SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N08N3GATMA1 5.7600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB025 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 270µA 206 NC @ 10 v ± 20V 14200 pf @ 40 v - 300W (TC)
BSS119NH7796 Infineon Technologies BSS119NH7796 0.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 190ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 190ma, 10V 2.3V @ 13µA 0.6 nc @ 10 v ± 20V 20.9 pf @ 25 v - 500MW (TA)
BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL215CH6327XTSA1 0.6600
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL215 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 1.5A 140mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 3.7µA 0.73NC @ 4.5V 143pf @ 10V 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
IRF3710ZPBF Infineon Technologies IRF3710ZPBF 1.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF3710 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 100 v 59A (TC) 10V 18mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 160W (TC)
IRG4PH40K Infineon Technologies IRG4PH40K -
RFQ
 ECAD 5876 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 160 W. TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 15a, 10ohm, 15V - 1200 v 30 a 60 a 3.4V @ 15V, 15a 730µJ (on), 1.66mj (OFF) 94 NC 30ns/200ns
FF600R12ME4CPB11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4CPB11BPSA1 410.6367
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 4050 w 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 1060 a 2.1V @ 15V, 600A 3 MA 예 37 NF @ 25 v
IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies IPP410N30NAKSA1 10.0800
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP410 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 44A (TC) 10V 41mohm @ 44a, 10V 4V @ 270µA 87 NC @ 10 v ± 20V 7180 pf @ 100 v - 300W (TC)
BSC130P03LSGAUMA1 Infineon Technologies BSC130P03LSGAUMA1 -
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 12A (TA), 22.5A (TC) 10V 13mohm @ 22.5a, 10V 2.2V @ 150µA 73.1 NC @ 10 v ± 25V 3670 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IRF150P220XKMA1 Infineon Technologies IRF150P220XKMA1 -
RFQ
 ECAD 9012 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRF150 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 150 v 203A (TC) 10V 2.7mohm @ 100a, 10V 4.6V @ 265µA 200 nc @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 75 v - 556W (TC)
BSM15GP120BOSA1 Infineon Technologies BSM15GP120BOSA1 -
RFQ
 ECAD 2575 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM15GP120 180 w 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 1200 v 35 a 2.55V @ 15V, 15a 500 µA 예 1 nf @ 25 v
IPB100N06S2L05ATMA1 Infineon Technologies IPB100N06S2L05ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5660 pf @ 25 v - 300W (TC)
SPA20N60CFDXKSA1 Infineon Technologies SPA20N60CFDXKSA1 3.9983
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA20N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 20.7A (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 35W (TC)
AUIRLR2703TRL Infineon Technologies auirlr2703trl -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRLR2703 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521330 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 45mohm @ 14a, 10V 1V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v 450 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910strlpbf 4.0700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL2910 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 55A (TC) 4V, 10V 26mohm @ 29a, 10V 2V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 16V 3700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPU06N03LAGXK Infineon Technologies ipu06n03lagxk -
RFQ
 ECAD 3154 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU06N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 30a, 10V 2V @ 40µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2653 pf @ 15 v - 83W (TC)
IRF9530NL Infineon Technologies IRF9530NL -
RFQ
 ECAD 1328 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9530NL 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 14A (TC) 10V 200mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 79W (TC)
BSD214SN L6327 Infineon Technologies BSD214SN L6327 -
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 3.7µA 0.8 nc @ 5 v ± 12V 143 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies IPA80R1K4CEXKSA2 1.6600
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA80R1 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3.9A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.3a, 10V 3.9V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 100 v - 31W (TC)
BF-517 Infineon Technologies BF-517 0.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 280MW PG-SOT23-3-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 13db 15V 25MA NPN 40 @ 2MA, 1V 2.5GHz 3.5dB @ 800MHz
AUIRFS4610 Infineon Technologies AUIRFS4610 -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522872 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
IRLB8314PBF Infineon Technologies IRLB8314PBF 1.0400
RFQ
 ECAD 591 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLB8314 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 171A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 68a, 10V 2.2v @ 100µa 60 nc @ 4.5 v ± 20V 5050 pf @ 15 v - 125W (TC)
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 155.5811
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 18
BSC0906NSE8189ATMA1 Infineon Technologies BSC0906NSE8189ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 18A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IDYH50G200C5XKSA1 Infineon Technologies IDYH550G200C5XKSA1 54.0924
RFQ
 ECAD 8695 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 448-IDYH550G200C5XKSA1 30
IPI100N04S4H2AKSA1 Infineon Technologies IPI100N04S4H2AKSA1 -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI100N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 100a, 10V 4V @ 70µA 90 NC @ 10 v ± 20V 7180 pf @ 25 v - 115W (TC)
FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies FF225R12ME3BOSA1 184.7820
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF225R12 1150 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 325 a 2.15V @ 15V, 225A 5 MA 예 16 nf @ 25 v
IRL2910L Infineon Technologies irl2910L -
RFQ
 ECAD 4432 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL2910L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 55A (TC) 4V, 10V 26mohm @ 29a, 10V 2V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 16V 3700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7954 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 7.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 240µA 187 NC @ 10 v ± 20V 3660 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFS7734PBF Infineon Technologies IRFS7734PBF -
RFQ
 ECAD 7806 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (to-263ab) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001557528 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 183A (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 10150 pf @ 25 v - 290W (TC)
IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R018CFD7XKSA1 24.9500
RFQ
 ECAD 9651 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 106A (TC) 10V 18mohm @ 58.2a, 10V 4.5V @ 2.91ma 234 NC @ 10 v ± 20V 11659 pf @ 400 v - 446W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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