SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRG7PH28UD1PBF Infineon Technologies irg7ph28ud1pbf -
RFQ
ECAD 5921 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph 기준 115 w TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001536202 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 15a, 22ohm, 15V 도랑 1200 v 30 a 100 a 2.3V @ 15V, 15a 543µJ (OFF) 90 NC -/229ns
F1235R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies F1235R12KT4GBOSA1 -
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 210 W. 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 35 a 2.15V @ 15V, 35A 1 MA 아니요 2 NF @ 25 v
IRG4BC30KD-SPBF Infineon Technologies IRG4BC30KD-SPBF -
RFQ
ECAD 4087 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC30KD-SPBF 기준 100 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 28 a 56 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 67 NC 60ns/160ns
BFP181E7764 Infineon Technologies BFP181E7764 0.0700
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA 175MW PG-SOT143-4 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 2,900 21db 12V 20MA NPN 70 @ 70ma, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRLR3717TRPBF Infineon Technologies IRLR3717TRPBF -
RFQ
ECAD 8613 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001553200 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 20V 2830 pf @ 10 v - 89W (TC)
HIGFED1BOSA1 Infineon Technologies Higfed1bosa1 -
RFQ
ECAD 6279 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 - - - Higfed1 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000713564 쓸모없는 0000.00.0000 1 - - -
IRF3711ZSTRR Infineon Technologies IRF3711ZSTRR -
RFQ
ECAD 8460 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
IRFZ44EL Infineon Technologies IRFZ44EL -
RFQ
ECAD 6587 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ44EL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 48A (TC) 10V 23mohm @ 29a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 25 v - 110W (TC)
SPP24N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP24N60C3XKSA1 6.6600
RFQ
ECAD 175 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP24N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 24.3A (TC) 10V 160mohm @ 15.4a, 10V 3.9V @ 1.2MA 135 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 240W (TC)
FZ1200R12KF4NOSA1 Infineon Technologies FZ1200R12KF4NOSA1 -
RFQ
ECAD 7347 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 7800 w 기준 - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 1200 v 1200 a 3.2V @ 15V, 1.2ka 16 MA 아니요 90 NF @ 25 v
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R090M1HXKSA1 14.1900
RFQ
ECAD 665 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMZ120 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 26A (TC) 15V, 18V 117mohm @ 8.5a, 18V 5.7v @ 3.7ma 21 NC @ 18 v +23V, -7v 707 pf @ 800 v - 115W (TC)
SPP80N08S2-07 Infineon Technologies SPP80N08S2-07 -
RFQ
ECAD 5251 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 6130 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPI120N06S403AKSA1 Infineon Technologies IPI120N06S403AKSA1 -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI120N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 120µA 160 nc @ 10 v ± 20V 13150 pf @ 25 v - 167W (TC)
FD800R17HP4-K_B2 Infineon Technologies FD800R17HP4-K_B2 1.0000
RFQ
ECAD 135 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FD800R 5200 w 기준 AG-IHVB130-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 단일 단일 - 1700 v 800 a - 5 MA 아니요
IRG4CC50WC Infineon Technologies IRG4CC50WC -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 주사위 IRG4CC 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - 33 ns - 600 v 27 a - - -
IRGP4263PBF Infineon Technologies IRGP4263PBF -
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 300 w TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10ohm, 15V - 650 v 90 a 192 a 2.1V @ 15V, 48A 1.7mj (on), 1mj (Off) 150 NC 70ns/140ns
FZ1000R33HL3BPSA1 Infineon Technologies FZ1000R33HL3BPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 8451 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1000 1600 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 3300 v 1000 a 2.85V @ 15V, 1000A 5 MA 아니요 190 NF @ 25 v
BCR10PNB6327XT Infineon Technologies bcr10pnb6327xt -
RFQ
ECAD 1554 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR10 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 30,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10kohms 10kohms
IRF2807Z Infineon Technologies IRF2807Z -
RFQ
ECAD 7281 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3270 pf @ 25 v - 170W (TC)
FP10R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies FP10R12W1T7B3BOMA1 43.5000
RFQ
ECAD 5105 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP10R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Easy1b-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 10 a 1.6V @ 15V, 10A (타이핑) 4.5 µA 1.89 NF @ 25 v
AUIRFN8403TR Infineon Technologies auirfn8403tr -
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFN8403 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 95A (TC) 10V 3.3mohm @ 50a, 10V 3.9V @ 100µA 98 NC @ 10 v ± 20V 3174 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 94W (TC)
MMBT3906LT1HTSA1 Infineon Technologies MMBT3906LT1HTSA1 0.3900
RFQ
ECAD 57 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
IRL3803S Infineon Technologies IRL3803S -
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3803S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 5000 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPD14N06S280ATMA1 Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA1 -
RFQ
ECAD 6172 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD14N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 80mohm @ 7a, 10V 4V @ 14µA 10 nc @ 10 v ± 20V 293 pf @ 25 v - 47W (TC)
IRL3803STRLPBF Infineon Technologies irl3803strlpbf 2.6700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL3803 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 5000 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRLU120NPBF Infineon Technologies IRLU120NPBF 1.0000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu120 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 10A (TC) 4V, 10V 185mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 16V 440 pf @ 25 v - 48W (TC)
FP35R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2 119.8200
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP35R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 35 a 1.6V @ 15V, 35A 7 µA 6.62 NF @ 25 v
AUIRF6218S Infineon Technologies AUIRF6218S -
RFQ
ECAD 2588 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 150 v 27A (TC) 10V 150mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2210 pf @ 25 v - 250W (TC)
SPW11N60S5 Infineon Technologies SPW11N60S5 1.8800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 5.5v @ 500µa 54 NC @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 125W (TC)
IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RATMA1 1.9600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD15N60 기준 250 W. PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 15a, 15ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V, 15a 370µJ (ON), 530µJ (OFF) 90 NC 16ns/183ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고