SIC
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트랜지스터 (3861)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
STW40N20 STMicroelectronics STW40N20 -
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW40N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4427-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 40A (TC) 10V 45mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 160W (TC)
STU5N65M6 STMicroelectronics STU5N65M6 0.6486
RFQ
 ECAD 4198 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu5n65 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10V 3.75V @ 250µA 5.1 NC @ 10 v ± 25V 170 pf @ 100 v - 45W (TC)
2STA2121 STMicroelectronics 2sta2121 4.4500
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA 2sta 220 w TO-264 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 250 v 17 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 25MHz
STP7N52DK3 STMicroelectronics STP7N52DK3 -
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 stmicroelectronics SuperFredmesh3 ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP7N MOSFET (금속 (() TO-220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 525 v 6A (TC) 10V 1.15ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 50µA 33 NC @ 10 v ± 30V 870 pf @ 50 v - 90W (TC)
BUL742CFP STMicroelectronics bul742cfp -
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 bul742 30 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 4 a 250µA NPN 1.5V @ 1A, 3.5A 48 @ 100MA, 5V -
STW21NM50N STMicroelectronics STW21NM50N -
RFQ
 ECAD 8794 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW21N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4806-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1950 pf @ 25 v - 140W (TC)
STFH40N60M2 STMicroelectronics STFH40N60M2 4.2920
RFQ
 ECAD 6550 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFH40 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 920 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 88mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 25V 2500 pf @ 100 v - 40W (TC)
2N2907A STMicroelectronics 2N2907A -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N29 400MW TO-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
STD2805T4 STMicroelectronics STD2805T4 1.0200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD2805 15 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 5a 200 @ 100ma, 2v 150MHz
STB33N60M6 STMicroelectronics STB33N60M6 2.7429
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB33 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-stb33n60m6tr 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250µA 33.4 NC @ 10 v ± 25V 1515 pf @ 100 v - 190W (TC)
STD65N55F3 STMicroelectronics STD65N55F3 2.4000
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8.5mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
STH140N6F7-2 STMicroelectronics STH140N6F7-2 -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH140 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 3MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 158W (TC)
MJD127T4 STMicroelectronics MJD127T4 0.7900
RFQ
 ECAD 6724 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD127 20 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 8 a 10µA pnp- 달링턴 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4v -
STW31N65M5 STMicroelectronics STW31N65M5 4.9900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW31 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 148mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 816 pf @ 100 v - 150W (TC)
STP5NK80ZFP STMicroelectronics STP5NK80ZFP 2.6100
RFQ
 ECAD 8287 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP5NK80 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 2.4ohm @ 2.15a, 10V 4.5V @ 100µa 45.5 nc @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 30W (TC)
STD55N4F5 STMicroelectronics STD55N4F5 -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ v 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD55N MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 55A (TC) 10V 8.5mohm @ 27.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 60W (TC)
SD1405 STMicroelectronics SD1405 -
RFQ
 ECAD 1957 0.00000000 stmicroelectronics - 상자 쓸모없는 200 ° C (TJ) 표면 표면 M174 SD1405 270W M174 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 13db 18V 20A NPN 20 @ 5a, 5V - -
STL36N60M6 STMicroelectronics STL36N60M6 8.8200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL36 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-19062-2 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 110mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250µA 44.3 NC @ 10 v ± 25V 1960 pf @ 100 v - 160W (TC)
STD90N03L-1 STMicroelectronics STD90N03L-1 -
RFQ
 ECAD 1875 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD90 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 80A (TC) 5V, 10V 5.7mohm @ 40a, 10V 1V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 20V 2805 pf @ 25 v - 95W (TC)
STL50DN6F7 STMicroelectronics stl50dn6f7 1.6900
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL50 MOSFET (금속 (() 62.5W Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 57A (TC) 11mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17nc @ 10V 1035pf @ 30v -
STW150NF55 STMicroelectronics STW150NF55 -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW150 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 60A, 60A, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
STF20N65M5 STMicroelectronics STF20N65M5 3.2600
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF20 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 1345 pf @ 100 v - 30W (TC)
STF3N80K5 STMicroelectronics STF3N80K5 2.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF3N80 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 2.5A (TC) 10V 3.5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 9.5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 100 v - 20W (TC)
2N2102 STMicroelectronics 2N2102 -
RFQ
 ECAD 4588 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N21 1 W. To-39 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 65 v 1 a 2NA (ICBO) NPN 500mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
STD19NF06L STMicroelectronics STD19NF06L -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 stmicroelectronics * 테이프 & tr (TR) 활동적인 STD19 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,500
STGWA25H120DF2 STMicroelectronics STGWA25H120DF2 -
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA25 기준 375 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 303 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 100 a 2.6V @ 15V, 25A 600µJ (on), 700µJ (OFF) 100 NC 29ns/130ns
STGP10NB60S STMicroelectronics STGP10NB60S 2.4200
RFQ
 ECAD 8500 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP10 기준 80 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 10A, 1KOHM, 15V - 600 v 29 a 80 a 1.75V @ 15V, 10A 600µJ (on), 5mj (OFF) 33 NC 700ns/1.2µs
STFH12N105K5 STMicroelectronics STFH12N105K5 2.5549
RFQ
 ECAD 5300 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFH12 MOSFET (금속 (() TO-220FP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STFH12N105K5 귀 99 8541.29.0095 920 n 채널 1050 v 8A (TC) 10V 1ohm @ 4a, 10V 5V @ 100µa 18.4 NC @ 10 v ± 30V 559 pf @ 100 v - 29W (TC)
STP22N60DM6 STMicroelectronics STP22N60DM6 1.7165
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP22 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 240mohm @ 7.5a, 10V 4.75V @ 250µA 20.6 NC @ 10 v ± 25V 800 pf @ 100 v - 130W (TC)
STGP10H60DF STMicroelectronics STGP10H60DF 1.8300
RFQ
 ECAD 3235 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP10 기준 115 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 10ohm, 15V 107 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 20 a 40 a 1.95V @ 15V, 10A 83µJ (on), 140µJ (OFF) 57 NC 19.5ns/103ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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