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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
STB34N65M5 STMicroelectronics STB34N65M5 6.5400
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ECAD 5674 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ V 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB34 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 28A(TC) 10V 110m옴 @ 14A, 10V 5V @ 250μA 62.5nC @ 10V ±25V 100V에서 2700pF - 190W(Tc)
STB34N50DM2AG STMicroelectronics STB34N50DM2AG 6.1200
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ECAD 1237 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB34 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500V 26A(TC) 10V 120m옴 @ 12.5A, 10V 5V @ 250μA 44nC @ 10V ±25V 100V에서 1850pF - 190W(Tc)
RF5L051K0CB4 STMicroelectronics RF5L051K0CB4 172.5000
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ECAD 5027 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 대부분 활동적인 110V 방역 D4E RF5L051K0 500MHz LDMOS D4E - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-RF5L051K0CB4 100 - 1μA 200mA 1000W 21dB - 50V
STW69N65M5-4 STMicroelectronics STW69N65M5-4 1900년 13월
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ECAD 510 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ V 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 STW69 MOSFET(금속) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-14039-5 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 58A(티씨) 10V 45m옴 @ 29A, 10V 5V @ 250μA 143nC @ 10V ±25V 100V에서 6420pF - 330W(Tc)
STB6N80K5 STMicroelectronics STB6N80K5 2.2500
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ECAD 9837 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬5™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB6N80 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 800V 4.5A(Tc) 10V 1.6옴 @ 2A, 10V 100μA에서 5V 7.5nC @ 10V 30V 100V에서 255pF - 85W(Tc)
STGF19NC60WD STMicroelectronics STGF19NC60WD 2.1800
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ECAD 19 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 파워메쉬™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STGF19 기준 32W TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 390V, 12A, 10옴, 15V 31ns - 600V 14A 2.5V @ 15V, 12A 81μJ(켜짐), 125μJ(꺼짐) 53nC 25ns/90ns
STB34NM60N STMicroelectronics STB34NM60N 10.5300
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ECAD 8271 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB34 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 29A(TC) 10V 105m옴 @ 14.5A, 10V 4V @ 250μA 84nC @ 10V ±25V 100V에서 2722pF - 250W(Tc)
STD8NM60ND STMicroelectronics STD8NM60ND -
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ECAD 7040 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 FD메시™ II 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 STD8N MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 7A(TC) 10V 700m옴 @ 3.5A, 10V 5V @ 250μA 22nC @ 10V ±30V 50V에서 560pF - 70W(Tc)
STWA57N65M5 STMicroelectronics STWA57N65M5 10.7700
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ECAD 100 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ V 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STWA57 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-13604-5 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 42A(Tc) 10V 63m옴 @ 21A, 10V 5V @ 250μA 98nC @ 10V ±25V 100V에서 4200pF - 250W(Tc)
SCT011H75G3AG STMicroelectronics SCT011H75G3AG -
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ECAD 4052 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 * 컷테이프(CT) 활동적인 SCT011H 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000
STH240N75F3-6 STMicroelectronics STH240N75F3-6 6.6600
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ECAD 6752 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ III 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) STH240 MOSFET(금속) H2PAK-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 75V 180A(Tc) 10V 3m옴 @ 90A, 10V 4V @ 250μA 87nC @ 10V ±20V 25V에서 6800pF - 300W(Tc)
STI24NM65N STMicroelectronics STI24NM65N -
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ECAD 5788 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA STI24N MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 19A(TC) 10V 190m옴 @ 9.5A, 10V 4V @ 250μA 70nC @ 10V ±25V 50V에서 2500pF - 160W(Tc)
STS3C2F100 STMicroelectronics STS3C2F100 -
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ECAD 9169 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) STS3C2 MOSFET(금속) 2W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 100V 3A 145m옴 @ 1.5A, 10V 2V @ 250μA 20nC @ 10V 460pF @ 25V 게임 레벨 레벨
BUV20 STMicroelectronics BUV20 -
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ECAD 8596 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 200°C (TJ) 방역 TO-204AA, TO-3 BUV20 250W TO-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 20 125V 50A 3mA NPN 1.2V @ 5A, 50A 20 @ 25A, 2V 8MHz
STP78NF55-08 STMicroelectronics STP78NF55-08 -
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ECAD 8323 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ II 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 STP78N MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 55V 80A(Tc) 10V 8m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 155nC @ 10V ±20V 3740pF @ 25V - 300W(Tc)
STW13N80K5 STMicroelectronics STW13N80K5 4.6400
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ECAD 7652 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬5™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STW13 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 800V 12A(TC) 10V 450m옴 @ 6A, 10V 100μA에서 5V 29nC @ 10V ±30V 100V에서 870pF - 190W(Tc)
STU2LN60K3 STMicroelectronics STU2LN60K3 -
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ECAD 100 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 슈퍼메쉬3™ 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA STU2LN60 MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 600V 2A(TC) 10V 4.5옴 @ 1A, 10V 50μA에서 4.5V 12nC @ 10V ±30V 50V에서 235pF - 45W(Tc)
STGW20V60DF STMicroelectronics STGW20V60DF 3.9100
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ECAD 637 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STGW20 기준 167W TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-13763-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15V 40ns 트렌치 필드스톱 600V 40A 80A 2.2V @ 15V, 20A 200μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) 116nC 38ns/149ns
2ST31A STMicroelectronics 2ST31A 1.0500
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2ST31 40W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-11083-5 EAR99 8541.29.0095 50 60V 3A 300μA NPN 1.2V @ 375mA, 3A 100 @ 20mA, 4V -
STGB10H60DF STMicroelectronics STGB10H60DF 1.9100
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ECAD 5 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STGB10 기준 115W D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 10A, 10옴, 15V 107ns 트렌치 필드스톱 600V 20A 40A 1.95V @ 15V, 10A 83μJ(켜짐), 140μJ(꺼짐) 57nC 19.5ns/103ns
STF18N65DM2 STMicroelectronics STF18N65DM2 1.4320
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ECAD 1870년 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 STF18 MOSFET(금속) TO-220FP - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-STF18N65DM2 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 12A(TC) 10V 295m옴 @ 6A, 10V 5V @ 250μA 22nC @ 10V ±25V 100V에서 965pF - 28W(Tc)
STW63N65DM2 STMicroelectronics STW63N65DM2 8.4337
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ECAD 4062 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STW63 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 600 N채널 650V 60A(Tc) 10V 50m옴 @ 30A, 10V 5V @ 250μA 120nC @ 10V ±25V 100V에서 5500pF - 446W(Tc)
STC03DE170HP STMicroelectronics STC03DE170HP -
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ECAD 7778 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 ESBT® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 1700V(1.7kV) 마더보드 드라이버 스루홀 TO-247-4 STC03D TO-247-4L - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 3A NPN - 이미터 전환 기간
STL36N60DM6 STMicroelectronics STL36N60DM6 -
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ECAD 2014년 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ DM6 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN STL36 MOSFET(금속) PowerFlat™(8x8) HV - 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-STL36N60DM6TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 600V 15A(Tc) 10V 215m옴 @ 7.5A, 10V 250μA에서 4.75V 24nC @ 10V ±25V 100V에서 940pF - 110W(Tc)
2SD2012 STMicroelectronics 2SD2012 -
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ECAD 8946 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2 25W TO-220F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 497-5900-5 EAR99 8541.29.0095 50 60V 3A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 200mA, 2A 100 @ 500mA, 5V 3MHz
BDW93C STMicroelectronics BDW93C 0.9600
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ECAD 3739 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BDW93 80W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 100V 12A 1mA NPN-달링턴 3V @ 100mA, 10A 750 @ 5A, 3V -
STD100N10F7 STMicroelectronics STD100N10F7 2.8800
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ECAD 26 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 DeepGATE™, STripFET™ VII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 성병100 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 80A(Tc) 10V 8m옴 @ 40A, 10V 250μA에서 4.5V 61nC @ 10V ±20V 50V에서 4369pF - 120W(Tc)
STL120N2VH5 STMicroelectronics STL120N2VH5 2.5500
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ECAD 2 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 STripFET™ V 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN STL120 MOSFET(금속) 파워플랫™(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 120A(Tc) 2.5V, 4.5V 3m옴 @ 14A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 29nC @ 2.5V ±8V 4660pF @ 15V - 80W(Tc)
STB32NM50N STMicroelectronics STB32NM50N 4.2500
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ECAD 5419 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 MDmesh™ II 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB STB32 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500V 22A(TC) 10V 130m옴 @ 11A, 10V 4V @ 250μA 62.5nC @ 10V ±25V 1973pF @ 50V - 190W(Tc)
STW58N65DM2AG STMicroelectronics STW58N65DM2AG 11.6700
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ECAD 8672 0.00000000 ST마이크로일렉트로닉스 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 STW58 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 48A(TC) 10V 65m옴 @ 24A, 10V 5V @ 250μA 88nC @ 10V ±25V 100V에서 4100pF - 360W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고