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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BFP520H6327XTSA1	0.5800	RFQ	8	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343	BFP520				100MW		PG-SOT343-3D	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000							22.5dB														3.5V	40ma										NPN		70 @ 20MA, 2V	45GHz			0.95dB @ 1.8GHz
IGA03N120H2XKSA1	1.8352	RFQ	9032	인피온 인피온	-	튜브	마지막으로 마지막으로		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IgA03	기준			29 w		PG-to220-3-31	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500				800V, 3A, 82OHM, 15V																-	1200 v	3 a	9 a	2.8V @ 15V, 3A	290µJ	8.6 NC	9.2ns/281ns
IRFB3207ZGPBF	1.4800	RFQ	8331	인피온 인피온	Hexfet®	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB3207			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						75 v	120A (TC)	10V	4.1mohm @ 75a, 10V	4V @ 150µA	170 nc @ 10 v	± 20V	6920 pf @ 50 v	-	300W (TC)
IPD12CN10N	-	RFQ	8149	인피온 인피온	최적화 ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-313	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						100 v	67A (TC)	10V	12.4mohm @ 67a, 10V	4V @ 83µA	65 nc @ 10 v	± 20V	4320 pf @ 50 v	-	125W (TC)
BCR142WH6327	-	RFQ	2558	인피온 인피온	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	BCR142				250 MW		PG-SOT323-3-1	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	7,123																					50 v	100 MA							100NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	150MHz	22 KOHMS	47 Kohms
IRGP4750DPBF	-	RFQ	6432	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준			273 w		TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25				400V, 35A, 10ohm, 15V															150 ns	-	650 v	70 a	105 a	2V @ 15V, 35A	1.3mj (on), 500µJ (OFF)	105 NC	50ns/105ns
DF11MR12W1M1B11BPSA1	-	RFQ	2549	인피온 인피온	Coolsic ™+	쟁반	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	DF11MR12			실리콘 실리콘 (sic)	20MW		Ag-EASY1BM-2	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP003094734	귀 99	8541.21.0095	24	2 n 채널 (채널)							1200V (1.2kv)	50A (TJ)		22.5mohm @ 50a, 15V	5.55V @ 20MA	124NC @ 15V		3680pf @ 800V	-
irfr3504trpbf	-	RFQ	5618	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널						40 v	30A (TC)	10V	9.2MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	71 NC @ 10 v	± 20V	2150 pf @ 25 v	-	140W (TC)
FS75R12KE3B9BPSA1	184.7500	RFQ	5465	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FS75R12				350 w	기준	Ag-Econo2b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	전체 전체 인버터																			-	1200 v	105 a		2.15V @ 15V, 75A					5 MA	예	5.3 NF @ 25 v
IRF7379QTRPBF	-	RFQ	1096	인피온 인피온	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는			표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF737			MOSFET (금속 (()	2.5W		도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	n 및 p 채널							30V	5.8A, 4.3A		45mohm @ 5.8a, 10V	1V @ 250µA	25NC @ 10V		520pf @ 25V	논리 논리 게이트
SIGC10T60EX7SA1	-	RFQ	9638	인피온 인피온	TrenchStop ™	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SIGC10	기준					주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1				-																트렌치 트렌치 정지	600 v	20 a	60 a	1.9V @ 15V, 20A	-		-
AUIRF3315S	-	RFQ	5176	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001520202	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						150 v	21A (TC)	10V	82mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 94W (TC)
DD1200S12H4HOSA1	852.4250	RFQ	5727	인피온 인피온	IHM-B	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	DD1200				1200000 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2	2 독립																			-	1200 v	1200 a		2.35V @ 15V, 1200A						아니요
FZ1800R45HL4S7BPSA1	4.0000	RFQ	1	인피온 인피온	IHM-B	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FZ1800				4000000 w	기준	AG-IHVB190	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	-																			트렌치 트렌치 정지	4500 v	1800 a		2.6V @ 25V, 1800A					5 MA	아니요	297 NF @ 25 v
IRG4BC10SD-SPBF	-	RFQ	2811	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준			38 w		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50				480V, 8A, 100ohm, 15V															28 ns	-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V, 8A	310µj (on), 3.28mj (OFF)	15 NC	76NS/815NS
BCR 148T E6327	-	RFQ	2144	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-75, SOT-416	BCR 148				250 MW		PG-SC-75	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																					50 v	70 MA							100NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	100MHz	47 Kohms	47 Kohms
IPDQ60R010S7XTMA1	29.6300	RFQ	4315	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	22-powerbsop op	IPDQ60R			MOSFET (금속 (()			PG-HDSOP-22-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	750		n 채널						600 v	50A (TC)	12V	10mohm @ 50a, 12v	4.5V @ 3.08ma	318 NC @ 12 v	± 20V	11987 pf @ 300 v	-	694W (TC)
PTFA041501GL V1	-	RFQ	8709	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	65 v		표면 표면	2- 플랫 팩, 핀 리드	PTFA041501		470MHz	LDMOS			PG-63248-2	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			1µA		900 MA	150W	21db											-										28 v
AUIRGPS4067D1	-	RFQ	7390	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AUIRGPS4067	기준			750 w		Super-247 ™ (TO-274AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001512434	귀 99	8541.29.0095	25				400V, 120A, 4.7ohm, 15V															360 ns	도랑	600 v	240 a	360 a	2.05V @ 15V, 120A	8.2mj (on), 2.9mj (OFF)	360 NC	69ns/198ns
IQE004NE1LM7SCATMA1	1.1739	RFQ	1174	인피온 인피온	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				6,000
BFP760H6327XTSA1	0.5600	RFQ	17	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343	BFP760				240MW		PG-SOT343-4-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000							16.5dB ~ 29dB														4V	70ma										NPN		160 @ 35MA, 3V	45GHz			0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz
FS150R17KE3GBOSA1	649.1275	RFQ	2666	인피온 인피온	EconoPack ™+	쟁반	새로운 새로운 아닙니다		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FS150R17				1050 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4	전체 전체																			트렌치 트렌치 정지	1700 v	240 a		2.45V @ 15V, 150A					3 MA	예	13.5 nf @ 25 v
IRFS4010trl7pp	3.9300	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB	IRFS4010			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널						100 v	190a (TC)	10V	4mohm @ 110a, 10V	4V @ 250µA	230 nc @ 10 v	± 20V	9830 pf @ 50 v	-	380W (TC)
BSC883N03MSGATMA1	-	RFQ	5447	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn				MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널						34 v	19A (TA), 98A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 30a, 10V	2V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	3200 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 57W (TC)
IPD60R600CP	0.6600	RFQ	14	인피온 인피온	Coolmos ™ CP	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R			MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-313	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						600 v	6.1A (TC)	10V	600mohm @ 3.3a, 10V	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 v	± 20V	550 pf @ 100 v	-	60W (TC)
IPB330P10NMATMA1	5.4700	RFQ	762	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB330P			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널						100 v	6.9A (TA), 62A (TC)	10V	33mohm @ 53a, 10V	4V @ 5.55MA	236 NC @ 10 v	± 20V	11000 pf @ 50 v	-	3.8W (TA), 300W (TC)
AUIRF3805S-7P	-	RFQ	7202	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB				MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001522074	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						55 v	160A (TC)	10V	2.6mohm @ 140a, 10V	4V @ 250µA	200 nc @ 10 v	± 20V	7820 pf @ 25 v	-	300W (TC)
irlu3303pbf	-	RFQ	4319	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA				MOSFET (금속 (()			i-pak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널						30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	31mohm @ 21a, 10V	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	± 16V	870 pf @ 25 v	-	68W (TC)
IRLI540N	-	RFQ	2184	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩				MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLI540N	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						100 v	23A (TC)	4V, 10V	44mohm @ 12a, 10V	2V @ 250µA	74 NC @ 5 v	± 16V	1800 pf @ 25 v	-	54W (TC)
irg4bc20udpbf	-	RFQ	4566	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준			60 W.		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000				480V, 6.5A, 50ohm, 15V															37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V, 6.5A	160µJ (on), 130µJ (OFF)	27 NC	39ns/93ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²