| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 응용 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP11NM60 | 4.2400 | ![]()  |                              2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP11 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 11A(티씨) | 10V | 450m옴 @ 5.5A, 10V | 5V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±25V | 25V에서 1000pF | - | 160W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STGP30H60DFB | 3.2300 | ![]()  |                              4055 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STGP30 | 기준 | 260W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-16483-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 30A, 10옴, 15V | 53ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 60A | 120A | 2V @ 15V, 30A | 383μJ(켜짐), 293μJ(꺼짐) | 149nC | 37ns/146ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           2SD2012 | - | ![]()  |                              8946 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 2SD2 | 25W | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-5900-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60V | 3A | 100μA(ICBO) | NPN | 1V @ 200mA, 2A | 100 @ 500mA, 5V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           BUV20 | - | ![]()  |                              8596 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 200°C (TJ) | 방역 | TO-204AA, TO-3 | BUV20 | 250W | TO-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 125V | 50A | 3mA | NPN | 1.2V @ 5A, 50A | 20 @ 25A, 2V | 8MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STU2LN60K3 | - | ![]()  |                              100 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | STU2LN60 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 600V | 2A(TC) | 10V | 4.5옴 @ 1A, 10V | 50μA에서 4.5V | 12nC @ 10V | ±30V | 50V에서 235pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
| STC03DE170HP | - | ![]()  |                              7778 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | ESBT® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1700V(1.7kV) | 마더보드 드라이버 | 스루홀 | TO-247-4 | STC03D | TO-247-4L | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 3A | NPN - 이미터 전환 기간 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STD100N10F7 | 2.8800 | ![]()  |                              26 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VII | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병100 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 80A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 40A, 10V | 250μA에서 4.5V | 61nC @ 10V | ±20V | 50V에서 4369pF | - | 120W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STB32NM50N | 4.2500 | ![]()  |                              5419 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB32 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 500V | 22A(TC) | 10V | 130m옴 @ 11A, 10V | 4V @ 250μA | 62.5nC @ 10V | ±25V | 1973pF @ 50V | - | 190W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
| STHU32N65DM6AG | 8.8800 | ![]()  |                              87 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA | MOSFET(금속) | HU3PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STHU32N65DM6AGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N채널 | 650V | 37A (Tc) | 10V | 97m옴 @ 18.5A, 10V | 250μA에서 4.75V | 52.6nC @ 10V | ±25V | 100V에서 2211pF | - | 320W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STS7C4F30L | - | ![]()  |                              9714 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS7C4 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 30V | 7A, 4A | 22m옴 @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 23nC @ 5V | 1050pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           SCTH70N120G2V-7 | 31.3814 | ![]()  |                              9609 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA | SiCFET(탄화규소) | H2PAK-7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 1200V | 90A(Tc) | 18V | 30m옴 @ 50A, 18V | 4.9V @ 1mA | 150nC @ 18V | +22V, -10V | 800V에서 3540pF | - | 469W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STI24NM65N | - | ![]()  |                              5788 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | STI24N | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 19A(TC) | 10V | 190m옴 @ 9.5A, 10V | 4V @ 250μA | 70nC @ 10V | ±25V | 50V에서 2500pF | - | 160W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STW63N65DM2 | 8.4337 | ![]()  |                              4062 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW63 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N채널 | 650V | 60A(Tc) | 10V | 50m옴 @ 30A, 10V | 5V @ 250μA | 120nC @ 10V | ±25V | 100V에서 5500pF | - | 446W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STGW20V60DF | 3.9100 | ![]()  |                              637 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGW20 | 기준 | 167W | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-13763-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 15V | 40ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 40A | 80A | 2.2V @ 15V, 20A | 200μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) | 116nC | 38ns/149ns | ||||||||||||||||||||||||||
| BDW93C | 0.9600 | ![]()  |                              3739 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BDW93 | 80W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100V | 12A | 1mA | NPN-달링턴 | 3V @ 100mA, 10A | 750 @ 5A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STD110N8F6 | 1.7400 | ![]()  |                              3151 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ F6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병110 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 80V | 80A(Tc) | 10V | 6.5m옴 @ 40A, 10V | 250μA에서 4.5V | 150nC @ 10V | ±20V | 40V에서 9130pF | - | 167W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
| STGP10NC60S | 2.6000 | ![]()  |                              883 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 파워메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STGP10 | 기준 | 62.5W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 5A, 10옴, 15V | - | 600V | 21A | 25A | 1.65V @ 15V, 5A | 60μJ(켜짐), 340μJ(꺼짐) | 18nC | 19ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STGB10H60DF | 1.9100 | ![]()  |                              5 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STGB10 | 기준 | 115W | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 10A, 10옴, 15V | 107ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 20A | 40A | 1.95V @ 15V, 10A | 83μJ(켜짐), 140μJ(꺼짐) | 57nC | 19.5ns/103ns | |||||||||||||||||||||||||||
| 2ST31A | 1.0500 | ![]()  |                              2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2ST31 | 40W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-11083-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60V | 3A | 300μA | NPN | 1.2V @ 375mA, 3A | 100 @ 20mA, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STS26N3LLH6 | - | ![]()  |                              7605 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | DeepGATE™, STripFET™ VI | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS26 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 26A(TC) | 4.5V, 10V | 4.4m옴 @ 13A, 10V | 1V @ 250μA | 40nC @ 4.5V | ±20V | 25V에서 4040pF | - | 2.7W(타) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STFU28N65M2 | 3.5600 | ![]()  |                              215 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STFU28 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-16307-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 20A(TC) | 10V | 180m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 250μA | 35nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1440pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STS9NF3LL | 1.5500 | ![]()  |                              9 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS9NF | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 9A(TC) | 4.5V, 10V | 19m옴 @ 4.5A, 10V | 1V @ 250μA | 17nC @ 5V | ±16V | 25V에서 800pF | - | 2.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STR2N2VH5 | 1.1300 | ![]()  |                              81 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ V | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | STR2N2 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 2.3A(티제이) | 2.5V, 4.5V | 30m옴 @ 2A, 4.5V | 250μA에서 700mV(최소) | 4.6nC @ 4.5V | ±8V | 16V에서 367pF | - | 350mW(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STF5N65M6 | - | ![]()  |                              8598 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | * | 튜브 | 활동적인 | STF5N65 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STSJ25NF3LL | - | ![]()  |                              9218 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 수평 측면형 패드) | STSJ25 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 25A(TC) | 4.5V, 10V | 10.5m옴 @ 12.5A, 10V | 1V @ 250μA | 33nC @ 4.5V | ±16V | 25V에서 1650pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STFI4N62K3 | 1.2500 | ![]()  |                              1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬3™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 풀팩, I²Pak | STFI4N | MOSFET(금속) | I2PAKFP (TO-281) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 620V | 3.8A(Tc) | 10V | 2옴 @ 1.9A, 10V | 50μA에서 4.5V | 22nC @ 10V | ±30V | 50V에서 550pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STI42N65M5 | - | ![]()  |                              7101 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ V | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | STI42N | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 33A(티씨) | 10V | 79m옴 @ 16.5A, 10V | 5V @ 250μA | 100nC @ 10V | ±25V | 100V에서 4650pF | - | 190W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STL42P6LLF6 | 1.9100 | ![]()  |                              9744 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ F6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL42 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-15479-1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 60V | 42A(Tc) | 4.5V, 10V | 26m옴 @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 30nC @ 4.5V | ±20V | 3780pF @ 25V | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           ST9060C | 76.8980 | ![]()  |                              1686년 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 상자 | 활동적인 | 94V | 방역 | M243 | ST9060 | 1.5GHz | LDMOS | M243 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 12A | 80W | 17.3dB | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           STV200N55F3 | - | ![]()  |                              2554 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerSO-10옆형 하단 패드 | STV200 | MOSFET(금속) | 10-파워SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N채널 | 55V | 200A(Tc) | 10V | 2.5m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 100nC @ 10V | ±20V | 25V에서 6800pF | - | 300W(Tc) | 

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