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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | STF6NK70Z | - | ![]() | 9953 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF6N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 700 v | 5A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 47 NC @ 10 v | ± 30V | 930 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB9NK70Z-1 | - | ![]() | 5086 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STB9N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 700 v | 7.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4a, 10V | 4.5V @ 100µa | 68 NC @ 10 v | ± 30V | 1370 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
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STGP30NC60S | - | ![]() | 4929 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STGP30 | 기준 | 175 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 20A, 10ohm, 15V | - | 600 v | 55 a | 150 a | 1.9V @ 15V, 20A | 300µJ (on), 1.28mj (OFF) | 96 NC | 21.5ns/180ns | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | stl7nm60n | - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-powervqfn | STL7 | MOSFET (금속 (() | 14-Powerflat ™ (5x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 5.8A (TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 25V | 363 pf @ 50 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW80H65FB | 4.3647 | ![]() | 3558 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGW80 | 기준 | 469 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 80A, 10ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 120 a | 240 a | 2V @ 15V, 80A | 2.1mj (on), 1.5mj (OFF) | 414 NC | 84ns/280ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STV250N55F3 | - | ![]() | 9161 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | Powerso-10 0 바닥 패드 | STV250 | MOSFET (금속 (() | 10-Powerso | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 55 v | 200a (TC) | 10V | 2.2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 6800 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB13N60M2 | 2.3400 | ![]() | 8212 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB13 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 25V | 580 pf @ 100 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
STL13NM60N | 3.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL13 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 385mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 790 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
STP5NB40 | - | ![]() | 3265 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP5N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 4.7A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2.3a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 405 pf @ 25 v | - | 80W (TC) |
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