전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP77N06S3-09 | - | ![]() | 9050 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP77N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 77A (TC) | 10V | 9.1MOHM @ 39A, 10V | 4V @ 55µA | 103 NC @ 10 v | ± 20V | 5335 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AUIRFP4409 | - | ![]() | 9837 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AUIRFP4409 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518024 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 300 v | 38A (TC) | 10V | 69mohm @ 24a, 10V | 5V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 5168 pf @ 50 v | - | 341W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BSO080P03NS3GXUMA1 | - | ![]() | 1628 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO080 | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 12A (TA) | 6V, 10V | 8mohm @ 14.8a, 10V | 3.1V @ 150µA | 81 NC @ 10 v | ± 25V | 6750 pf @ 15 v | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||
![]() | IPB147N03LGATMA1 | - | ![]() | 8730 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB147N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 15 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FF3MR20KM1HSHSHSPA1 | 1.0000 | ![]() | 3324 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 기준 | Ag-62mmhb | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 2000 v | - | 아니요 | |||||||||||||||||||||||
![]() | irfh8337trpbf | - | ![]() | 4620 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 12.8mohm @ 16.2a, 10V | 2.35V @ 25µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 10 v | - | 3.2W (TA), 27W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | buz102sl | - | ![]() | 5703 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 47A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 33a, 10V | 2V @ 90µA | 90 NC @ 10 v | ± 14V | 1730 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFH5255TRPBF | - | ![]() | 1081 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001560380 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 25 v | 15A (TA), 51A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 2.35V @ 25µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 20V | 988 pf @ 13 v | - | 3.6W (TA), 26W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IPB80R290C3AATMA2 | 6.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80R | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10V | 3.9V @ 1mA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 2300 pf @ 100 v | - | 227W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IPLK80R750P7ATMA1 | 1.7100 | ![]() | 6393 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPLK80 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | 800 v | - | - | - | - | ± 20V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | irf6668tr1pbf | - | ![]() | 2759 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mz | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 55A (TC) | 10V | 15mohm @ 12a, 10V | 4.9V @ 100µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1320 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IPB090N06N3GATMA1 | 1.3100 | ![]() | 8706 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB090 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 34µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 30 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BSC350N20NSFDATMA1 | 3.5900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC350 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 200 v | 35A (TC) | 10V | 35mohm @ 35a, 10V | 4V @ 90µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 2410 pf @ 100 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BSC010NE2LSITMA1 | 2.1000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC010 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 38A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.05mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 4200 pf @ 12 v | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRL8113STRRPBF | - | ![]() | 4802 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 105A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 21A, 10V | 2.25V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2840 pf @ 15 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IPP80R1K4P7 | 1.0000 | ![]() | 8607 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 800 v | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.4a, 10V | 3.5V @ 70µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 250 pf @ 500 v | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | SPB80N03S2L06T | - | ![]() | 7554 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000016264 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 80a, 10V | 2V @ 80µa | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 2530 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BSZ049N03LSCGATMA1 | 1.0000 | ![]() | 9557 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP039N04LGHKSA1 | - | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP039N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000391494 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 80a, 10V | 2V @ 45µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 6100 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRF2804L-313TRL | - | ![]() | 6833 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6450 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BC818-40WE6327 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 500MW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 25 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | BSZ042N04NS | 0.2900 | ![]() | 4367 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-BSZ042N04NS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG16N10S4-61 | 1.0000 | ![]() | 9444 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IPG16N | MOSFET (금속 (() | 29W (TC) | PG-TDSON-8-4 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 16A (TC) | 61mohm @ 16a, 10V | 3.5V @ 9µA | 7NC @ 10V | 490pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BSO094N03S | - | ![]() | 6920 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 13a, 10V | 2V @ 30µA | 18 nc @ 5 v | ± 20V | 2300 pf @ 15 v | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | IRFB3256PBF | - | ![]() | 1600 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB3256 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 75A (TC) | 10V | 3.4mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150µA | 195 NC @ 10 v | ± 20V | 6600 pf @ 48 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
![]() | SPB20N60S5ATMA1 | - | ![]() | 6488 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | spb20n | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 13a, 10V | 5.5V @ 1mA | 103 NC @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BSZ180P03NS3GATMA1 | 0.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ180 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 9A (TA), 39.6A (TC) | 6V, 10V | 18mohm @ 20a, 10V | 3.1V @ 48µA | 30 nc @ 10 v | ± 25V | 2220 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IPA60R250CPXKSA1 | - | ![]() | 2245 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 12A (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10V | 3.5V @ 440µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 100 v | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BC848AE6327 | 0.0300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 9,427 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 250MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고