- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FS950R08A6P2BBPSA1 | 917.7000 |  | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hybridpack ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS950R08 | 870 W. | 기준 | Ag-Hybridd-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 750 v | 950 a | 1.35V @ 15V, 450A | 1 MA | 예 | 80 nf @ 50 v | ||||||||||||||||||||
 | irl2203nstrr | - | | 8315 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 116A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 4.5 v | ± 16V | 3290 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 180W (TC) | |||||||||||||||||||
 | BSC014N06NSSCATMA1 | 3.6000 | | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | BSC014 | MOSFET (금속 (() | PG-WSON-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 60 v | 261A (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 50a, 10V | 3.3V @ 120µA | 104 NC @ 10 v | ± 20V | 8125 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 188W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPP052NE7N3GXKSA1 | 2.9400 | | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP052 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10V | 3.8V @ 91µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 4750 pf @ 37.5 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPD50N04S308ATMA1 | 0.6684 | | 1845 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 40µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2350 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||
 | irfhm8329trpbf | - | | 9501 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PQFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TA), 57A (TC) | 4.5V, 10V | 6.1MOHM @ 20A, 10V | 25µa @ 2.2v | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 10 v | - | 2.6W (TA), 33W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRGP4760-EPBF | - | | 7167 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 325 w | TO-247AD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001535750 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 48A, 10ohm, 15V | - | 650 v | 90 a | 144 a | 2V @ 15V, 48A | 1.7mj (on), 1mj (Off) | 145 NC | 70ns/140ns | ||||||||||||||||||||
| BSZ035N03LSGATMA1 | 1.6700 | | 5634 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ035 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPB024N08NF2SATMA1 | 3.1100 | | 779 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB024N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 80 v | 107A (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 85µA | 133 NC @ 10 v | ± 20V | 6200 pf @ 40 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPB140N08S404ATMA1 | - | | 5051 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB140 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 140A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 100µa | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 25 v | - | 161W (TC) | ||||||||||||||||||
 | ISC16DP15LMATMA1 | 2.7900 | | 3539 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-ISC16DP15LMATMA1CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R750E6 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos E6 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 5.7A (TC) | 10V | 750mohm @ 2a, 10V | 3.5V @ 170µA | 17.2 NC @ 10 v | ± 20V | 373 PF @ 100 v | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||
 | ipi126n10n3gxksa1 | 0.6900 | | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 58A (TC) | 6V, 10V | 12.6MOHM @ 46A, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 50 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | 2.0700 | | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP180 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 43A (TC) | 6V, 10V | 18mohm @ 33a, 10V | 3.5V @ 33µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPA60R125cp | - | | 1680 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 16a, 10V | 3.5v @ 1.1ma | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF7739L1TRPBF | 5.3200 | | 5370 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | IRF7739 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 46A (TA), 270A (TC) | 10V | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 20V | 11880 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||
 | BSO300N03S | - | | 7984 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 5.7A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.2a, 10V | 2V @ 8µA | 4.6 NC @ 5 v | ± 20V | 600 pf @ 15 v | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | IST006N04NM6AUMA1 | 3.8800 | | 1241 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 5-powersfn | IST006 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-5-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 58A (TA), 475A (TC) | 6V, 10V | 0.6MOHM @ 100A, 10V | 3.3V @ 250µA | 178 NC @ 10 v | ± 20V | 8800 pf @ 20 v | - | 3.8W (TA), 250W (TC) | ||||||||||||||||||
 | ISZ0703NLSATMA1 | 1.1100 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | ISZ0703N | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-25 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 13A (TA), 56A (TC) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 15µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | ||||||||||||||||||
 | spa11n60cfdxksa1 | 2.5347 | | 6513 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | spa11n60 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 440mohm @ 7a, 10V | 5V @ 1.9ma | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IKZA50N65SS5XKSA1 | 14.9500 | | 460 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ 5 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IKZA50 | 기준 | 274 w | PG-to247-4-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 9ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 80 a | 200a | 1.7V @ 15V, 50A | 230µJ (on), 520µJ (OFF) | 110 NC | 19ns/140ns | |||||||||||||||||||
 | IPI530N15N3GXKSA1 | - | | 5036 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI530 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 150 v | 21A (TC) | 8V, 10V | 53mohm @ 18a, 10V | 4V @ 35µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 887 pf @ 75 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||
| IAUZ20N08S5L300ATMA1 | 1.1300 | | 7150 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IAUZ20 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-32 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 10a, 10V | 2V @ 8µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 599 pf @ 40 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPB65R225C7ATMA1 | - | | 2290 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 996 pf @ 400 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||
| spu02n60s5 | - | | 9583 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 1.8A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10V | 5.5V @ 80µa | 9.5 nc @ 10 v | ± 20V | 240 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IAUC100N08S5N031ATMA1 | 2.8800 | | 2499 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IAUC100 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 3.1mohm @ 50a, 10V | 3.8V @ 95µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 5525 pf @ 40 v | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||
| auirlr120n | - | | 3129 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001521880 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 10A (TC) | 4V, 10V | 185mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 16V | 440 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||
| irg7pk42ud1mpbf | - | | 8358 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | irg7pk | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | SP001542046 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF2903ZPBF | 1.6468 | | 9665 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF2903 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6320 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||
| F3L600R10W3S7B11BPSA1 | 146.6700 | | 7719 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-F3L600R10W3S7B11BPSA1 | 8 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)