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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP80R280P7XKSA1 | 3.8900 |  | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80R280 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 280mohm @ 7.2a, 10V | 3.5V @ 360µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 500 v | - | 101W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPB80N06S2-08 | - | | 5316 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 25 v | - | 215W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R070P6XKSA1 | 8.7100 | | 146 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R070 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 53.5A (TC) | 10V | 70mohm @ 20.6a, 10V | 4.5V @ 1.72ma | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4750 pf @ 100 v | - | 391W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP4137PBF | 6.8300 | | 5247 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP4137 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 300 v | 38A (TC) | 10V | 69mohm @ 24a, 10V | 5V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 5168 pf @ 50 v | - | 341W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU95R3K7P7AKMA1 | 1.2100 | | 917 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU95R3 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 950 v | 2A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 800ma, 10V | 3.5V @ 40µA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 196 pf @ 400 v | - | 22W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTF080101M V1 | - | | 1174 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Goldmos® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 표면 표면 | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | 960MHz | LDMOS | PG-RFP-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 1µA | 180 MA | 10W | 16db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ049N03LSCGATMA1 | 1.0000 | | 9557 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFB4410ZPBF | 1.6600 | | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB4410 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | auirfr4615trl | 1.5729 | | 1422 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR4615 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 33A (TC) | 10V | 42mohm @ 21a, 10V | 5V @ 100µa | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1750 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP49 | 0.1300 | | 31 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,308 | 60 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| irl3410trlpbf | 1.3300 | | 63 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3410 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 4V, 10V | 10A @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 5 v | ± 16V | 800 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PTVA093002TCV1R250XUMA1 | - | | 8324 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 105 v | H-37248G-4/2 | PTVA093002 | 730MHz ~ 960MHz | LDMOS | H-49248H-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001226874 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 이중, 소스 일반적인 | 10µA | 400 MA | 300W | 18.5dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD80R1K4P7ATMA1 | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD80R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.4a, 10V | 3.5V @ 700µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 250 pf @ 500 v | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS900R08A2P2B32BOSA1 | - | | 9470 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hybridpack ™ 2 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS900R08 | 1546 w | 기준 | ag-hybrid2-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 3 단계 인버터 | - | 750 v | 550 a | 1.25V @ 15V, 550A | 500 µA | 예 | 105 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD031N06L3GATMA1 | 2.9100 | | 52 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD031 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 100a, 10V | 2.2V @ 93µA | 79 NC @ 4.5 v | ± 20V | 13000 pf @ 30 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC066N06NSATMA1 | 1.4800 | | 12 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC066 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 64A (TC) | 6V, 10V | 6.6mohm @ 50a, 10V | 3.3V @ 20µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 46W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | irlml2060trpbf | 0.4600 | | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | irlml2060 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 1.2A (TA) | 4.5V, 10V | 480mohm @ 1.2a, 10V | 2.5V @ 25µA | 0.67 NC @ 4.5 v | ± 16V | 64 pf @ 25 v | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5053TR2PBF | - | | 5235 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 9.3A (TA), 46A (TC) | 18mohm @ 9.3a, 10V | 4.9V @ 100µA | 36 nc @ 10 v | 1510 pf @ 50 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fz800R33KF2CNOSA2 | - | | 8667 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ800 | 9600 w | 기준 | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | - | 3300 v | 1 a | 4.25V @ 15V, 800A | 5 MA | 아니요 | 100 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC20F | - | | 4982 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 60 W. | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRG4BC20F | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 9A, 50ohm, 15V | - | 600 v | 16 a | 64 a | 2V @ 15V, 9A | 70µJ (on), 600µJ (OFF) | 27 NC | 24ns/190ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP10R12W1T4B29BOMA1 | 43.5896 | | 4452 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPIM ™ | 쟁반 | 활동적인 | FP10R12 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4064DTRLPBF | - | | 4903 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 101 w | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001535958 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 10A, 22ohm, 15V | 62 ns | 도랑 | 600 v | 20 a | 40 a | 1.91V @ 15V, 10A | 29µJ (on), 200µJ (OFF) | 32 NC | 27ns/79ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF450R33T3E3P2BPSA1 | 1.0000 | | 6115 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | XHP ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF450R33 | 1000000 W. | 기준 | AG-XHP100-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 8541.29.0095 | 2 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 3300 v | 450 a | 2.75V @ 15V, 450A | 5 MA | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DDB6U75N16W1RBOMA1 | 74.8000 | | 22 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DDB6U75 | 335 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 69 a | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | 예 | 2.8 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGC70T120T8RQ | - | | 9045 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | 주사위 | IGC70 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 225 a | 2.42V @ 15V, 75A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64-9150pbf | - | | 6659 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGZ75N65H5XKSA1 | 6.9500 | | 240 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ 5 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IGZ75N65 | 기준 | 395 w | PG-to247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 37.5A, 10ohm, 15V | 도랑 | 650 v | 119 a | 300 a | 2.1V @ 15V, 75A | 680µJ (on), 430µJ (OFF) | 166 NC | 26ns/347ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| irfr3707trlpbf | - | | 3196 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001573356 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 61A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1990 pf @ 15 v | - | 87W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFU4510PBF | 1.9100 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU4510 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 13.9mohm @ 38a, 10V | 4V @ 100µa | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 3031 pf @ 50 v | - | 143W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | - | | 8446 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 27A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.95mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 50µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 3610 pf @ 10 v | - | 3.6W (TA), 59W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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