SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L35AATMA1 1.2800
RFQ
ECAD 5813 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 65W PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 55V 20A (TC) 35mohm @ 15a, 10V 2V @ 27µA 23NC @ 10V 790pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRF7807D1TR Infineon Technologies IRF7807D1TR -
RFQ
ECAD 9185 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001577472 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
FZ1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies FZ1200R12KE3NOSA1 822.1000
RFQ
ECAD 58 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 5600 w 기준 - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 - 1200 v 1700 a 2.15V @ 15V, 1.2KA 5 MA 아니요 86 NF @ 25 v
SPB80N06S2L-06 Infineon Technologies SPB80N06S2L-06 -
RFQ
ECAD 8031 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 69a, 10V 2V @ 180µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5050 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRFB42N20D Infineon Technologies IRFB42N20D -
RFQ
ECAD 8807 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB42N20D 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 44A (TC) 10V 55mohm @ 26a, 10V 5.5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 3430 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 330W (TC)
IRL3103D1 Infineon Technologies IRL3103D1 -
RFQ
ECAD 8867 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3103D1 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 34a, 10V 1V @ 250µA 43 NC @ 4.5 v ± 16V 1900 pf @ 25 v - 2W (TA), 89W (TC)
IRG7PH37K10D-EPBF Infineon Technologies IRG7PH37K10D-EPBF -
RFQ
ECAD 5707 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph 기준 216 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001549436 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 15a, 10ohm, 15V 120 ns - 1200 v 45 a 60 a 2.4V @ 15V, 15a 1mj (on), 600µJ (OFF) 135 NC 50ns/240ns
IPA65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA2 4.0800
RFQ
ECAD 461 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 17.5A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4.5V @ 700µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 100 v - 34W (TC)
IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies IRLR3636TRLPBF 1.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR3636 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µa 49 NC @ 4.5 v ± 16V 3779 pf @ 50 v - 143W (TC)
AUIRL3705Z Infineon Technologies auirl3705z -
RFQ
ECAD 2305 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001519682 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 52a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 16V 2880 pf @ 25 v - 130W (TC)
IPD380P06NMATMA1 Infineon Technologies IPD380P06NMATMA1 2.3500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD380 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 35A (TC) 10V 38mohm @ 35a, 10V 4V @ 1.7ma 63 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 30 v - 125W (TC)
BFQ790H6327XTSA1 Infineon Technologies BFQ790H6327XTSA1 2.3400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-243AA BFQ790 1.5W PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 17dB 6.1V 300ma NPN 60 @ 250ma, 5V 1.85GHz 2.6dB @ 1.8GHz
IRF6716MTR1PBF Infineon Technologies IRF6716MTR1PBF -
RFQ
ECAD 7290 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 39A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 40a, 10V 2.4V @ 100µa 59 NC @ 4.5 v ± 20V 5150 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 78W (TC)
IPSA70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies IPSA70R900P7SAKMA1 0.8500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPSA70 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60µA 6.8 NC @ 400 v ± 16V 211 PF @ 400 v - 30.5W (TC)
IPI070N06N G Infineon Technologies IPI070N06N g -
RFQ
ECAD 6738 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI070N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 7mohm @ 80a, 10V 4V @ 180µA 118 NC @ 10 v ± 20V 4100 pf @ 30 v - 250W (TC)
IRF3546MTRPBF Infineon Technologies IRF3546MTRPBF -
RFQ
ECAD 8084 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 41-powervfqfn IRF3546 MOSFET (금속 (() - 41-PQFN (6x8) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 4 n 채널 25V 16A (TC), 20A (TC) 3.9mohm @ 27a, 10V 2.1V @ 35µA 15NC @ 4.5V 1310pf @ 13v 논리 논리 게이트
IRF2804SPBF Infineon Technologies IRF2804SPBF -
RFQ
ECAD 9983 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF7450TR Infineon Technologies IRF7450TR -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 200 v 2.5A (TA) 10V 170mohm @ 1.5a, 10V 5.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 940 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRFH7936TR2PBF Infineon Technologies IRFH7936TR2PBF -
RFQ
ECAD 2429 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 20A (TA), 54A (TC) 4.8mohm @ 20a, 10V 2.35V @ 50µA 26 NC @ 4.5 v 2360 pf @ 15 v -
92-0065 Infineon Technologies 92-0065 -
RFQ
ECAD 7957 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRG4BC 기준 160 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 600 v 60 a 1.5V @ 15V, 31A
IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R099C7AUMA1 7.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL65R099 MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 99mohm @ 5.9a, 10V 4V @ 590µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2140 pf @ 400 v - 128W (TC)
IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies IPP110N20NAAKSA1 9.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Optimwatt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP110 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 88A (TC) 10V 10.7mohm @ 88a, 10V 4V @ 270µA 87 NC @ 10 v ± 20V 7100 pf @ 100 v - 300W (TC)
IRF3711SPBF Infineon Technologies IRF3711SPBF -
RFQ
ECAD 8155 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 110A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
BCR108SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR108SE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 3550 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR108 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
AUIRLR3915TRL Infineon Technologies auirlr3915trl -
RFQ
ECAD 4634 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001520744 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 30A (TC) 14mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 92 NC @ 10 v 1870 pf @ 25 v - 120W (TC)
IRFR12N25DTRPBF Infineon Technologies Irfr12n25dtrpbf -
RFQ
ECAD 2319 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001556902 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 260mohm @ 8.4a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 810 pf @ 25 v - 144W (TC)
IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R600P7SATMA1 0.9700
RFQ
ECAD 3946 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN60R600 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 6A (TC) 10V 600mohm @ 1.7a, 10V 4V @ 80µa 9 NC @ 10 v ± 20V 363 pf @ 400 v - 7W (TC)
BSO330N02KGFUMA1 Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1 -
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO330N02 MOSFET (금속 (() 1.4W PG-DSO-8 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 5.4A 30mohm @ 6.5a, 4.5v 1.2V @ 20µA 4.9nc @ 4.5v 730pf @ 10V 논리 논리 게이트
F3L400R07ME4B22BOSA1 Infineon Technologies F3L400R07ME4B22BOSA1 277.9700
RFQ
ECAD 1048 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F3L400 1150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 650 v 450 a 1.95V @ 15V, 400A 26 NF @ 25 v
BUZ355 Infineon Technologies BUZ355 -
RFQ
ECAD 8673 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고