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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF6617tr1	-	RFQ	4329	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 st			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ st	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	SP001529136	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			30 v	14A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8.1mohm @ 15a, 10V	2.35V @ 250µA	17 NC @ 4.5 v	± 20V	1300 pf @ 15 v	-	2.1W (TA), 42W (TC)
BYM300A120DN2HOSA1	192.9200	RFQ	2842	인피온 인피온	-	쟁반	새로운 새로운 아닙니다	150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	BYM300			1000 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	하나의														-	1200 v	450 a		-					아니요
IPB100P03P3L-04	0.8900	RFQ	8375	인피온 인피온	Optimos ™ -P	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	20		p 채널			30 v	100A (TC)	4.5V, 10V	4.3mohm @ 80a, 10V	2.1V @ 475µA	200 nc @ 10 v	+5V, -16V	9300 pf @ 25 v	-	200W (TC)
FF6MR12KM1PHOSA1	-	RFQ	4343	인피온 인피온	Coolsic ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FF6MR12		실리콘 실리콘 (sic)	-		Ag-62mm	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	8	2 n 채널 (채널 교량)				1200V (1.2kv)	250A (TC)		5.81MOHM @ 250A, 15V	5.15V @ 80MA	496NC @ 15V		14700pf @ 800V	-
AIHD03N60RFATMA1	-	RFQ	6976	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AIHD03	기준		53.6 w		PG-to252-3-313	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001346868	귀 99	8541.29.0095	2,500			400V, 2.5A, 68ohm, 15V												트렌치 트렌치 정지	600 v	5 a	7.5 a	2.5V @ 15V, 2.5A	50µJ (on), 40µJ (OFF)	17.1 NC	10ns/128ns
IPDQ60R065S7XTMA1	9.0100	RFQ	8507	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	22-powerbsop op	IPDQ60R		MOSFET (금속 (()			PG-HDSOP-22-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	750		n 채널			600 v	9A (TC)	12V	65mohm @ 8a, 12v	4.5V @ 490µA	51 NC @ 12 v	± 20V	1932 pf @ 300 v	-	195W (TC)
BCX69-25E6327HTSA1	0.1400	RFQ	5	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA				3 w		PG-SOT89	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,077																20 v	1 a						100NA (ICBO)		PNP	500mv @ 100ma, 1a	160 @ 500ma, 1V	100MHz
IPA65R190CFDXKSA2	4.0800	RFQ	461	인피온 인피온	CoolMOS ™ CFD2	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA65R		MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			650 v	17.5A (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 v	± 20V	1850 pf @ 100 v	-	34W (TC)
IRFZ44NL	-	RFQ	5428	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFZ44NL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			55 v	49A (TC)	10V	17.5mohm @ 25a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1470 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 94W (TC)
IPP120N06S402AKSA1	-	RFQ	9961	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP120N		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			60 v	120A (TC)	10V	2.8mohm @ 100a, 10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 v	± 20V	15750 pf @ 25 v	-	188W (TC)
BTS244Z E3062A	-	RFQ	7272	인피온 인피온	Tempfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB			MOSFET (금속 (()			PG-to220-5-62	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			55 v	35A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 19a, 10V	2V @ 130µA	130 NC @ 10 v	± 20V	2660 pf @ 25 v	온도 온도 다이오드	170W (TC)
BC847BE6433	0.0300	RFQ	14	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				330 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	9,427																45 v	100 MA						15NA (ICBO)		NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
SP000629364	0.4600	RFQ	1	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1		n 채널			600 v	4.4A (TC)	10V	950mohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 130µA	13 nc @ 10 v	± 20V	280 pf @ 100 v	-	37W (TC)
IPD60R385CPATMA1	2.9600	RFQ	2096	인피온 인피온	Coolmos ™ CP	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			600 v	9A (TC)	10V	385mohm @ 5.2a, 10V	3.5V @ 340µA	22 nc @ 10 v	± 20V	790 pf @ 100 v	-	83W (TC)
SPB80N06S2L-09	-	RFQ	4572	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SPB80N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			55 v	80A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 52a, 10V	2V @ 125µA	105 NC @ 10 v	± 20V	3480 pf @ 25 v	-	190W (TC)
IRF1324LPBF	-	RFQ	5251	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001564274	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			24 v	195a (TC)	10V	1.65mohm @ 195a, 10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 v	± 20V	7590 pf @ 24 v	-	300W (TC)
SPP03N60C3	0.3800	RFQ	81	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1		n 채널			600 v	3.2A (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10V	3.9V @ 135µA	17 nc @ 10 v	± 20V	400 pf @ 25 v	-	38W (TC)
BF776E6327FTSA1	-	RFQ	1098	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343	BF776			200MW		PG-SOT343-3D	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000				24dB												4.7V	50ma								NPN		180 @ 30MA, 3V	46GHz	0.8db ~ 1.3db @ 1.8ghz ~ 6GHz
SIGC10T60EX1SA3	-	RFQ	3071	인피온 인피온	TrenchStop ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SIGC10	기준				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1			-												트렌치 트렌치 정지	600 v	20 a	60 a	1.9V @ 15V, 20A	-		-
spu03n60s5in	0.5100	RFQ	1	인피온 인피온	-	대부분	활동적인										다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1
BCX5516H6327XTSA1	0.1920	RFQ	3131	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BCX5516			2 w		PG-SOT89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																60 v	1 a						100NA (ICBO)		NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	100MHz
IMW65R072M1HXKSA1	12.1700	RFQ	160	인피온 인피온	Coolsic ™ M1	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IMW65R072		sicfet ((카바이드)			PG-to247-3-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30		n 채널			650 v	26A (TC)	18V	94mohm @ 13.3a, 18V	5.7V @ 4mA	22 nc @ 18 v	+23V, -5V	744 pf @ 400 v	-	96W (TC)
SPD22N08S2L-50	-	RFQ	3049	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	spd22n		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-11	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			75 v	25A (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 11a, 10V	2V @ 31µA	33 NC @ 10 v	± 20V	850 pf @ 25 v	-	75W (TC)
IRLB3036GPBF	-	RFQ	1983	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001558722	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			60 v	195a (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 165a, 10V	2.5V @ 250µA	140 nc @ 4.5 v	± 16V	11210 pf @ 50 v	-	380W (TC)
IPP04CN10NGXKSA1	3.7441	RFQ	5687	인피온 인피온	Optimos ™ 2	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP04CN10		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			100 v	100A (TC)	10V	4.2MOHM @ 100A, 10V	4V @ 250µA	210 nc @ 10 v	± 20V	13800 pf @ 50 v	-	300W (TC)
IPA083N10N5XKSA1	2.4200	RFQ	420	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA083		MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			100 v	44A (TC)	6V, 10V	8.3mohm @ 44a, 10V	3.8V @ 49µA	37 NC @ 10 v	± 20V	2730 pf @ 50 v	-	36W (TC)
IRF8714TRPBF	0.7000	RFQ	2270	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF8714		MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널			30 v	14A (TA)	4.5V, 10V	8.7mohm @ 14a, 10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 v	± 20V	1020 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
SPI11N65C3HKSA1	-	RFQ	8488	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	spi11n		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000014526	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			650 v	11A (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10V	3.9V @ 500µA	60 nc @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	125W (TC)
Irfr1205trr	-	RFQ	8149	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR1205		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			55 v	44A (TC)	10V	27mohm @ 26a, 10V	4V @ 250µA	65 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	107W (TC)
AUIRF3808S	-	RFQ	5806	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001519466	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			75 v	106A (TC)	10V	7mohm @ 82a, 10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 v	± 20V	5310 pf @ 25 v	-	200W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²