SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FZ900R12KP4HOSA1 Infineon Technologies Fz900R12KP4HOSA1 213.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ900R12 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 1200 v 900 a 2.05V @ 15V, 900A 5 MA 아니요 56 NF @ 25 v
IRLH7134TRPBF Infineon Technologies irlh7134trpbf -
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 26A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µa 58 NC @ 4.5 v ± 16V 3720 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 104W (TC)
IRFR13N20DTR Infineon Technologies irfr13n20dtr -
RFQ
ECAD 8805 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 13A (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10V 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 830 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRF3305 Infineon Technologies IRF3305 -
RFQ
ECAD 9646 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3305 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 3650 pf @ 25 v - 330W (TC)
BSC159N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC159N10LSFGATMA1 -
RFQ
ECAD 1104 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC159 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 9.4A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 15.9mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 72µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 114W (TC)
BC846SH6727XTSA1 Infineon Technologies BC846SH6727XTSA1 0.0990
RFQ
ECAD 5629 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRG7T200HF12B Infineon Technologies IRG7T200HF12B -
RFQ
ECAD 3017 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 irg7t 1060 w 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001547982 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 1200 v 400 a 2.2V @ 15V, 200a 2 MA 아니요 22.4 NF @ 25 v
IRLZ44NPBF Infineon Technologies irlz44npbf 1.5900
RFQ
ECAD 20 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ44 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 47A (TC) 4V, 10V 25A, 25A, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
IRF540NSPBF Infineon Technologies IRF540NSPBF -
RFQ
ECAD 5013 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 44mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 1960 pf @ 25 v - 130W (TC)
FD300R17KE4HPSA1 Infineon Technologies FD300R17KE4HPSA1 238.0880
RFQ
ECAD 4211 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10
IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA1 0.8583
RFQ
ECAD 7116 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 900 v 5.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10V 3.5V @ 310µA 28 nc @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 83W (TC)
BSM150GB120DN2FE325HOSA1 Infineon Technologies BSM150GB120DN2FE325HOSA1 -
RFQ
ECAD 8607 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 BSM150 - 쓸모없는 1
BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC066N06NSATMA1 1.4800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC066 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 64A (TC) 6V, 10V 6.6mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 20µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 46W (TC)
IPD65R660CFDATMA1 Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1 0.8193
RFQ
ECAD 5263 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R660 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 6A (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 615 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IRF9Z24NLPBF Infineon Technologies IRF9Z24NLPBF -
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z24NLPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 12A (TC) 10V 175mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
BCW61DE6327 Infineon Technologies BCW61DE6327 0.0400
RFQ
ECAD 64 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 7,454 32 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
FP10R12W1T4B29BOMA1 Infineon Technologies FP10R12W1T4B29BOMA1 43.5896
RFQ
ECAD 4452 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 FP10R12 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 24
BC 846A E6433 Infineon Technologies BC 846A E6433 -
RFQ
ECAD 3891 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 846 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF7410PBF Infineon Technologies IRF7410PBF -
RFQ
ECAD 2335 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 12 v 16A (TA) 1.8V, 4.5V 7mohm @ 16a, 4.5v 900MV @ 250µA 91 NC @ 4.5 v ± 8V 8676 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
IRFR540ZTRRPBF Infineon Technologies irfr540ztrrpbf -
RFQ
ECAD 1043 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001557092 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 91W (TC)
FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies FF650R17IE4DB2BOSA1 597.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF650R17 4150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 - 1700 v 2.45V @ 15V, 650A 5 MA 54 NF @ 25 v
FF225R17ME4BOSA1 Infineon Technologies FF225R17ME4BOSA1 186.9900
RFQ
ECAD 3799 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF225R17 1500 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1700 v 340 a 2.3V @ 15V, 225A 3 MA 18.5 nf @ 25 v
FZ600R17KE3HOSA1 Infineon Technologies Fz600R17KE3HOSA1 236.9400
RFQ
ECAD 5513 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ600R17 3150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 트렌치 정지 1700 v 840 a 2.45V @ 15V, 600A 3 MA 아니요 54 NF @ 25 v
BCX5310H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5310H6327XTSA1 0.1920
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX5310 2 w PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 125MHz
BSZ105N04NSG Infineon Technologies BSZ105N04NSG -
RFQ
ECAD 4757 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 5,000 n 채널 40 v 11A (TA), 40A (TC) 10V 10.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 14µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 35W (TC)
BTS114AE3045A Infineon Technologies BTS114AE3045A 3.2200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to220-3-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 50 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 9a, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 600 pf @ 25 v - 50W
IPD78CN10NG Infineon Technologies IPD78CN10NG -
RFQ
ECAD 9851 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 13A (TC) 10V 78mohm @ 13a, 10V 4V @ 12µA 11 NC @ 10 v ± 20V 716 pf @ 50 v - 31W (TC)
FZ1600R17HP4B21BOSA2 Infineon Technologies FZ1600R17HP4B21BOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 5812 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1600 10500 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 1600 a 2.25V @ 15V, 1600A 5 MA 아니요 130 NF @ 25 v
FZ1800R12HE4B9HOSA2 Infineon Technologies FZ1800R12HE4B9HOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 4865 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1800 11000 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 2735 a 2.1V @ 15V, 1800A 5 MA 아니요 110 NF @ 25 v
SPP15N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP15N60C3XKSA1 4.7300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP15N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 9.4a, 10V 3.9V @ 675µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1660 pf @ 25 v - 156W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고