2 STMicroelectronics STD12N50DM2 1.9400
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ECAD 1669년 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ DM2 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병12 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 500V 11A(티씨) 10V 350m옴 @ 5.5A, 10V 5V @ 250μA 16nC @ 10V ±25V 100V에서 628pF - 110W(Tc)
STGWA35HF60WDI STMicroelectronics STGWA35HF60WDI -
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ECAD 3445 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STGWA35 기준 260W TO-247 긴 리드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 390V, 20A, 10옴, 15V 85ns - 600V 70A 150A 2.5V @ 15V, 20A 185μJ(꺼짐) 140nC 30ns/175ns
STP42N65M5 STMicroelectronics STP42N65M5 10.9900
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ECAD 1 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ V 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP42 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 33A(티씨) 10V 79m옴 @ 16.5A, 10V 5V @ 250μA 100nC @ 10V ±25V 100V에서 4650pF - 190W(Tc)
STD9N60M6 STMicroelectronics STD9N60M6 0.8006
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ECAD 1172 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병9 MOSFET(금속) D-PAK (TO-252) - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-STD9N60M6 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 6A(TC) 10V 750m옴 @ 3A, 10V 250μA에서 4.75V 10nC @ 10V ±25V 100V에서 273pF - 76W(Tc)
PD55008TR-E STMicroelectronics PD55008TR-E 14.7400
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ECAD 8319 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 40V PowerSO-10RF 옆형 하단 패드(성형 리드 2개) PD55008 500MHz LDMOS PowerSO-10RF(형형 리드) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 600 4A 150mA 8W 17dB - 12.5V
ULN2065B STMicroelectronics ULN2065B 6.8000
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ECAD 2136 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -20°C ~ 85°C(타) 스루홀 16-파워DIP(0.300", 7.62mm) ULN2065 1W 16-파워DIP(20x7.10) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 80V 1.75A - 4 NPN 달링턴(쿼드) 1.5V @ 2.25mA, 1.5A - -
STP6NK50Z STMicroelectronics STP6NK50Z -
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ECAD 3107 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 STP6N MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-4385-5 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 5.6A(Tc) 10V 1.2옴 @ 2.8A, 10V 50μA에서 4.5V 24.6nC @ 10V ±30V 25V에서 690pF - 90W(Tc)
STL7NM60N STMicroelectronics STL7NM60N -
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ECAD 4664 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 14-PowerVQFN STL7 MOSFET(금속) 14-PowerFLAT™(5x5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 600V 5.8A(Tc) 10V 900m옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 14nC @ 10V ±25V 50V에서 363pF - 68W(Tc)
ST2001FX STMicroelectronics ST2001FX -
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ECAD 4404 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 ISOWATT218FX ST2001 63W ISOWATT-218FX 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 300 600V 10A 1mA NPN 1.5V @ 1.25A, 5A 5 @ 6A, 5V -
STGWA35IH135DF2 STMicroelectronics STGWA35IH135DF2 4.7900
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ECAD 7898 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 * 튜브 활동적인 - ROHS3 준수 3(168시간) 497-STGWA35IH135DF2 30
PD85025S-E STMicroelectronics PD85025S-E -
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ECAD 6258 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 40V PowerSO-10옆형 하단 패드 PD85025 870MHz LDMOS PowerSO-10RF(직선 리드) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 7A 300mA 10W 17.3dB - 13.6V
STD8NM60N STMicroelectronics STD8NM60N -
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ECAD 3333 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 STD8N MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 7A(TC) 10V 650m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±25V 50V에서 560pF - 70W(Tc)
STD40NF3LLT4 STMicroelectronics STD40NF3LLT4 -
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ECAD 4495 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ II 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병40 MOSFET(금속) DPAK - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 40A(Tc) 4.5V, 10V 11m옴 @ 20A, 10V 1V @ 250μA 33nC @ 4.5V ±16V 25V에서 1650pF - 80W(Tc)
STFI10LN80K5 STMicroelectronics STFI10LN80K5 -
보상요청
ECAD 8967 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ K5 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 풀팩, I²Pak STFI10LN MOSFET(금속) I2PAKFP (TO-281) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 800V 8A(TC) 10V 630m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 5V 15nC @ 10V ±30V 100V에서 427pF - 20W(Tc)
STGW30H60DFB STMicroelectronics STGW30H60DFB 3.6700
보상요청
ECAD 1385 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STGW30 기준 260W TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-15133-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 53ns 트렌치 필드스톱 600V 60A 120A 2V @ 15V, 30A 383μJ(켜짐), 293μJ(꺼짐) 149nC 37ns/146ns
TIP102 STMicroelectronics TIP102 1.0000
보상요청
ECAD 3330 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TIP102 2W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 100V 8A 50μA NPN-달링턴 2.5V @ 80mA, 8A 1000 @ 3A, 4V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고