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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
IPI80N04S2-04	1.0700	RFQ	296	인피온 인피온	*	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			PG-to262-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	296		n 채널		40 v	80A (TC)	10V	3.7mohm @ 80a, 10V	4V @ 250µA	170 nc @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 25 v	-	300W (TC)
SIGC15T60EX1SA1	-	RFQ	7806	인피온 인피온	TrenchStop ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SIGC15	기준				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1			-												트렌치 트렌치 정지	600 v	30 a	90 a	1.9V @ 15V, 30A	-		-
BC817K-16	-	RFQ	7309	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817			500MW		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																45 v	500 MA						100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 1V	170MHz
IRGS4630DPBF	-	RFQ	2681	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		206 w		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			400V, 18A, 22OHM, 15V											100 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V, 18A	95µJ (on), 350µJ (OFF)	35 NC	40ns/105ns
irgr4610dtrpbf	-	RFQ	1054	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준		77 w		PG-to252-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			400V, 6A, 47ohm, 15V											74 ns	-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V, 6A	56µJ (on), 122µJ (OFF)	13 NC	27ns/75ns
skw30n60fksa1	7.4959	RFQ	5174	인피온 인피온	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	skw30n	기준		250 W.		PG-to247-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			400V, 30A, 11ohm, 15V											400 ns	NPT	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V, 30A	1.29mj	140 NC	44ns/291ns
ikd10n60rf	-	RFQ	4626	인피온 인피온	TrenchStop ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준		150 W.		PG-to252-3-313	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			400V, 10A, 26OHM, 15V											72 ns	트렌치 트렌치 정지	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V, 10A	190µJ (on), 160µJ (OFF)	64 NC	12ns/168ns
DDB6U50N16W1RPBPSA1	67.0000	RFQ	7042	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	DDB6U50				3 정류기 정류기 브리지	Ag-Easy1b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30	단일 단일														트렌치 트렌치 정지	1200 v	50 a		1.5V @ 15V, 50A				6.2 µA	아니요	11.1 NF @ 25 v
FD200R65KF2-K	2.0000	RFQ	22	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				380000 w	기준	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	단일 단일														-	3600 v	200a		4.9V @ 15V, 200a				200 µA	아니요	28 nf @ 25 v
SP000797380	1.0000	RFQ	4167	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-111	다운로드						0000.00.0000	1		n 채널		600 v	20.2A (TC)	10V	190mohm @ 9.5a, 10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 100 v	-	34W (TC)
IPB009N03LGATMA1	-	RFQ	1709	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	IPB009		MOSFET (금속 (()			PG-to263-7-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		30 v	180A (TC)	4.5V, 10V	0.95mohm @ 100a, 10V	2.2V @ 250µA	227 NC @ 10 v	± 20V	25000 pf @ 15 v	-	250W (TC)
IPI90R340C3XKSA1	-	RFQ	3759	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI90R		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널		900 v	15A (TC)	10V	340mohm @ 9.2a, 10V	3.5V @ 1mA	94 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 100 v	-	208W (TC)
BSP296L6327HTSA1	-	RFQ	9580	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-4	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		100 v	1.1A (TA)	4.5V, 10V	700mohm @ 1.1a, 10V	1.8V @ 400µA	17.2 NC @ 10 v	± 20V	364 pf @ 25 v	-	1.79W (TA)
IRF7754TRPBF	-	RFQ	3308	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	IRF775		MOSFET (금속 (()	1W		8-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 p 채널 (채널)			12V	5.5A		25mohm @ 5.4a, 4.5v	900MV @ 250µA	22NC @ 4.5V		1984pf @ 6v	논리 논리 게이트
IRFZ48VSTRLPBF	-	RFQ	8932	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		60 v	72A (TC)	10V	12MOHM @ 43A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	1985 pf @ 25 v	-	150W (TC)
IRF7700	-	RFQ	2811	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			MOSFET (금속 (()			8-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100		p 채널		20 v	8.6A (TC)	2.5V, 4.5V	15mohm @ 8.6a, 4.5v	1.2V @ 250µA	89 NC @ 5 v	± 12V	4300 pf @ 15 v	-	1.5W (TC)
IRL3714LPBF	-	RFQ	7430	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		20 v	36A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 18a, 10V	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 v	± 20V	670 pf @ 10 v	-	47W (TC)
IPP034NE7N3GXKSA1	3.7800	RFQ	1	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP034		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		75 v	100A (TC)	10V	3.4mohm @ 100a, 10V	3.8V @ 155µA	117 NC @ 10 v	± 20V	8130 pf @ 37.5 v	-	214W (TC)
IRFS3307ZTRRPBF	2.9100	RFQ	800	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFS3307		MOSFET (금속 (()			d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		75 v	120A (TC)	10V	5.8mohm @ 75a, 10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 v	± 20V	4750 pf @ 50 v	-	230W (TC)
IRF6218STRLPBF	-	RFQ	7475	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널		150 v	27A (TC)	10V	150mohm @ 16a, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2210 pf @ 25 v	-	250W (TC)
IPU04N03LA	-	RFQ	8225	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU04N		MOSFET (금속 (()			P-to251-3-1	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000014621	귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널		25 v	50A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 50a, 10V	2V @ 80µa	41 NC @ 5 v	± 20V	5199 pf @ 15 v	-	115W (TC)
irlh5030tr2pbf	-	RFQ	4696	인피온 인피온	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8-powervdfn			MOSFET (금속 (()			pqfn (5x6) 단일 다이	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	400		n 채널		100 v	13A (TA), 100A (TC)		9mohm @ 50a, 10V	2.5V @ 150µA	94 NC @ 10 v		5185 pf @ 50 v	-
IPAN80R450P7XKSA1	2.7500	RFQ	8554	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPAN80		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		800 v	11A (TC)	10V	450mohm @ 4.5a, 10V	3.5V @ 220µA	24 nc @ 10 v	± 20V	770 pf @ 500 v	-	29W (TC)
SIGC14T60NCX1SA6	-	RFQ	6204	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SIGC14	기준				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는		1			300V, 15a, 18ohm, 15V												NPT	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V, 15a	-		21ns/110ns
ika10n65et6xksa2	1.7300	RFQ	8	인피온 인피온	TrenchStop ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IKA10N65	기준		40 W.		PG-to220-3-FP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP001701334	귀 99	8541.29.0095	50			400V, 8.5A, 47OHM, 15V											51 ns	트렌치 트렌치 정지	650 v	15 a	42.5 a	1.9V @ 15V, 8.5A	200µJ (on), 70µJ (OFF)	27 NC	30ns/106ns
irg4bc20udstrrp	-	RFQ	4584	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		60 W.		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001535602	귀 99	8541.29.0095	800			480V, 6.5A, 50ohm, 15V											37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V, 6.5A	160µJ (on), 130µJ (OFF)	27 NC	39ns/93ns
IPI037N08N3GXKSA1	-	RFQ	8042	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI037N		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널		80 v	100A (TC)	6V, 10V	3.75mohm @ 100a, 10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 v	± 20V	8110 pf @ 40 v	-	214W (TC)
AUIRFR3607	-	RFQ	7479	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AUIRFR3607		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001521766	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		75 v	56A (TC)	10V	9mohm @ 46a, 10V	4V @ 100µa	84 NC @ 10 v	± 20V	3070 pf @ 50 v	-	140W (TC)
IRGP4790-EPBF	-	RFQ	4407	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		455 W.		TO-247AD	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001549734	귀 99	8541.29.0095	25			400V, 75A, 10ohm, 15V												-	650 v	140 a	225 a	2V @ 15V, 75A	2.5mj (on), 2.2mj (OFF)	210 NC	50ns/200ns
SPI20N60CFD	1.9300	RFQ	168	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			PG-to262-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	168		n 채널		600 v	20.7A (TC)	10V	220mohm @ 13.1a, 10V	5V @ 1MA	124 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	208W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²