SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IRF6668TR1PBF Infineon Technologies irf6668tr1pbf -
RFQ
ECAD 2759 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mz 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 55A (TC) 10V 15mohm @ 12a, 10V 4.9V @ 100µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1320 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRFH5406TRPBF Infineon Technologies IRFH5406TRPBF -
RFQ
ECAD 6841 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFH5406 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 11A (TA), 40A (TC) 10V 14.4mohm @ 24a, 10V 4V @ 50µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1256 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 46W (TC)
IRFS4410TRLPBF Infineon Technologies irfs4410trlpbf 3.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS4410 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 88A (TC) 10V 10mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 180 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 50 v - 200W (TC)
IPP100N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies IPP100N06S2L05AKSA2 4.4300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP100 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5660 pf @ 25 v - 300W (TC)
BCX6925H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX6925H6327XTSA1 0.3105
RFQ
ECAD 7967 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX6925 3 w PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 160 @ 500ma, 1V 100MHz
BCR583 Infineon Technologies BCR583 0.0600
RFQ
ECAD 954 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,792
BC850CE6327 Infineon Technologies BC850CE6327 -
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies IPP80P03P4L04AKSA2 3.1200
RFQ
ECAD 5576 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos®-P2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80P03 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 30 v 80A (TC) 4.4mohm @ 80a, 10V 2V @ 253µA 160 nc @ 10 v +5V, -16V 11300 pf @ 25 v - 137W (TC)
IRF7455PBF Infineon Technologies IRF7455PBF -
RFQ
ECAD 6364 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 15A (TA) 2.8V, 10V 7.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 56 NC @ 5 v ± 12V 3480 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRFR3707ZCTRLP Infineon Technologies IRFR3707ZCTRLP -
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 56A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 2.25V @ 25µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1150 pf @ 15 v - 50W (TC)
IPB90R340C3ATMA1 Infineon Technologies IPB90R340C3ATMA1 -
RFQ
ECAD 3542 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB90R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 15A (TC) 10V 340mohm @ 9.2a, 10V 3.5V @ 1mA 94 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 100 v - 208W (TC)
SPW15N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW15N60CFDFKSA1 -
RFQ
ECAD 9495 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SPW15N MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 13.4A (TC) 10V 330mohm @ 9.4a, 10V 5V @ 750µA 84 NC @ 10 v ± 20V 1820 pf @ 25 v - 156W (TC)
BSM200GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM200GB170DLCHOSA1 -
RFQ
ECAD 8298 0.00000000 인피온 인피온 Primestack ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM200 1660 w 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 - 1700 v 400 a 3.2V @ 15V, 200a 5 MA 아니요 15 nf @ 25 v
BCR 116L3 E6327 Infineon Technologies BCR 116L3 E6327 -
RFQ
ECAD 5614 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-101, SOT-883 BCR 116 250 MW PG-TSLP-3-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies BSM35GD120DLCE3224BOSA1 147.3320
RFQ
ECAD 8226 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM35G 280 W. 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 1200 v 70 a 2.6V @ 15V, 35A 80 µA 아니요 2 NF @ 25 v
IPI05N03LA Infineon Technologies IPI05N03LA -
RFQ
ECAD 3001 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI05N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 25 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 55a, 10V 2V @ 50µA 25 nc @ 5 v ± 20V 3110 pf @ 15 v - 94W (TC)
IRL1104STRLPBF Infineon Technologies irl1104strlpbf -
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576402 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 104A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10V 1V @ 250µA 68 NC @ 4.5 v ± 16V 3445 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 167W (TC)
FF450R12ME4BOSA1 Infineon Technologies FF450R12ME4BOSA1 270.2000
RFQ
ECAD 6426 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF450R12 2250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 675 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 28 nf @ 25 v
IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies iqe065n10nm5cgatma1 2.9300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn IQE065N MOSFET (금속 (() PG-TTFN-9-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 14A (TA), 85A (TC) 6V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 3.8V @ 48µA 42 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 100W (TC)
FF200R12MT4 Infineon Technologies FF200R12MT4 1.0000
RFQ
ECAD 4445 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1050 w 기준 Ag- 에코 노드 -2-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 295 a 2.15V @ 15V, 200a 1 MA 14 nf @ 25 v
BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies BSZ028N04LSATMA1 1.5700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ028 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 21A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V - 32 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 63W (TC)
IRF7459TRPBF Infineon Technologies IRF7459TRPBF -
RFQ
ECAD 2109 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 12A (TA) 2.8V, 10V 9mohm @ 12a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2480 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
BC807-16 Infineon Technologies BC807-16 0.1400
RFQ
ECAD 26 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
IRFSL3006PBF Infineon Technologies IRFSL3006PBF 6.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL3006 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 195a (TC) 10V 2.5mohm @ 170a, 10V 4V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 20V 8970 pf @ 50 v - 375W (TC)
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R048M1HXKSA1 16.1400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ M1 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IMW65R048 sicfet ((카바이드) PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 39A (TC) 18V 64mohm @ 20.1a, 18V 5.7V @ 6MA 33 NC @ 18 v +23V, -5V 1118 pf @ 400 v - 125W (TC)
IPDQ65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R125CFD7XTMA1 5.3600
RFQ
ECAD 3359 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op IPDQ65 MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 750 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1566 pf @ 400 v - 160W (TC)
ISC750P10LMATMA1 Infineon Technologies ISC750P10LMATMA1 2.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn ISC750 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 100 v 27.3A - - - - - -
IRG7U100HF12A Infineon Technologies IRG7U100HF12A -
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 34 4 irg7U 580 W. 기준 Powir® 34 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 반 반 - 1200 v 200a 2V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 10 nf @ 25 v
IRLL024NPBF-INF Infineon Technologies irll024npbf-inf -
RFQ
ECAD 2619 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 181 n 채널 55 v 3.1A (TA) 65mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 15.6 NC @ 5 v ± 16V 510 pf @ 25 v - 1W (TA)
SI3443DVTRPBF Infineon Technologies SI3443DVTRPBF -
RFQ
ECAD 6005 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4.4a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 1079 pf @ 10 v - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고