전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7353D1 | - | ![]() | 5136 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7353D1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 6.5A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX41E6433HTMA1 | 0.1068 | ![]() | 7418 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX41 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 125 v | 800 MA | 10µA | NPN | 900mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 200ma, 1v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfs4410z | - | ![]() | 3887 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4410 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520704 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N03S2L-05 | - | ![]() | 5517 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 55a, 10V | 2V @ 110µA | 89.7 NC @ 10 v | ± 20V | 3320 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7416GTRPBF | - | ![]() | 1308 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.6a, 10V | 1V @ 250µA | 92 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ48ZPBF | - | ![]() | 7183 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 61A (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1720 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP300 E6327 | - | ![]() | 2487 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 190ma (TA) | 10V | 20ohm @ 190ma, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 230 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 166T E6327 | - | ![]() | 5541 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | BCR 166 | 250 MW | PG-SC-75 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 160MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12ME4PB72BPSA1 | 302.5833 | ![]() | 8316 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econodual ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF600R12 | 20 MW | 기준 | Ag-Econod-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 600 a | 2.1V @ 15V, 600A | 3 MA | 예 | 37 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BG 3230 E6327 | - | ![]() | 6546 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 8 v | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 6,000 | 2 n 채널 (채널) | 25MA | - | 24dB | 1.3db | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR 92W E6327 | - | ![]() | 1242 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BFR 92 | 280MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 11.5dB ~ 17dB | 15V | 45MA | NPN | 70 @ 15ma, 8v | 5GHz | 1.4dB ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1200R12IE5PBPSA1 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Primepack ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF1200 | 20 MW | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 2400 a | 2.15V @ 15V, 1200A | 5 MA | 예 | 65.5 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFML8244TRPBF | 0.4400 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRFML8244 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 5.8a, 10V | 2.35V @ 10µA | 5.4 NC @ 10 v | ± 20V | 430 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM200GA120DN2FS | 1.0000 | ![]() | 7509 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | BSM200 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P2000DL45X168APTHPSA1 | 10.0000 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | do-200ae | P2000D | 기준 | BG-P16826K-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 도랑 | 4500 v | 2000 a | 2.5V @ 15V, 2000a | 200 µA | 아니요 | 420 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP540ESDE6327HTSA1 | - | ![]() | 5652 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP540 | 250MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 21.5dB | 5V | 80ma | NPN | 50 @ 20MA, 3.5V | 30GHz | 0.9dB ~ 1.4db @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP20N60S5 | - | ![]() | 1909 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp20n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 13a, 10V | 5.5V @ 1mA | 103 NC @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R385CPATMA1 | - | ![]() | 4600 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 10V | 385mohm @ 5.2a, 10V | 3.5V @ 340µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR169E6327 | 0.0400 | ![]() | 270 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR169 | 200 MW | PG-SOT23-3-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,013 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 200MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr4105tr | - | ![]() | 7337 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 55 v | 27A (TC) | 10V | 45mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CB5003 | 0.0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIKW20N60CTXKSA1 | 6.5600 | ![]() | 4944 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AIKW20 | 기준 | 166 w | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001346790 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 12ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 40 a | 60 a | 2.05V @ 15V, 20A | 310µJ (on), 460µJ (OFF) | 120 NC | 18ns/199ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB21N50C3ATMA1 | 4.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB21N50 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 560 v | 21A (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3915TRPBF | 1.6200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3915 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 5V, 10V | 14mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | 92 NC @ 10 v | ± 16V | 1870 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8707pbf | - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001560112 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 11.9mohm @ 11a, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.3 NC @ 4.5 v | ± 20V | 760 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6MS24017E33W3274NOSA1 | - | ![]() | 8740 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P3000Z45X168HPSA1 | 14.0000 | ![]() | 4006 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | - | - | - | P3000Z | 기준 | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | - | - | 아니요 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7455 | - | ![]() | 6713 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 2.8V, 10V | 7.5mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 56 NC @ 5 v | ± 12V | 3480 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlml6402gtrpbf | - | ![]() | 3967 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.7A (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3.7a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 12V | 633 pf @ 10 v | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU80R1K0CEAKMA1 | - | ![]() | 2702 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU80R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-341 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 800 v | 5.7A (TC) | 10V | 950mohm @ 3.6a, 10V | 3.9V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 785 pf @ 100 v | - | 83W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고