전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7341TRPBF | 1.2900 | ![]() | 4108 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF734 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 55V | 4.7a | 50mohm @ 4.7a, 10V | 1V @ 250µA | 36NC @ 10V | 740pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL2703STRLPBF | - | ![]() | 4608 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10V | 1V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 16V | 450 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3707STRR | - | ![]() | 2455 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 62A (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1990 pf @ 15 v | - | 87W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | irl520nstrr | - | ![]() | 6939 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 10A (TC) | 4V, 10V | 180mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 16V | 440 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9956TR | - | ![]() | 1651 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF995 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 3.5a | 100mohm @ 2.2a, 10V | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R099CFD7AAKSA1 | 7.4000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP65R099 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 99mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 630µA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 2513 pf @ 400 v | - | 127W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | irlml6302trpbf | 0.5600 | ![]() | 282 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | irlml6302 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 780MA (TA) | 2.7V, 4.5V | 600mohm @ 610ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 3.6 NC @ 4.45 v | ± 12V | 97 pf @ 15 v | - | 540MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8113TRPBF | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF8113 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 17.2A (TA) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 17.2a, 10V | 2.2V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2910 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7478QTRPBF | - | ![]() | 7405 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 60 v | 7A (TA) | 26mohm @ 4.2a, 10V | 3V @ 250µA | 31 NC @ 4.5 v | 1740 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD65R950C6ATMA1 | 0.6495 | ![]() | 3894 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R950 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 200µA | 15.3 NC @ 10 v | ± 20V | 328 pf @ 100 v | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPS70R1K4CEAKMA1 | - | ![]() | 9603 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | IPS70R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 700 v | 5.4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 225 pf @ 100 v | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP3306PBF | 3.3500 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP3306 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4520 pf @ 50 v | - | 220W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SPI20N60CFDHKSA1 | - | ![]() | 3820 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | spi20n | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 20.7A (TC) | 10V | 220mohm @ 13.1a, 10V | 5V @ 1MA | 124 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSP135 E6327 | - | ![]() | 9674 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 120MA (TA) | 0V, 10V | 45ohm @ 120ma, 10V | 1V @ 94µA | 4.9 NC @ 5 v | ± 20V | 146 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA092201FV4XWSA1 | - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA092201 | 960MHz | LDMOS | H-37260-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 1.85 a | 220W | 18.5dB | - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP640ESDH6327XTSA1 | 0.7400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP640 | 200MW | PG-SOT343-4-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 7dB ~ 30dB | 4.7V | 50ma | NPN | 110 @ 30MA, 3V | 46GHz | 0.6dB ~ 2db @ 150MHz ~ 10GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB055N03LGATMA1 | - | ![]() | 1070 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB055N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 15 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS38N20DTRRP | - | ![]() | 1722 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565034 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 43A (TC) | 10V | 54mohm @ 26a, 10V | 5V @ 250µA | 91 NC @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBT3906SE6327HTSA1 | - | ![]() | 6853 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | SMBT 3906 | 330MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200ma | 50NA (ICBO) | 2 PNP (() | 400mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF776H6327XTSA1 | 0.6000 | ![]() | 927 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BF776 | 200MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 24dB | 4.7V | 50ma | NPN | 180 @ 30MA, 3V | 46GHz | 0.8db ~ 1.3db @ 1.8ghz ~ 6GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV27E6395HTMA1 | - | ![]() | 3364 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 360 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 20000 @ 100MA, 5V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlr2905trlpbf | 1.5600 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR2905 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 48 NC @ 5 v | ± 16V | 1700 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7503TRPBF | 0.8200 | ![]() | 119 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | IRF7503 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | Micro8 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 2.4a | 135mohm @ 1.7a, 10V | 1V @ 250µA | 12NC @ 10V | 210pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR22PNH6433XTMA1 | 0.0975 | ![]() | 1081 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR22 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100ma | - | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 500µA, 10MA | 50 @ 5MA, 5V | 130MHz | 22kohms | 22kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ24NLPBF | - | ![]() | 7262 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7353D1 | - | ![]() | 5136 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7353D1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 6.5A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BCX41E6433HTMA1 | 0.1068 | ![]() | 7418 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX41 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 125 v | 800 MA | 10µA | NPN | 900mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 200ma, 1v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfs4410z | - | ![]() | 3887 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4410 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520704 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N03S2L-05 | - | ![]() | 5517 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 55a, 10V | 2V @ 110µA | 89.7 NC @ 10 v | ± 20V | 3320 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7416GTRPBF | - | ![]() | 1308 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.6a, 10V | 1V @ 250µA | 92 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고