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트랜지스터(3861)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	테스트 조건	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
BDW93C	0.9600	보상요청	3739	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	BDW93				80W	TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50																					100V	12A							1mA	NPN-달링턴	3V @ 100mA, 10A	750 @ 5A, 3V	-
STD110N8F6	1.7400	보상요청	3151	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ F6	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	성병110			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						80V	80A(Tc)	10V	6.5m옴 @ 40A, 10V	250μA에서 4.5V	150nC @ 10V	±20V	40V에서 9130pF	-	167W(Tc)
STGP10NC60S	2.6000	보상요청	883	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STGP10	기준			62.5W	TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50				390V, 5A, 10옴, 15V																-	600V	21A	25A	1.65V @ 15V, 5A	60μJ(켜짐), 340μJ(꺼짐)	18nC	19ns/160ns
STGB10H60DF	1.9100	보상요청	5	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STGB10	기준			115W	D²PAK(TO-263)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000				400V, 10A, 10옴, 15V															107ns	트렌치 필드스톱	600V	20A	40A	1.95V @ 15V, 10A	83μJ(켜짐), 140μJ(꺼짐)	57nC	19.5ns/103ns
2ST31A	1.0500	보상요청	2	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	2ST31				40W	TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-11083-5	EAR99	8541.29.0095	50																					60V	3A							300μA	NPN	1.2V @ 375mA, 3A	100 @ 20mA, 4V	-
STS26N3LLH6	-	보상요청	7605	ST마이크로일렉트로닉스	DeepGATE™, STripFET™ VI	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	STS26			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						30V	26A(TC)	4.5V, 10V	4.4m옴 @ 13A, 10V	1V @ 250μA	40nC @ 4.5V	±20V	25V에서 4040pF	-	2.7W(타)
STFU28N65M2	3.5600	보상요청	215	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ M2	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	STFU28			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-16307-5	EAR99	8541.29.0095	50		N채널						650V	20A(TC)	10V	180m옴 @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35nC @ 10V	±25V	100V에서 1440pF	-	30W(Tc)
STS9NF3LL	1.5500	보상요청	9	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ II	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	STS9NF			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						30V	9A(TC)	4.5V, 10V	19m옴 @ 4.5A, 10V	1V @ 250μA	17nC @ 5V	±16V	25V에서 800pF	-	2.5W(Tc)
STR2N2VH5	1.1300	보상요청	81	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ V	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	STR2N2			MOSFET(금속)		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		N채널						20V	2.3A(티제이)	2.5V, 4.5V	30m옴 @ 2A, 4.5V	250μA에서 700mV(최소)	4.6nC @ 4.5V	±8V	16V에서 367pF	-	350mW(Tc)
STSJ25NF3LL	-	보상요청	9218	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ II	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 수평 측면형 패드)	STSJ25			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						30V	25A(TC)	4.5V, 10V	10.5m옴 @ 12.5A, 10V	1V @ 250μA	33nC @ 4.5V	±16V	25V에서 1650pF	-	70W(Tc)
STFI4N62K3	1.2500	보상요청	1	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬3™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 풀팩, I²Pak	STFI4N			MOSFET(금속)		I2PAKFP (TO-281)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						620V	3.8A(Tc)	10V	2옴 @ 1.9A, 10V	50μA에서 4.5V	22nC @ 10V	±30V	50V에서 550pF	-	25W(Tc)
STI42N65M5	-	보상요청	7101	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ V	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	STI42N			MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						650V	33A(티씨)	10V	79m옴 @ 16.5A, 10V	5V @ 250μA	100nC @ 10V	±25V	100V에서 4650pF	-	190W(Tc)
STL42P6LLF6	1.9100	보상요청	9744	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ F6	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		175°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	STL42			MOSFET(금속)		파워플랫™(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-15479-1	EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널						60V	42A(Tc)	4.5V, 10V	26m옴 @ 4.5A, 10V	2.5V @ 250μA	30nC @ 4.5V	±20V	3780pF @ 25V	-	100W(Tc)
ST9060C	76.8980	보상요청	1686년	ST마이크로일렉트로닉스	-	상자	활동적인	94V		방역	M243	ST9060		1.5GHz	LDMOS		M243	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	50			12A			80W	17.3dB											-
STV200N55F3	-	보상요청	2554	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	PowerSO-10 옆형 하단 패드	STV200			MOSFET(금속)		10-파워SO	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	600		N채널						55V	200A(Tc)	10V	2.5m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	100nC @ 10V	±20V	25V에서 6800pF	-	300W(Tc)
STL4N10F7	0.8600	보상요청	5585	ST마이크로일렉트로닉스	DeepGATE™, STripFET™ VII	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	STL4			MOSFET(금속)		파워플랫™(3.3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널						100V	4.5A(Ta), 18A(Tc)	10V	70m옴 @ 2.25A, 10V	250μA에서 4.5V	7.8nC @ 10V	±20V	50V에서 408pF	-	2.9W(Ta), 50W(Tc)
STP7N95K3	3.1400	보상요청	499	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬3™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	STP7N95			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-8792-5	EAR99	8541.29.0095	50		N채널						950V	7.2A(Tc)	10V	1.35옴 @ 3.6A, 10V	100μA에서 5V	34nC @ 10V	±30V	100V에서 1031pF	-	150W(Tc)
STW32NM50N	6.5000	보상요청	1658년	ST마이크로일렉트로닉스	MDmesh™ II	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	STW32			MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-13284-5	EAR99	8541.29.0095	30		N채널						500V	22A(TC)	10V	130m옴 @ 11A, 10V	4V @ 250μA	62.5nC @ 10V	±25V	1973pF @ 50V	-	190W(Tc)
STGWT38IH130D	4.6300	보상요청	216	ST마이크로일렉트로닉스	파워메쉬™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩	STGWT38	기준			250W	TO-3P	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30				960V, 20A, 10옴, 15V																-	1300V	63A	125A	2.8V @ 15V, 20A	3.4mJ(꺼짐)	127nC	-/284ns
SD2931-15W	70.7850	보상요청	6725	ST마이크로일렉트로닉스	*	대부분	활동적인					SD2931						-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	25
STL100N12F7	-	보상요청	2376	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ F7	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	STL100			MOSFET(금속)		파워플랫™(5x6)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널						120V	100A(Tc)	10V	7.5m옴 @ 9A, 10V	250μA에서 4.5V	46nC @ 10V	±20V	60V에서 3300pF	-	136W(Tc)
SCT20N120AG	20.2800	보상요청	478	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55°C ~ 200°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	SCT20			SiCFET(탄화규소)		HiP247™	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30		N채널						1200V	20A(TC)	20V	239m옴 @ 10A, 20V	3.5V @ 1mA	45nC @ 20V	+25V, -10V	400V에서 650pF	-	153W(Tc)
STB80NF55-06T4	3.5600	보상요청	3294	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™ II	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	STB80			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						55V	80A(Tc)	10V	6.5m옴 @ 40A, 10V	4V @ 250μA	189nC @ 10V	±20V	25V에서 4400pF	-	300W(Tc)
PD85015STR-E	-	보상요청	1949년	ST마이크로일렉트로닉스	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	40V			PowerSO-10RF옆형 하단 패드(직선 리드 2개)	PD85015		870MHz	LDMOS		PowerSO-10RF(직선 리드)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	600			5A		150mA	15W	16dB											-										13.6V
2SD1047	4.7600	보상요청	2	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	2SD1047				100W	TO-3P	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-11320-5	EAR99	8541.29.0095	30																					140V	12A							100nA(ICBO)	NPN	700mV @ 700mA, 7A	60 @ 1A, 5V	20MHz
STW68N65DM6-4AG	12.3100	보상요청	9273	ST마이크로일렉트로닉스	자동차, AEC-Q101, MDmesh™	튜브	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-4	STW68			MOSFET(금속)		TO-247-4	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-STW68N65DM6-4AG	EAR99	8541.29.0095	30		N채널						650V	72A(Tc)		39m옴 @ 36A, 10V	250μA에서 4.75V	118nC @ 10V	±25V	100V에서 5900pF	-	480W(Tc)
RF5L15030CB2	54.4500	보상요청	5253	ST마이크로일렉트로닉스	-	대부분	활동적인	110V		방역	GXB	RF5L15030		1.5GHz	LDMOS		GXB	-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-RF5L15030CB2			180	-		1μA		200mA	30W	23.5dB											-										50V
STGWT40H65FB	4.3000	보상요청	416	ST마이크로일렉트로닉스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	STGWT40	기준			283W	TO-3P	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30				400V, 40A, 5옴, 15V																트렌치 필드스톱	650V	80A	160A	2.3V @ 15V, 40A	498mJ(켜짐), 363mJ(꺼짐)	210nC	40ns/142ns
STP318N4F6	-	보상요청	6917	ST마이크로일렉트로닉스	STripFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	497-STP318N4F6	EAR99	8541.29.0095	50		N채널						40V	160A(Tc)	10V	2.2m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	240nC @ 10V	±20V	13800000pF @ 25V	-	341W(Tc)
STFI5N95K3	2.3900	보상요청	695	ST마이크로일렉트로닉스	슈퍼메쉬3™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 풀팩, I²Pak	STFI5N			MOSFET(금속)		I2PAKFP (TO-281)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						950V	4A(TC)	10V	3.5옴 @ 2A, 10V	100μA에서 5V	19nC @ 10V	±30V	25V에서 460pF	-	25W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²