전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FS75R06KE3BOSA1 | - | ![]() | 6472 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopack ™ | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS75R06 | 250 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 75 a | 1.9V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 4.6 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP120N06S4H1AKSA1 | - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP120N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 4V @ 200µA | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 21900 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714STR | - | ![]() | 1091 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 670 pf @ 10 v | - | 47W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFHS9301TRPBF | 0.7700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powervdfn | IRFHS9301 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 6A (TA), 13A (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 7.8a, 10V | 2.4V @ 25µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 580 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfh8330trpbf | - | ![]() | 9953 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IRFH8330 | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 17A (TA), 56A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6MOHM @ 20A, 10V | 2.35V @ 25µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1450 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3004trl7pp | 4.9900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | IRFS3004 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 10V | 1.25mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 9130 pf @ 25 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
BSB012NE2LXIXUMA1 | - | ![]() | 3211 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-Wdson | BSB012 | MOSFET (금속 (() | Mg-Wdson-2, Canpak M ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001034232 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 170A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 5852 pf @ 12 v | - | 2.8W (TA), 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | irl3715strr | - | ![]() | 2113 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1060 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR024NPBF | - | ![]() | 2213 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
IRF7752TR | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | IRF775 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4.6a | 30mohm @ 4.6a, 10V | 2V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 861pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD90P03P404ATMA2 | 2.7500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos®-P2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5mohm @ 90a, 10V | 4V @ 253µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 10300 pf @ 25 v | - | 137W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | F4150R17N3P4B58BPSA1 | 332.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F4150R | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Econo3b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 150 a | 2.2V @ 15V, 150A | 1 MA | 예 | 12.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF40H233ATMA1 | - | ![]() | 2455 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRF40 | MOSFET (금속 (() | 3.8W (TA), 50W (TC) | PG-TDSON-8-4 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 65A (TC) | 6.2MOHM @ 35A, 10V | 3.9V @ 50µA | 57NC @ 10V | 2200pf @ 20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP125 E6327 | - | ![]() | 3629 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 120MA (TA) | 4.5V, 10V | 45ohm @ 120ma, 10V | 2.3V @ 94µA | 6.6 NC @ 10 v | ± 20V | 150 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGW40N60TP | 1.2800 | ![]() | 360 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 246 w | PG-to247-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 40A, 10.1OHM, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 67 a | 120 a | 1.8V @ 15V, 40A | 1.06mj (on), 610µj (OFF) | 177 NC | 18ns/222ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4510GPBF | - | ![]() | 4360 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001572362 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 62A (TC) | 10V | 13.5mohm @ 37a, 10V | 4V @ 100µa | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 3180 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG5K100HF12B | - | ![]() | 8946 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Powir® 62 2 | 780 W. | 기준 | Powir® 62 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 반 반 | - | 1200 v | 200a | 2.6V @ 15V, 100A | 2 MA | 아니요 | 11.7 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SP000687556 | 1.0000 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 600 v | 37.9A (TC) | 10V | 99mohm @ 18.1a, 10V | 3.5v @ 1.21ma | 119 NC @ 10 v | ± 20V | 2660 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ32H3045AATMA1 | - | ![]() | 3369 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buz32 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 9.5A (TC) | 10V | 400mohm @ 6a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 530 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
irfhe4250dtrpbf | - | ![]() | 6342 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fastirfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 32-powerwfqfn | IRFHE4250 | MOSFET (금속 (() | 156w | 32-PQFN (6x6) | 다운로드 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 25V | 86A, 303A | 2.75mohm @ 27a, 10V | 2.1V @ 35µA | 20NC @ 4.5V | 1735pf @ 13v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD65R250E6XTMA1 | - | ![]() | 3814 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ E6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 16.1A (TC) | 10V | 250mohm @ 4.4a, 10V | 3.5V @ 400µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 950 pf @ 1000 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR193WH6327XTSA1 | 0.4300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BFR193 | 580MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 10.5dB ~ 16dB | 12V | 80ma | NPN | 70 @ 30MA, 8V | 8GHz | 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL303SPEH6327XTSA1 | - | ![]() | 1160 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.3A (TA) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 6.3a, 10V | 2V @ 30µA | 20.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1401 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80P04P4L04ATMA1 | - | ![]() | 5802 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80p | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 40 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 80a, 10V | 2.2V @ 250µA | 176 NC @ 10 v | ± 16V | 3800 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA42LT1 | 1.0000 | ![]() | 7159 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC090N03LSGATMA1 | 0.7800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC090 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 48A (TC) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30FPBF | - | ![]() | 9103 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 100 W. | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480v, 17a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 31 a | 124 a | 1.8V @ 15V, 17a | 230µJ (on), 1.18mj (OFF) | 51 NC | 21ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-0055pbf | - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | MOSFET (금속 (() | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001553580 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 160A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4520 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP50R299CP | 1.0000 | ![]() | 5655 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 440µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1190 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR158WE6327 | 1.0000 | ![]() | 3959 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR158 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 200MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고