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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 64-4051 | - |  | 2039 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10V | 3V @ 250µA | 9.9 NC @ 5 v | ± 16V | 380 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | AUIRF6215S | - | | 5821 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 150 v | 13A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2PS12017E34W32132NOSA1 | - | | 9621 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 55 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 2PS12017 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8543.70.9860 | 1 | 3 단계 인버터 | - | - | 아니요 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ017NE2LS5IATMA1 | 1.6400 | | 3103 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ017 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 27A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 16V | 2000 pf @ 12 v | - | 2.1W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRFS17N20DTRR | - | | 2682 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 16A (TC) | 10V | 170mohm @ 9.8a, 10V | 5.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SPP11N60S5HKSA1 | - | | 3648 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp11n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10V | 5.5v @ 500µa | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 1460 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7413ZPBF | - | | 3508 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001551348 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,800 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10V | 2.25V @ 25µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1210 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| BSO110N03MSGXUMA1 | 0.4009 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO110 | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12.1a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 15 v | - | 1.56W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| IRF8313TRPBF | 0.9000 | | 39 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF8313 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 9.7a | 15.5mohm @ 9.7a, 10V | 2.35V @ 25µA | 9NC @ 4.5V | 760pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||
| IPD90P04P4L04ATMA2 | 3.2600 | | 3044 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos®-P2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3MOHM @ 90A, 10V | 2.2V @ 250µA | 176 NC @ 10 v | +5V, -16V | 11570 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | irlz44nlpbf | - | | 5484 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 47A (TC) | 4V, 10V | 25A, 25A, 10V | 2V @ 250µA | 48 NC @ 5 v | ± 16V | 1700 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| irl3302strl | - | | 8120 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 39A (TC) | 4.5V, 7V | 20mohm @ 23a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 31 NC @ 4.5 v | ± 10V | 1300 pf @ 15 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRF5803D2TR | - | | 4964 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 40 v | 3.4A (TA) | 4.5V, 10V | 112mohm @ 3.4a, 10V | 3V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 1110 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R145CFD7XKSA1 | 4.2900 | | 9440 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | - | - | - | IPA60R | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | - | 9A (TC) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI08CN10N g | - | | 2169 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI08C | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 95A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 95a, 10V | 4V @ 130µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 6660 pf @ 50 v | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 64-2096pbf | - | | 3175 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | IRF2907 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 160A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 110a, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 7580 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BF 5030R E6327 | - | | 3326 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 8 v | 표면 표면 | SOT-143R | BF 5030 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT-143R-3D | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 25MA | 10 MA | - | 24dB | 1.3db | 3 v | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DF450R17N2E4PB11BPSA1 | 197.5220 | | 2017 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | - | - | - | DF450 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 10 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | - | | 8458 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCM846SE6327HTSA1 | - | | 2952 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM846 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (() | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| irfr3711zctrpbf | - | | 3435 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 20 v | 93A (TC) | 5.7mohm @ 15a, 10V | 2.45V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | 2160 pf @ 10 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R040CFD7XKSA1 | 11.9000 | | 143 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R040 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 50A (TC) | 10V | 40mohm @ 24.9a, 10V | 4.5V @ 1.25ma | 109 NC @ 10 v | ± 20V | 4354 pf @ 400 v | - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPP082N10NF2SAKMA1 | 1.7200 | | 133 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP082N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 15A (TA), 77A (TC) | 6V, 10V | 8.2mohm @ 50a, 10V | 3.8V @ 46µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRF7807D1 | - | | 1194 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 8.3A (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 12V | Schottky 분리 (다이오드) | 2.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| auirfs8409trl | 6.5000 | | 490 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRF8409 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 450 NC @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | 4.6000 | | 591 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R199 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 16A (TC) | 10V | 199mohm @ 9.9a, 10V | 3.5V @ 660µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1520 pf @ 100 v | - | 139W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| auirfr2905ztrl | 1.0061 | | 7027 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR2905 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520228 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 14.5mohm @ 36a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1380 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IAUC120N04S6N013ATMA1 | 1.7800 | | 6115 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IAUC120 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 7V, 10V | 1.34mohm @ 60a, 10V | 3V @ 60µa | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 4260 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCR191WH6327XTSA1 | 0.0553 | | 6577 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR191 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 50 @ 5MA, 5V | 200MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||
| irfr3303trl | - | | 1036 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | = 94-4737 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 33A (TC) | 10V | 31mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 25 v | - | 57W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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