SIC
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트랜지스터 (3861)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STWA88N65M5 STMicroelectronics STWA88N65M5 18.6700
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STWA88 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 84A (TC) 10V 29mohm @ 42a, 10V 5V @ 250µA 204 NC @ 10 v ± 25V 8825 pf @ 100 v - 450W (TC)
STU13N60M2 STMicroelectronics STU13N60M2 1.6700
RFQ
 ECAD 5516 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STU13 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13885-5 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 580 pf @ 100 v - 110W (TC)
STS15N4LLF3 STMicroelectronics STS15N4LLF3 -
RFQ
 ECAD 3146 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS15 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 15A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 7.5A, 10V 1V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 16V 2530 pf @ 25 v - 2.7W (TC)
STP95N4F3 STMicroelectronics STP95N4F3 1.1556
RFQ
 ECAD 4754 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP95 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.2MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
STFI40N60M2 STMicroelectronics STFI40N60M2 7.7700
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak stfi40n MOSFET (금속 (() I2PAKFP (TO-281) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 88mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 25V 2500 pf @ 100 v - 40W (TC)
STGB6M65DF2 STMicroelectronics STGB6M65DF2 1.5900
RFQ
 ECAD 9189 0.00000000 stmicroelectronics 중 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB6 기준 88 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400V, 6A, 22ohm, 15V 140 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 12 a 24 a 2V @ 15V, 6A 36µJ (on), 200µJ (OFF) 21.2 NC 15ns/90ns
STD28P3LLH6AG STMicroelectronics std28p3llh6ag -
RFQ
 ECAD 1549 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ H6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD28 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 18V 1480 pf @ 25 v - 33W (TC)
STU80N4F6 STMicroelectronics STU80N4F6 1.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STU80 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 -497-13657-5 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.3mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 25 v - 70W (TC)
STGP30NC60S STMicroelectronics STGP30NC60S -
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP30 기준 175 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 55 a 150 a 1.9V @ 15V, 20A 300µJ (on), 1.28mj (OFF) 96 NC 21.5ns/180ns
STD11NM60ND STMicroelectronics std11nm60nd 3.7100
RFQ
 ECAD 5539 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD11 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 450mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 25V 850 pf @ 50 v - 90W (TC)
A1C15S12M3 STMicroelectronics A1C15S12M3 52.8000
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 A1C15 142.8 w 3 정류기 정류기 브리지 Acepack ™ 1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17736 귀 99 8541.29.0095 36 브레이크가있는 3 인버터 단계 트렌치 트렌치 정지 1200 v 15 a 2.45V @ 15V, 15a 100 µa 예 985 pf @ 25 v
STF6NK70Z STMicroelectronics STF6NK70Z -
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF6N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 1.8ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 100µa 47 NC @ 10 v ± 30V 930 pf @ 25 v - 30W (TC)
STB9NK70Z-1 STMicroelectronics STB9NK70Z-1 -
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB9N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 7.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 4a, 10V 4.5V @ 100µa 68 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 25 v - 115W (TC)
STFU6N65 STMicroelectronics stfu6n65 1.5600
RFQ
 ECAD 982 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 stfu6 MOSFET (금속 (() TO-220FP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 2.7ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 463 pf @ 25 v - 620MW (TA), 77W (TC)
STD95P3LLH6AG STMicroelectronics std95p3llh6ag 2.4600
RFQ
 ECAD 4152 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ H6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD95 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 18V 6250 pf @ 25 v - 104W (TC)
STL10N60M2 STMicroelectronics STL10N60M2 -
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL10 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) HV - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 5.5A (TC) 10V 660mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 25V 400 pf @ 100 v - 48W (TC)
STF3LN80K5 STMicroelectronics STF3LN80K5 1.6000
RFQ
 ECAD 2459 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF3LN80 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 2A (TC) 10V 3.25ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 2.63 NC @ 10 v ± 30V 102 pf @ 100 v - 20W (TC)
STP5NK60ZFP STMicroelectronics STP5NK60ZFP -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP5NK60 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 50µA 34 NC @ 10 v ± 30V 690 pf @ 25 v - 25W (TC)
MJD32CT4-A STMicroelectronics MJD32CT4-A 1.1100
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD32 15 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 3 a 50µA PNP 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v -
STF7N65M6 STMicroelectronics STF7N65M6 0.8659
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF7 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 5A (TC) 10V 990mohm @ 2.5a, 10V 3.75V @ 250µA 6.9 NC @ 10 v ± 25V 220 pf @ 100 v - 20W (TC)
STW38N65M5-4 STMicroelectronics STW38N65M5-4 7.8300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STW38 MOSFET (금속 (() TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 95mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 25V 3000 pf @ 100 v - 190W (TC)
STGW25H120F2 STMicroelectronics STGW25H120F2 7.7800
RFQ
 ECAD 5933 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW25 기준 375 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 100 a 2.6V @ 15V, 25A 600µJ (on), 700µJ (OFF) 100 NC 29ns/130ns
IRF840 STMicroelectronics IRF840 -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF8 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-2731-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 832 pf @ 25 v - 125W (TC)
STW62NM60N STMicroelectronics stw62nm60n 14.8700
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 stw62n MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 497-13288-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 65A (TC) 10V 49mohm @ 32.5a, 10V 4V @ 250µA 174 NC @ 10 v ± 25V 5800 pf @ 100 v - 450W (TC)
STF2N62K3 STMicroelectronics STF2N62K3 1.5700
RFQ
 ECAD 737 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF2N62 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 620 v 2.2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 50µA 15 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 50 v - 20W (TC)
STFU16N65M2 STMicroelectronics STFU16N65M2 -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFU16 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 25V 718 pf @ 100 v - 25W (TC)
STW58N60DM2AG STMicroelectronics STW58N60DM2AG 12.0600
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW58 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16131-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 50A (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 25V 4100 pf @ 100 v - 360W (TC)
STL8N10F7 STMicroelectronics stl8n10f7 1.3500
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL8 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 20mohm @ 4a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 50 v - 3.5W (TA), 50W (TC)
STW25NM60N STMicroelectronics STW25NM60N -
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW25N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 25V 2400 pf @ 50 v - 160W (TC)
STFW42N60M2-EP STMicroelectronics STFW42N60M2-EP -
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 STFW42 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 87mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 25V 2370 pf @ 100 v - 63W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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