SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IPP77N06S3-09 Infineon Technologies IPP77N06S3-09 -
RFQ
ECAD 9050 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP77N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 77A (TC) 10V 9.1MOHM @ 39A, 10V 4V @ 55µA 103 NC @ 10 v ± 20V 5335 pf @ 25 v - 107W (TC)
AUIRFP4409 Infineon Technologies AUIRFP4409 -
RFQ
ECAD 9837 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AUIRFP4409 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518024 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 300 v 38A (TC) 10V 69mohm @ 24a, 10V 5V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 5168 pf @ 50 v - 341W (TC)
BSO080P03NS3GXUMA1 Infineon Technologies BSO080P03NS3GXUMA1 -
RFQ
ECAD 1628 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO080 MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12A (TA) 6V, 10V 8mohm @ 14.8a, 10V 3.1V @ 150µA 81 NC @ 10 v ± 25V 6750 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
IPB147N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB147N03LGATMA1 -
RFQ
ECAD 8730 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB147N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 14.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 15 v - 31W (TC)
FF3MR20KM1HSHPSA1 Infineon Technologies FF3MR20KM1HSHSHSPA1 1.0000
RFQ
ECAD 3324 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 2000 v - 아니요
IRFH8337TRPBF Infineon Technologies irfh8337trpbf -
RFQ
ECAD 4620 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 12A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 12.8mohm @ 16.2a, 10V 2.35V @ 25µA 10 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 10 v - 3.2W (TA), 27W (TC)
BUZ102SL Infineon Technologies buz102sl -
RFQ
ECAD 5703 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 47A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 33a, 10V 2V @ 90µA 90 NC @ 10 v ± 14V 1730 pf @ 25 v - 120W (TC)
IRFH5255TRPBF Infineon Technologies IRFH5255TRPBF -
RFQ
ECAD 1081 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560380 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 15A (TA), 51A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.35V @ 25µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 988 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 26W (TC)
IPB80R290C3AATMA2 Infineon Technologies IPB80R290C3AATMA2 6.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80R MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 1mA 117 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 100 v - 227W (TC)
IPLK80R750P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK80R750P7ATMA1 1.7100
RFQ
ECAD 6393 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn IPLK80 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 800 v - - - - ± 20V - -
IRF6668TR1PBF Infineon Technologies irf6668tr1pbf -
RFQ
ECAD 2759 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mz 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 55A (TC) 10V 15mohm @ 12a, 10V 4.9V @ 100µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1320 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPB090N06N3GATMA1 1.3100
RFQ
ECAD 8706 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB090 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 34µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 30 v - 71W (TC)
BSC350N20NSFDATMA1 Infineon Technologies BSC350N20NSFDATMA1 3.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC350 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 200 v 35A (TC) 10V 35mohm @ 35a, 10V 4V @ 90µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 100 v - 150W (TC)
BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC010NE2LSITMA1 2.1000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn BSC010 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 38A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.05mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 12 v - 2.5W (TA), 96W (TC)
IRL8113STRRPBF Infineon Technologies IRL8113STRRPBF -
RFQ
ECAD 4802 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 105A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 2840 pf @ 15 v - 110W (TC)
IPP80R1K4P7 Infineon Technologies IPP80R1K4P7 1.0000
RFQ
ECAD 8607 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 70µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 500 v - 32W (TC)
SPB80N03S2L06T Infineon Technologies SPB80N03S2L06T -
RFQ
ECAD 7554 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000016264 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 80a, 10V 2V @ 80µa 68 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 25 v - 150W (TC)
BSZ049N03LSCGATMA1 Infineon Technologies BSZ049N03LSCGATMA1 1.0000
RFQ
ECAD 9557 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 5,000
IPP039N04LGHKSA1 Infineon Technologies IPP039N04LGHKSA1 -
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP039N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000391494 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 80a, 10V 2V @ 45µA 78 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 94W (TC)
AUIRF2804L-313TRL Infineon Technologies AUIRF2804L-313TRL -
RFQ
ECAD 6833 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 2.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 300W (TC)
BC818-40WE6327 Infineon Technologies BC818-40WE6327 0.0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 500MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 15,000 25 v 500 MA 100NA (ICBO) 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 170MHz
BSZ042N04NS Infineon Technologies BSZ042N04NS 0.2900
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2156-BSZ042N04NS 귀 99 8541.29.0095 1
IPG16N10S4-61 Infineon Technologies IPG16N10S4-61 1.0000
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IPG16N MOSFET (금속 (() 29W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 100V 16A (TC) 61mohm @ 16a, 10V 3.5V @ 9µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
BSO094N03S Infineon Technologies BSO094N03S -
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10V 2V @ 30µA 18 nc @ 5 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
IRFB3256PBF Infineon Technologies IRFB3256PBF -
RFQ
ECAD 1600 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB3256 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 3.4mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 195 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 48 v - 300W (TC)
SPB20N60S5ATMA1 Infineon Technologies SPB20N60S5ATMA1 -
RFQ
ECAD 6488 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB spb20n MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 13a, 10V 5.5V @ 1mA 103 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 208W (TC)
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ180P03NS3GATMA1 0.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ180 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 9A (TA), 39.6A (TC) 6V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 3.1V @ 48µA 30 nc @ 10 v ± 25V 2220 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 40W (TC)
IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 2245 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 440µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 100 v - 33W (TC)
BC848AE6327 Infineon Technologies BC848AE6327 0.0300
RFQ
ECAD 78 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 9,427 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고