SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IRG7PH42UDPBF Infineon Technologies irg7ph42udpbf -
RFQ
ECAD 2736 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph 기준 320 w TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001537274 귀 99 8541.29.0095 400 600V, 30A, 10ohm, 15V 153 ns 도랑 1200 v 85 a 90 a 2V @ 15V, 30A 2.11mj (on), 1.18mj (OFF) 157 NC 25ns/229ns
IPD096N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPD096N08N3GATMA1 1.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD096 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 73A (TC) 6V, 10V 9.6mohm @ 46a, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 40 v - 100W (TC)
IRFH7923TRPBF Infineon Technologies IRFH7923TRPBF -
RFQ
ECAD 1696 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() pqfn (5x6) 단일 다이 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 15A (TA), 33A (TC) 8.7mohm @ 15a, 10V 2.35V @ 25µA 13 nc @ 4.5 v 1095 pf @ 15 v -
IPI80N06S208AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S208AKSA1 -
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 96 NC @ 10 v ± 20V 2860 pf @ 25 v - 215W (TC)
BSM50GP60B2BOSA1 Infineon Technologies BSM50GP60B2BOSA1 53.3300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 BSM50G - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
SGP15N60XKSA1 Infineon Technologies SGP15N60XKSA1 -
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SGP15N 기준 139 w PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 400V, 15a, 21ohm, 15V NPT 600 v 31 a 62 a 2.4V @ 15V, 15a 570µJ 76 NC 32ns/234ns
IGP10N60TATMA1 Infineon Technologies IGP10N60TATMA1 -
RFQ
ECAD 4884 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 110 W. PG-to220-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 10A, 23ohm, 15V npt, 필드 트렌치 중지 600 v 24 a 30 a 2.05V @ 15V, 10A 160µJ (on), 270µJ (OFF) 62 NC 12ns/215ns
IKQB120N75CP2AKSA1 Infineon Technologies IKQB120N75CP2AKSA1 15.8800
RFQ
ECAD 230 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
IRG7CH75UEF-R Infineon Technologies irg7ch75uef-r -
RFQ
ECAD 7405 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 irg7ch 기준 주사위 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001548040 쓸모없는 0000.00.0000 1 600V, 100A, 5ohm, 15V - 1200 v 2V @ 15V, 100A - 770 NC 120ns/890ns
FP75R07N2E4B16BPSA1 Infineon Technologies FP75R07N2E4B16BPSA1 127.9073
RFQ
ECAD 2419 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 95 a 1.95V @ 15V, 75A 1 MA 4.6 NF @ 25 v
IRFH5304TR2PBF Infineon Technologies IRFH5304TR2PBF -
RFQ
ECAD 7285 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 22A (TA), 79A (TC) 4.5mohm @ 47a, 10V 2.35V @ 50µA 41 NC @ 10 v 2360 pf @ 10 v -
IRFS3207ZPBF Infineon Technologies IRFS3207ZPBF -
RFQ
ECAD 9337 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 4.1mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 170 nc @ 10 v ± 20V 6920 pf @ 50 v - 300W (TC)
FP10R12YT3B4BOMA1 Infineon Technologies FP10R12YT3B4BOMA1 75.1800
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 FP10R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 20
IPD25DP06LMSAUMA1 Infineon Technologies IPD25DP06LMSAUMA1 -
RFQ
ECAD 2824 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD25DP06 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP004987234 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 6.5A (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 6.5a, 10V 2V @ 270µA 13.8 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 30 v - 28W (TC)
IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies IPD50N06S214ATMA2 1.7500
RFQ
ECAD 1999 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 50A (TC) 10V 14.4mohm @ 32a, 10V 4V @ 80µa 52 NC @ 10 v ± 20V 1485 pf @ 25 v - 136W (TC)
IPP60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R125CFD7XKSA1 5.0500
RFQ
ECAD 390 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R125 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1503 pf @ 400 v - 92W (TC)
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ180P03NS3GATMA1 0.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ180 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 9A (TA), 39.6A (TC) 6V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 3.1V @ 48µA 30 nc @ 10 v ± 25V 2220 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 40W (TC)
IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies IPD50N04S410ATMA1 1.1500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 9.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 15µA 18.2 NC @ 10 v ± 20V 1430 pf @ 25 v - 41W (TC)
IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R180P7ATMA1 2.7400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 280µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1081 pf @ 400 v - 72W (TC)
IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R360P7ATMA1 1.7700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140µA 13 nc @ 10 v ± 20V 555 pf @ 400 v - 41W (TC)
SPP08P06PHXKSA1 Infineon Technologies spp08p06phxksa1 -
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp08p MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 300mohm @ 6.2a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 25 v - 42W (TC)
IPB65R225C7ATMA2 Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA2 1.5955
RFQ
ECAD 1321 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R225 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 225mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 240µA 20 nc @ 10 v ± 20V 996 pf @ 400 v - 63W (TC)
IPL60R225CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R225CFD7AUMA1 3.4100
RFQ
ECAD 1657 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R225 MOSFET (금속 (() PG-VSON-4-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 225mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 400 v - 68W (TC)
SIGC42T60UNX7SA1 Infineon Technologies SIGC42T60UNX7SA1 -
RFQ
ECAD 1099 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC42T60 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 50A, 6.8OHM, 15V NPT 600 v 50 a 150 a 3.15V @ 15V, 50A - 48ns/350ns
IPP048N12N3 G Infineon Technologies IPP048N12N3 g -
RFQ
ECAD 3908 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IRG6S330UPBF Infineon Technologies IRG6S330UPBF -
RFQ
ECAD 9487 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG6S330 기준 160 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001540476 귀 99 8541.29.0095 50 196V, 25A, 10ohm 도랑 330 v 70 a 2.1V @ 15V, 70A - 86 NC 39ns/120ns
IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies IPC70N04S54R6ATMA1 1.1000
RFQ
ECAD 4360 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC70N04 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 70A (TC) 7V, 10V 4.6mohm @ 35a, 10V 3.4V @ 17µA 24.2 NC @ 10 v ± 20V 1430 pf @ 25 v - 50W (TC)
IPI65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies IPI65R310CFDXKSA1 -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI65R MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 11.4A (TC) 10V 310mohm @ 4.4a, 10V 4.5V @ 440µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104.2W (TC)
IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 5621 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB160N MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 5 v ± 20V 6000 pf @ 15 v - 300W (TC)
BSO303PH Infineon Technologies bso303ph -
RFQ
ECAD 2988 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO303 MOSFET (금속 (() 2W (TA) PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 7A (TC) 21mohm @ 8.2a, 10V 2V @ 100µa 49NC @ 10V 2678pf @ 25v 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고