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트랜지스터 (3861)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD3NM60T4 | - |  | 1100 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std3n | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 324 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | stl8n10lf3 | 1.9100 | | 6029 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL8 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 20A (TC) | 5V, 10V | 35mohm @ 4a, 10V | 3V @ 250µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 970 pf @ 25 v | - | 4.3W (TA), 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STB80N20M5 | 6.9600 | | 9248 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB80 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 61A (TC) | 10V | 23mohm @ 30.5a, 10V | 5V @ 250µA | 104 NC @ 10 v | ± 25V | 4329 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STGWT60H65FB | 5.2300 | | 393 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | STGWT60 | 기준 | 375 w | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60A, 5ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 80 a | 240 a | 2.3V @ 15V, 60A | 1.09mj (on), 626µJ (OFF) | 306 NC | 51ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | ULN2065B | 6.8000 | | 2136 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-powerdip (0.300 ", 7.62mm) | ULN2065 | 1W | 16-powerdip (20x7.10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 80V | 1.75A | - | 4 npn 달링턴 (쿼드) | 1.5V @ 2.25MA, 1.5A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP16NF25 | - | | 2096 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP16N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 235mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STB5N52K3 | - | | 9155 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB5N | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 525 v | 4.4A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 50µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 545 pf @ 100 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2stf1525 | 0.5300 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2stf15 | 1.4 w | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500MV @ 40MA, 3.5A | 150 @ 500ma, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STB85NS04Z | - | | 8010 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Safefet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB85N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 33 v | 80A (TC) | 10V | 15mohm @ 30a, 10V | 4V @ 1MA | 100 nc @ 10 v | ± 18V | 2500 pf @ 25 v | - | 215W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | l6221ad | - | | 4262 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | L6221 | 1W | 20- 의자 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | 50V | 1.8a | - | 4 npn 달링턴 (쿼드) | 1.6V @ 1.8a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STN3N45K3 | 1.0100 | | 13 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | STN3 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 450 v | 600MA (TC) | 10V | 4ohm @ 600ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 9.5 nc @ 10 v | ± 30V | 164 pf @ 50 v | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STI28N60M2 | 3.4700 | | 6327 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI28 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17621 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 22A (TC) | 10V | 150mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 25V | 1440 pf @ 100 v | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | STF11N52K3 | - | | 6959 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF11 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 525 v | 10A (TC) | 10V | 510mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 51 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 50 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STD100N3LF3 | 1.9300 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD100 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 5.5mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250µA | 27 NC @ 5 v | ± 20V | 2060 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HD1530FX | - | | 2086 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOWATT218FX | HD1530 | 70 W. | Isowatt-218fx | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 v | 26 a | 200µA | NPN | 2V @ 3.25a, 13a | 5.5 @ 13a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | but92 | - | | 4952 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | but92 | 250 W. | TO-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 250 v | 50 a | 200ma | NPN | 1.2v @ 3.5a, 35a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STD888T4 | 0.6200 | | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD888 | 15 w | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-9092-2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 30 v | 5 a | 10µA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 500ma, 10a | 100 @ 500ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
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| STD35N3LH5 | - | | 9747 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ v | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD35 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 725 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STD18NF25 | 2.1600 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD18 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 17A (TC) | 10V | 165mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 29.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STL51N3LLH5 | 0.7800 | | 11 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ v | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL51 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 51A (TC) | 4.5V, 10V | 14.5mohm @ 6.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 5 nc @ 4.5 v | ± 22V | 724 pf @ 25 v | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 팁 127 | 0.7900 | | 971 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 127 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 5 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 4V @ 20MA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ESM2012DV | - | | 1761 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | ESM2012 | 175 w | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 120 v | 120 a | - | npn-달링턴 | 1.5v @ 1a, 100a | 1200 @ 100A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | 2.3600 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STGD10 | 기준 | 62.5 w | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 5A, 10ohm, 15V | 50 ns | - | 600 v | 18 a | 30 a | 2.75V @ 15V, 5A | 45µJ (on), 105µJ (OFF) | 23 NC | 9.5ns/87ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PD84010-E | - | | 9238 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 40 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) | PD84010 | 870MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (형성) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 8a | 300 MA | 2W | 16.3db | - | 7.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STS25NH3LL | - | | 9549 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS25 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 12.5a, 10V | 1V @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | ± 18V | 4450 pf @ 25 v | - | 3.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STF40N20 | - | | 2516 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF40N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5006-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 40A (TC) | 10V | 45mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| STB80NE03L-06T4 | - | | 1482 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB80N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250µA | 130 nc @ 5 v | ± 20V | 6500 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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| STB30NF10T4 | 1.8200 | | 6993 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB30 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 45mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 1180 pf @ 25 v | - | 115W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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