전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 트랜지스터 트랜지스터 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | auirfn8405tr | 1.4978 | ![]() | 3725 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | AUIRFN8405 | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 95A (TC) | 10V | 2MOHM @ 50A, 10V | 3.9V @ 100µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 5142 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irlhs2242tr2pbf | - | ![]() | 7601 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | p 채널 | 20 v | 7.2A (TA), 15A (TC) | 31mohm @ 8.5a, 4.5v | 1.1V @ 10µA | 12 nc @ 10 v | 877 pf @ 10 v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3636TRLPBF | 1.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3636 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 100µa | 49 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3779 pf @ 50 v | - | 143W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7738L2TR | - | ![]() | 2090 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L6 | AUIRF7738 | MOSFET (금속 (() | DirectFet L6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001515758 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 35A (TA), 130A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 109a, 10V | 4V @ 250µA | 194 NC @ 10 v | ± 20V | 7471 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfr2905z | 1.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR2905 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518150 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 14.5mohm @ 36a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1380 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR4105 | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001522204 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 20A (TC) | 10V | 45mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF9395MTRPBF | - | ![]() | 4892 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MC | IRF9395 | MOSFET (금속 (() | 2.1W | DirectFet ™ MC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001566526 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 14a | 7mohm @ 14a, 10V | 2.4V @ 50µA | 64NC @ 10V | 3241pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||
IRF7703GTRPBF | - | ![]() | 7860 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 40 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 62 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5220 pf @ 25 v | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
IRF7702GTRPBF | - | ![]() | 2171 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 12 v | 8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 8a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 81 NC @ 4.5 v | ± 8V | 3470 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4321TRLPBF | 3.8500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4321 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 85A (TC) | 10V | 15mohm @ 33a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 4460 pf @ 25 v | - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFS3806TRLPBF | 1.4100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS3806 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 43A (TC) | 10V | 15.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 50µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF7309QTRPBF | - | ![]() | 4310 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF73 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 및 p 채널 | 30V | 4A, 3A | 50mohm @ 2.4a, 10V | 1V @ 250µA | 25NC @ 4.5V | 520pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR7843CTRPBF | - | ![]() | 2871 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n 채널 | 30 v | 161A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4380 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF7910TRPBF | - | ![]() | 5818 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7910 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 12V | 10A | 15mohm @ 8a, 4.5v | 2V @ 250µA | 26NC @ 4.5V | 1730pf @ 6v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF520NSTRLPBF | - | ![]() | 2099 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF520 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 9.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 330 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFS5620PBF | - | ![]() | 2922 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565120 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 24A (TC) | 10V | 77.5mohm @ 15a, 10V | 5V @ 100µa | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFU2607ZPBF | - | ![]() | 1103 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001576352 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 22mohm @ 30a, 10V | 4V @ 50µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 1440 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BCV61BE6433HTMA1 | 0.1302 | ![]() | 9563 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 30V | 현재 현재 | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BCV61 | PG-SOT-143-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 100ma | 2 npn,, 수집기 접합부 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKD04N60RF | - | ![]() | 7108 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IKD04N | 기준 | 75 w | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 4A, 43OHM, 15V | 34 ns | 도랑 | 600 v | 8 a | 12 a | 2.5V @ 15V, 4A | 110µJ | 27 NC | 12ns/116ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IPD100N04S402ATMA1 | 2.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD100 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 2MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 95µA | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 9430 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IPD65R660CFDBTMA1 | - | ![]() | 9895 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 6A (TC) | 10V | 660mohm @ 2.1a, 10V | 4.5V @ 200µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 615 pf @ 100 v | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | BSS126H6906XTSA1 | 0.7600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS126 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 21MA (TA) | 0V, 10V | 500ohm @ 16ma, 10V | 1.6V @ 8µA | 2.1 NC @ 5 v | ± 20V | 28 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | IHW30N110R3FKSA1 | 4.2700 | ![]() | 190 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IHW30N110 | 기준 | 333 w | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 600V, 30A, 15ohm, 15V | 도랑 | 1100 v | 60 a | 90 a | 1.75V @ 15V, 30A | 1.15MJ (OFF) | 180 NC | -/350ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IKW20N60TAFKSA1 | - | ![]() | 4622 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IKW20N60 | 기준 | 166 w | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 20A, 12ohm, 15V | 41 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 40 a | 60 a | 2.05V @ 15V, 20A | 770µJ | 120 NC | 18ns/199ns | |||||||||||||||||||
![]() | IPA65R190CFDXKSA1 | - | ![]() | 3510 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 17.5A (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10V | 4.5V @ 730µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1850 pf @ 100 v | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||
IPI90N04S402AKSA1 | 3.1900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI90N04 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 90a, 10V | 4V @ 95µA | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 9430 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IPB100N06S205ATMA4 | - | ![]() | 8865 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB100 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 100A (TC) | 10V | 4.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 5110 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IPD25CN10NGATMA1 | 1.4700 | ![]() | 1718 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD25CN10 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 25mohm @ 35a, 10V | 4V @ 39µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 2070 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IPD65R600E6ATMA1 | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ E6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R600 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 210µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S2H5AKSA2 | - | ![]() | 5022 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 80a, 10V | 4V @ 230µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 300W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고