SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 트랜지스터 트랜지스터
AUIRFN8405TR Infineon Technologies auirfn8405tr 1.4978
RFQ
ECAD 3725 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn AUIRFN8405 MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 95A (TC) 10V 2MOHM @ 50A, 10V 3.9V @ 100µA 117 NC @ 10 v ± 20V 5142 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 136W (TC)
IRLHS2242TR2PBF Infineon Technologies irlhs2242tr2pbf -
RFQ
ECAD 7601 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 6-powervdfn MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 p 채널 20 v 7.2A (TA), 15A (TC) 31mohm @ 8.5a, 4.5v 1.1V @ 10µA 12 nc @ 10 v 877 pf @ 10 v -
IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies IRLR3636TRLPBF 1.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR3636 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µa 49 NC @ 4.5 v ± 16V 3779 pf @ 50 v - 143W (TC)
AUIRF7738L2TR Infineon Technologies AUIRF7738L2TR -
RFQ
ECAD 2090 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L6 AUIRF7738 MOSFET (금속 (() DirectFet L6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001515758 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 35A (TA), 130A (TC) 10V 1.6mohm @ 109a, 10V 4V @ 250µA 194 NC @ 10 v ± 20V 7471 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 94W (TC)
AUIRFR2905Z Infineon Technologies auirfr2905z 1.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR2905 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518150 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
AUIRFR4105 Infineon Technologies AUIRFR4105 -
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522204 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 45mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRF9395MTRPBF Infineon Technologies IRF9395MTRPBF -
RFQ
ECAD 4892 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MC IRF9395 MOSFET (금속 (() 2.1W DirectFet ™ MC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566526 귀 99 8541.29.0095 4,800 2 p 채널 (채널) 30V 14a 7mohm @ 14a, 10V 2.4V @ 50µA 64NC @ 10V 3241pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRF7703GTRPBF Infineon Technologies IRF7703GTRPBF -
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 6A (TA) 4.5V, 10V 28mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 62 NC @ 4.5 v ± 20V 5220 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
IRF7702GTRPBF Infineon Technologies IRF7702GTRPBF -
RFQ
ECAD 2171 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 12 v 8A (TA) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 81 NC @ 4.5 v ± 8V 3470 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies IRFS4321TRLPBF 3.8500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS4321 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 85A (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 4460 pf @ 25 v - 350W (TC)
IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies IRFS3806TRLPBF 1.4100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS3806 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 43A (TC) 10V 15.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 50µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 50 v - 71W (TC)
IRF7309QTRPBF Infineon Technologies IRF7309QTRPBF -
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 1.4W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 4A, 3A 50mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 4.5V 520pf @ 15V -
IRLR7843CTRPBF Infineon Technologies IRLR7843CTRPBF -
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 30 v 161A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4380 pf @ 15 v - 140W (TC)
IRF7910TRPBF Infineon Technologies IRF7910TRPBF -
RFQ
ECAD 5818 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7910 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 12V 10A 15mohm @ 8a, 4.5v 2V @ 250µA 26NC @ 4.5V 1730pf @ 6v 논리 논리 게이트
IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies IRF520NSTRLPBF -
RFQ
ECAD 2099 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF520 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9.7A (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 48W (TC)
IRFS5620PBF Infineon Technologies IRFS5620PBF -
RFQ
ECAD 2922 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565120 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 77.5mohm @ 15a, 10V 5V @ 100µa 38 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 50 v - 144W (TC)
IRFU2607ZPBF Infineon Technologies IRFU2607ZPBF -
RFQ
ECAD 1103 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576352 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10V 4V @ 50µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 25 v - 110W (TC)
BCV61BE6433HTMA1 Infineon Technologies BCV61BE6433HTMA1 0.1302
RFQ
ECAD 9563 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 PG-SOT-143-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100ma 2 npn,, 수집기 접합부
IKD04N60RF Infineon Technologies IKD04N60RF -
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD04N 기준 75 w PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 43OHM, 15V 34 ns 도랑 600 v 8 a 12 a 2.5V @ 15V, 4A 110µJ 27 NC 12ns/116ns
IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies IPD100N04S402ATMA1 2.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD100 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2MOHM @ 100A, 10V 4V @ 95µA 118 NC @ 10 v ± 20V 9430 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPD65R660CFDBTMA1 Infineon Technologies IPD65R660CFDBTMA1 -
RFQ
ECAD 9895 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 6A (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 615 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
BSS126H6906XTSA1 Infineon Technologies BSS126H6906XTSA1 0.7600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS126 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 600 v 21MA (TA) 0V, 10V 500ohm @ 16ma, 10V 1.6V @ 8µA 2.1 NC @ 5 v ± 20V 28 pf @ 25 v 고갈 고갈 500MW (TA)
IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies IHW30N110R3FKSA1 4.2700
RFQ
ECAD 190 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IHW30N110 기준 333 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 600V, 30A, 15ohm, 15V 도랑 1100 v 60 a 90 a 1.75V @ 15V, 30A 1.15MJ (OFF) 180 NC -/350ns
IKW20N60TAFKSA1 Infineon Technologies IKW20N60TAFKSA1 -
RFQ
ECAD 4622 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW20N60 기준 166 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 400V, 20A, 12ohm, 15V 41 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 40 a 60 a 2.05V @ 15V, 20A 770µJ 120 NC 18ns/199ns
IPA65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA1 -
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 17.5A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4.5V @ 730µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 100 v - 34W (TC)
IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPI90N04S402AKSA1 3.1900
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI90N04 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 2.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 95µA 118 NC @ 10 v ± 20V 9430 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies IPB100N06S205ATMA4 -
RFQ
ECAD 8865 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 100A (TC) 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5110 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPD25CN10NGATMA1 1.4700
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD25CN10 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 25mohm @ 35a, 10V 4V @ 39µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2070 pf @ 50 v - 71W (TC)
IPD65R600E6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R600E6ATMA1 -
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ E6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R600 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
IPP80N06S2H5AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2H5AKSA2 -
RFQ
ECAD 5022 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 5.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 155 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고