SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IRGPC50U Infineon Technologies irgpc50u -
RFQ
ECAD 5961 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 200 w TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 600 v 55 a 3V @ 15V, 27A
IRG4IBC20UDPBF Infineon Technologies irg4ibc20udpbf -
RFQ
ECAD 5908 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 34 W. TO-220AB Full-Pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 480V, 6.5A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 11.4 a 52 a 2.1V @ 15V, 6.5A 160µJ (on), 130µJ (OFF) 27 NC 39ns/93ns
IRLSL3034PBF Infineon Technologies irlsl3034pbf -
RFQ
ECAD 9246 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001558586 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 195a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 195a, 10V 2.5V @ 250µA 162 NC @ 4.5 v ± 20V 10315 pf @ 25 v - 375W (TC)
IPI80N04S204AKSA1 Infineon Technologies IPI80N04S204AKSA1 -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 300W (TC)
BC858BE6433HTMA1 Infineon Technologies BC858BE6433HTMA1 0.0489
RFQ
ECAD 8440 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF1010NSTRRPBF Infineon Technologies irf1010nstrrpbf -
RFQ
ECAD 6510 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1010 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570042 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 85A (TC) 10V 11mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 3210 pf @ 25 v - 180W (TC)
BC857CWH6327 Infineon Technologies BC857CWH6327 0.0500
RFQ
ECAD 336 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 7,053 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF8113GTRPBF Infineon Technologies IRF8113GTRPBF -
RFQ
ECAD 9321 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 17.2A (TA) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 17.2a, 10V 2.2V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ± 20V 2910 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRG5K75HF06A Infineon Technologies IRG5K75HF06A -
RFQ
ECAD 5067 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 34 4 IRG5K75 330 w 기준 Powir® 34 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001548060 귀 99 8541.29.0095 20 반 반 - 600 v 140 a 2.1V @ 15V, 75A 1 MA 아니요 3.6 NF @ 25 v
IRG4BH20K-SPBF Infineon Technologies IRG4BH20K-SPBF -
RFQ
ECAD 8802 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BH20 기준 60 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 960V, 5A, 50ohm, 15V - 1200 v 11 a 22 a 4.3V @ 15V, 5A 450µJ (on), 440µJ (OFF) 28 NC 23ns/93ns
IRG4BC30SPBF Infineon Technologies IRG4BC30SPBF -
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 100 W. TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 18A, 23OHM, 15V - 600 v 34 a 68 a 1.6V @ 15V, 18A 260µJ (on), 3.45mj (OFF) 50 NC 22ns/540ns
IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW40N120H3FKSA1 9.2400
RFQ
ECAD 93 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW40N120 기준 483 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 12ohm, 15V 355 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 160 a 2.4V @ 15V, 40A 4.4mj 185 NC 30ns/290ns
PTFA142401ELV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA142401ELV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 2373 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-33288-2 1.5GHz LDMOS H-33288-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 2 a 240W 16.5dB - 30 v
BC 807-40W H6327 Infineon Technologies BC 807-40W H6327 -
RFQ
ECAD 2907 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC 807 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 200MHz
FS300R17OE4BOSA1 Infineon Technologies FS300R17OE4BOSA1 826.7500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS300R17 1850 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1700 v 450 a 2.3V @ 15V, 300A 3 MA 24.5 NF @ 25 v
IPB80N06S405ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S405ATMA1 -
RFQ
ECAD 7954 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 5.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 60µA 81 NC @ 10 v ± 20V 6500 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRG7PH46UPBF Infineon Technologies irg7ph46upbf -
RFQ
ECAD 2174 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph 기준 469 w TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 40A, 10ohm, 15V 도랑 1200 v 130 a 160 a 2V @ 15V, 40A 2.56mj (on), 1.78mj (OFF) 220 NC 45NS/410NS
SPD1305NL Infineon Technologies spd1305nl 0.1900
RFQ
ECAD 75 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
BFP405FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP405FH6327XTSA1 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-SMD,, 리드 BFP405 4-TSFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
SPI70N10L Infineon Technologies SPI70N10L -
RFQ
ECAD 1082 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi70n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014005 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 70A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 2V @ 2MA 240 NC @ 10 v ± 20V 4540 pf @ 25 v - 250W (TC)
FS100R17KE3BOSA1 Infineon Technologies FS100R17KE3BOSA1 223.0770
RFQ
ECAD 5818 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS100R17 555 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 - 1700 v 145 a 2.45V @ 15V, 100A 5 MA 9 nf @ 25 v
IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies IPP80N08S406AKSA1 3.1300
RFQ
ECAD 488 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N08 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 80A (TC) 10V 5.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 90µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 150W (TC)
BCR 151F E6327 Infineon Technologies BCR 151F E6327 -
RFQ
ECAD 4449 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-723 BCR 151 250 MW PG-TSFP-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 5MA, 5V 120MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
IPD122N10N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD122N10N3GBTMA1 -
RFQ
ECAD 2648 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD122N MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 59A (TC) 6V, 10V 12.2MOHM @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 94W (TC)
IPB50R199CPATMA1 Infineon Technologies IPB50R199CPATMA1 2.0689
RFQ
ECAD 6316 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB50R199 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 550 v 17A (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1800 PF @ 100 v - 139W (TC)
IPB05N03LA Infineon Technologies IPB05N03LA -
RFQ
ECAD 4246 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB05N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 55a, 10V 2V @ 50µA 25 nc @ 5 v ± 20V 3110 pf @ 15 v - 94W (TC)
IRL3713PBF Infineon Technologies IRL3713PBF -
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 260A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 38A, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 4.5 v ± 20V 5890 pf @ 15 v - 330W (TC)
BCR 192T E6327 Infineon Technologies BCR 192T E6327 -
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 192 250 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 22 KOHMS 47 Kohms
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RC2ATMA1 1.6200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD15N60 기준 115.4 w PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 15a, 49ohm, 15V 129 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 28 a 45 a 2.3V @ 15V, 15a 570µJ (on), 350µJ (OFF) 72 NC 18ns/374ns
BCR 191F E6327 Infineon Technologies BCR 191F E6327 -
RFQ
ECAD 1536 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-723 BCR 191 250 MW PG-TSFP-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 200MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고