전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Irg8p50n120kd-Epbf | - | ![]() | 2315 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | irg8p | 기준 | 350 w | TO-247AD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001546104 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 35A, 5ohm, 15V | 170 ns | - | 1200 v | 80 a | 105 a | 2V @ 15V, 35A | 2.3mj (on), 1.9mj (OFF) | 315 NC | 35ns/190ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL1404SPBF | - | ![]() | 9563 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 4.3V, 10V | 4mohm @ 95a, 10V | 3V @ 250µA | 140 nc @ 5 v | ± 20V | 6600 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irll024zpbf | - | ![]() | 2749 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 55 v | 5A (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 11 NC @ 5 v | ± 16V | 380 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM100GB60DLCHOSA1 | - | ![]() | 4406 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | BSM100 | 445 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 600 v | 130 a | 2.45V @ 15V, 100A | 500 µA | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7807VD2TRPBF | - | ![]() | 5703 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.3A (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | Schottky 분리 (다이오드) | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R210CFD7XKSA1 | 3.2700 | ![]() | 3138 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | - | - | - | IPA60R210 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | - | 7A (TC) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | 0.8700 | ![]() | 9222 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IPN50R650 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 13V | 650mohm @ 1.8a, 13v | 3.5V @ 150µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 342 pf @ 100 v | - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R090CFD7 | - | ![]() | 6875 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS25R12W1T7B11BOMA1 | 45.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™, TrenchStop ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS25R12 | 20 MW | 기준 | Ag-Easy1b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-FS25R12W1T7B11BOMA1-448 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 25 a | 1.6V @ 15V, 25A | 5.6 µA | 예 | 4.77 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC4020D | - | ![]() | 7235 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001577750 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80R280P7XKSA1 | 3.8900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80R280 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 280mohm @ 7.2a, 10V | 3.5V @ 360µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 500 v | - | 101W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N06S2-08 | - | ![]() | 5316 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 25 v | - | 215W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
IPW60R070P6XKSA1 | 8.7100 | ![]() | 146 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R070 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 53.5A (TC) | 10V | 70mohm @ 20.6a, 10V | 4.5V @ 1.72ma | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4750 pf @ 100 v | - | 391W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP4137PBF | 6.8300 | ![]() | 5247 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP4137 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 300 v | 38A (TC) | 10V | 69mohm @ 24a, 10V | 5V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 5168 pf @ 50 v | - | 341W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
IPU95R3K7P7AKMA1 | 1.2100 | ![]() | 917 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU95R3 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 950 v | 2A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 800ma, 10V | 3.5V @ 40µA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 196 pf @ 400 v | - | 22W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTF080101M V1 | - | ![]() | 1174 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Goldmos® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 표면 표면 | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | 960MHz | LDMOS | PG-RFP-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 1µA | 180 MA | 10W | 16db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ049N03LSCGATMA1 | 1.0000 | ![]() | 9557 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4410ZPBF | 1.6600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB4410 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfr4615trl | 1.5729 | ![]() | 1422 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR4615 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 33A (TC) | 10V | 42mohm @ 21a, 10V | 5V @ 100µa | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1750 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP49 | 0.1300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,308 | 60 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irl3410trlpbf | 1.3300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3410 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 4V, 10V | 10A @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 5 v | ± 16V | 800 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA093002TCV1R250XUMA1 | - | ![]() | 8324 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 105 v | H-37248G-4/2 | PTVA093002 | 730MHz ~ 960MHz | LDMOS | H-49248H-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001226874 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 이중, 소스 일반적인 | 10µA | 400 MA | 300W | 18.5dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD80R1K4P7ATMA1 | 1.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD80R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.4a, 10V | 3.5V @ 700µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 250 pf @ 500 v | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS900R08A2P2B32BOSA1 | - | ![]() | 9470 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hybridpack ™ 2 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS900R08 | 1546 w | 기준 | ag-hybrid2-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 3 단계 인버터 | - | 750 v | 550 a | 1.25V @ 15V, 550A | 500 µA | 예 | 105 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD031N06L3GATMA1 | 2.9100 | ![]() | 52 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD031 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 100a, 10V | 2.2V @ 93µA | 79 NC @ 4.5 v | ± 20V | 13000 pf @ 30 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC066N06NSATMA1 | 1.4800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC066 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 64A (TC) | 6V, 10V | 6.6mohm @ 50a, 10V | 3.3V @ 20µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 46W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlml2060trpbf | 0.4600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | irlml2060 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 1.2A (TA) | 4.5V, 10V | 480mohm @ 1.2a, 10V | 2.5V @ 25µA | 0.67 NC @ 4.5 v | ± 16V | 64 pf @ 25 v | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH5053TR2PBF | - | ![]() | 5235 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 9.3A (TA), 46A (TC) | 18mohm @ 9.3a, 10V | 4.9V @ 100µA | 36 nc @ 10 v | 1510 pf @ 50 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fz800R33KF2CNOSA2 | - | ![]() | 8667 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ800 | 9600 w | 기준 | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | - | 3300 v | 1 a | 4.25V @ 15V, 800A | 5 MA | 아니요 | 100 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20F | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 60 W. | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRG4BC20F | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 9A, 50ohm, 15V | - | 600 v | 16 a | 64 a | 2V @ 15V, 9A | 70µJ (on), 600µJ (OFF) | 27 NC | 24ns/190ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고