RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF7460PBF	-	RFQ	9109	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001559898	귀 99	8541.29.0095	95		n 채널						20 v	12A (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 12a, 10V	3V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	± 20V	2050 pf @ 10 v	-	2.5W (TA)
IRL530NSPBF	-	RFQ	4644	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						100 v	17A (TC)	4V, 10V	100mohm @ 9a, 10V	2V @ 250µA	34 NC @ 5 v	± 20V	800 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 79W (TC)
IPD068N10N3GATMA1	2.7500	RFQ	12	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD068			MOSFET (금속 (()		PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						100 v	90A (TC)	6V, 10V	6.8mohm @ 90a, 10V	3.5V @ 90µA	68 NC @ 10 v	± 20V	4910 pf @ 50 v	-	150W (TC)
IRF3707ZCSTRLP	-	RFQ	1242	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널						30 v	59A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 21a, 10V	2.25V @ 25µA	15 nc @ 4.5 v	± 20V	1210 pf @ 15 v	-	57W (TC)
IPP65R190CFDAAKSA1	-	RFQ	5450	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP65R			MOSFET (금속 (()		PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000928266	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널						650 v	17.5A (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 v	± 20V	1850 pf @ 100 v	-	151W (TC)
BCR158E6327	1.0000	RFQ	6105	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR158				200 MW	PG-SOT23-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																					50 v	100 MA							100NA (ICBO)	pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	200MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
IPB80N04S204ATMA1	-	RFQ	2325	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB80N			MOSFET (금속 (()		PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						40 v	80A (TC)	10V	3.4mohm @ 80a, 10V	4V @ 250µA	170 nc @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IPC022N03L3X1SA1	-	RFQ	7557	인피온 인피온	최적화 ™	대부분	sic에서 중단되었습니다		-	표면 표면	주사위	IPC022N			MOSFET (금속 (()		호일에 호일에	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널						30 v	1A (TJ)	10V	50mohm @ 2a, 10V	2.2V @ 250µA		-		-	-
IPI040N06N3GHKSA1	-	RFQ	8536	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI04N			MOSFET (금속 (()		PG-to262-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널						60 v	90A (TC)	10V	4MOHM @ 90A, 10V	4V @ 90µA	98 NC @ 10 v	± 20V	11000 pf @ 30 v	-	188W (TC)
PTFA260851F V1	-	RFQ	6193	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	65 v		표면 표면	2- 플랫 팩, 핀 리드	PTFA260851		2.68GHz	LDMOS		H-31248-2	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			10µA		900 MA	85W	14db											-										28 v
spp24n60cfd	2.4200	RFQ	500	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				MOSFET (금속 (()		PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널						600 v	21.7A (TC)	10V	185mohm @ 15.4a, 10V	5V @ 1.2MA	143 NC @ 10 v	± 20V	3160 pf @ 25 v	-	240W (TC)
ipi50r350cpxksa1	-	RFQ	7407	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI50R350			MOSFET (금속 (()		PG-to262-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000680736	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널						500 v	10A (TC)	10V	350mohm @ 5.6a, 10V	3.5V @ 370µA	25 nc @ 10 v	± 20V	1020 pf @ 100 v	-	89W (TC)
IPD5N25S3430ATMA1	1.1400	RFQ	3	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD5N25			MOSFET (금속 (()		PG-to252-3-313	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						250 v	5A (TC)	10V	430mohm @ 5a, 10V	4V @ 13µA	6.2 NC @ 10 v	± 20V	422 pf @ 25 v	-	41W (TC)
BFP196WH6740	0.2000	RFQ	99	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343					700MW	PG-SOT343-4-1	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	3,000							19db														12V	150ma								NPN		70 @ 50MA, 8V	7.5GHz			1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPP100N08S2L07AKSA1	4.3300	RFQ	500	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP100			MOSFET (금속 (()		PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						75 v	100A (TC)	4.5V, 10V	6.8mohm @ 80a, 10V	2V @ 250µA	246 NC @ 10 v	± 20V	5400 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IRG7PH44K10DPBF	-	RFQ	4894	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	irg7ph	기준			320 w	TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001544958	귀 99	8541.29.0095	25				600V, 25A, 10ohm, 15V															130 ns	-	1200 v	70 a	100 a	2.4V @ 15V, 25A	2.1mj (on), 1.3mj (OFF)	200 NC	75NS/315NS
auirgr4045dtrl	-	RFQ	6363	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRGR4045	기준			77 w	TO-252AA	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001511556	귀 99	8541.29.0095	3,000				400V, 6A, 47ohm, 15V															74 ns	도랑	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V, 6A	56µJ (on), 122µJ (OFF)	19.5 NC	27ns/75ns
spi07n65c3in	-	RFQ	4300	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA				MOSFET (금속 (()		PG-to262-3-1	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널						650 v	7.3A (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 v	± 20V	790 pf @ 25 v	-	83W (TC)
IPB45N06S409ATMA1	-	RFQ	8862	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB45N			MOSFET (금속 (()		PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						60 v	45A (TC)	10V	9.1MOHM @ 45A, 10V	4V @ 34µA	47 NC @ 10 v	± 20V	3785 pf @ 25 v	-	71W (TC)
IRF8113PBF	-	RFQ	7321	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001572234	귀 99	8541.29.0095	3,800		n 채널						30 v	17.2A (TA)	4.5V, 10V	5.6mohm @ 17.2a, 10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 v	± 20V	2910 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
MMBTA42LT1	1.0000	RFQ	7159	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는		-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					225 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0095	3,000																					300 v	500 MA							100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 2ma, 20ma	40 @ 30MA, 10V	50MHz
AUIRF7416QTR	-	RFQ	8954	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		p 채널						30 v	10A (TA)	4.5V, 10V	20mohm @ 5.6a, 10V	2.04V @ 250µA	92 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 25 v	-	2.5W (TA)
IPD80R3K3P7ATMA1	0.3812	RFQ	6913	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD80R3			MOSFET (금속 (()		PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						800 v	1.9A (TC)	10V	3.3ohm @ 590ma, 10V	3.5V @ 30µA	5.8 nc @ 10 v	± 20V	120 pf @ 500 v	-	18W (TC)
BSC883N03LSG	-	RFQ	7898	인피온 인피온	Optimos ™ 3	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn				MOSFET (금속 (()		PG-TDSON-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널						34 v	17A (TA), 98A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	2800 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 57W (TC)
BSC886N03LSGATMA1	-	RFQ	3127	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC886			MOSFET (금속 (()		PG-TDSON-8-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널						30 v	13A (TA), 65A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 30A, 10V	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	2100 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 39W (TC)
ISC011N06LM5ATMA1	4.0900	RFQ	4	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	ISC011N			MOSFET (금속 (()		PG-TDSON-8-17	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널						60 v	37A (TA), 288A (TC)	4.5V, 10V	1.15mohm @ 50a, 10V	2.3V @ 116µA	170 nc @ 10 v	± 20V	11000 pf @ 30 v	-	3W (TA), 188W (TC)
BCW61DE6327	0.0400	RFQ	64	인피온 인피온	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					330 MW	PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	7,454																					32 v	100 MA							20NA (ICBO)	PNP	550MV @ 1.25ma, 50ma	380 @ 2MA, 5V	250MHz
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1	158.8800	RFQ	24	인피온 인피온	Coolsic ™	쟁반	활동적인		-	섀시 섀시	기준 기준	DF14MR12			MOSFET (금속 (()	-	Ag-Easy1b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	24	-							1200V (1.2kv)	-		-	-	-		-	-
IRF1404STRR	-	RFQ	6396	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널						40 v	162A (TC)	10V	4mohm @ 95a, 10V	4V @ 250µA	200 nc @ 10 v	± 20V	7360 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 200W (TC)
IRF7450TR	-	RFQ	3639	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널						200 v	2.5A (TA)	10V	170mohm @ 1.5a, 10V	5.5V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	940 pf @ 25 v	-	2.5W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²